【課題】溶融したはんだがリード上を行き渡ることが抑制された電子部品のリードを、製造可能な電子部品のリードの製造方法、及び電子部品のリードの製造装置を提供する。
【解決手段】電子部品のリードの製造方法は、第１レーザを電子部品に用いられるリードのＮｉ層２３ｂよりも外側に積層され、Ｎｉ層２３ｂよりもはんだ濡れ性の高いＡｕ層２３ｃに照射することにより、第２層から第１層を露出させ、第２レーザを露出した第１層に照射することにより、第２レーザが照射された領域の周辺に凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】二枚の金属ベルトの間に挟まれて加熱冷却されたリードフレームの金属ベルトとの接触面に傷が付き易い従来のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置の課題を解決する。
【解決手段】駆動ローラ２０と従動ローラ１８との間に、無端状に巻き付けられている金属ベルト２２と、連続体１０を拘束状態で所定温度に加熱する加熱部と、前記加熱部で加熱された連続体１０を金属ベルト２２に載置して拘束状態で冷却する冷却部と、連続体１０の移送方向に走行する金属ベルト２２を支承する複数の支承ローラ２４とを具備し、複数の支承ローラ２４が、金属ベルト２２の連続体１０を載置する載置面が外方に膨出する弧状面となるように配設され、前記加熱部で加熱処理が施された、一面側が露出状態の連続体１０の他面側を金属ベルト２２の弧状面に押し付けて、連続体１０を拘束状態とする拘束手段と、連続体１０が前記弧状面での拘束状態を保持して金属ベルト２２と共に移送方向に走行して冷却される位置に、前記冷却部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工や接続用補助部材の取り付けを行うことなく立体構造を形成し、半導体装置を固片化する際のブレードの消耗を抑制する。
【解決手段】第１の金属板と絶縁性基材とを交差させつつ第１の金属板を打ち抜いて形成した第１の金属片を絶縁性基材の主面上に固定する工程と、
第１の金属板とは厚さの異なる第２の金属板と絶縁性基材とを交差させつつ第２の金属板を打ち抜いて形成した第２の金属片を絶縁性基材の主面上に固定する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】粗化品質を確保しつつ安価に提供できるリードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリードフレーム１は、金属材料からなる基材１０と、基材１０の一部に設けられ、半導体素子を搭載可能な素子搭載部２０と、基材１０の表面の一部であって、素子搭載部２０に搭載される半導体素子を封止する封止材が接触する領域の少なくとも一部に設けられる粗化面３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂が剥離しにくいリードフレームの製造方法及びそのような製造方法により製造されたリードフレームを提供すること。
【解決手段】金属製のリードフレームと、ＩＣチップを樹脂封止して製造するＩＣパッケージ２用のリードフレームの製造方法であって、リードフレームのダイパッド１１の裏面のコーナー部の距離Ｌ２の長さを２辺とする特定の領域Ｄ２に、波長１μｍ程度で平均出力が数Ｗのレーザ光線を数回〜数十回同一位置に照射して深さ２〜３０μｍのディンプルを形成し、これを多数高密度で設けることでエッチング加工と同等の特性を有したディンプルを熱による変質や変形を抑制しつつ極めて生産性高く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ベアリードフレーム材料が塩溶液に浸漬されるリードフレームの製造方法である。
【解決手段】ベアリードフレーム材料の次に、ガスバブルが、塩溶液内に提供され、このバブルが、リードフレーム材料の表面と接触し、ベアリードフレーム材料と近接してはじけ、リードフレームの表面上において化学反応を引き起こし、これによって、リードフレームの表面上に不規則なサイズの複数のくぼみを形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき層が形成されていない積層リードフレームにおける拡散接合条件に耐え得る積層リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム材と積層用リードフレーム材（導体板１６と表外側端子１７）にそれぞれ所定の形状加工をし、形状加工したリードフレーム材の上に積層用リードフレーム材を接合してなる積層リードフレームにおいて、銅又は銅合金からなるリードフレーム材の表面を、厚さ０．１μｍ以上の酸化銅層Ｃで被覆した。リードフレーム材に形成した酸化銅層によって、脆弱な酸化銅皮膜の形成を防ぎ、リードフレーム材と形成した酸化銅層の強固な密着性により、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成されたダイパッド部上に半導体チップを搭載し、モールド後に封止体から金属板を剥離することによって製造される薄型半導体パッケージにおいて、封止体と金属板との熱膨張係数差に起因する封止体の反りを抑制する。
【解決手段】半導体チップを封止する封止体７が形成された金属基板１は、成形金型から取り出された後、ゲートやランナなどの内部で硬化した不要な樹脂７ａを封止体７から分離・除去するためのゲートブレーク装置１０に搬送される。そして、弾性支持部材１５によって基板ステージ１１の上面と非接触の状態で水平に支持され、所定時間、室温の大気に晒されて徐冷した後、基板ステージ１１上に位置決めされ、不要な樹脂７ａが封止体７から分離・除去される。 （もっと読む）

【課題】製造リードタイムを短くして製品の製造コストを削減でき、尚且つ、精度の高い電気検査を行うことができる端子切断一体型電気検査装置を提供する。
【解決手段】パンチ２によって押圧されてダイ１のパンチ挿入部８内に移動したリード端子５形成後のワーク３を保持するための保持部２０を有する。保持部２０に保持したワーク３の複数のリード端子５に接触する検査用電極２１を有する。検査用電極２１を用いて保持部２０に保持したワーク３の電気検査を行う電気検査手段２２を有する。 （もっと読む）

【課題】光反射型検出器を用いて被検出物体の位置の検出及び位置決めを行う検出位置決め工程において、前記光反射型検出器の検出ミスが生じるのを防止できる電子部品用銅合金板。
【解決手段】ダルロールを用いて圧延された粗化表面を片面又は両面に有する銅合金板。前記粗化表面の算術平均粗さＲａが、圧延方向に平行方向、圧延方向に対し４５°方向及び圧延方向に対し垂直方向の全てで０．４〜０．７μｍ、最大高さ粗さＲｚが、前記３方向の全てで２〜５μｍ、さらに凹凸の平均間隔Ｒｓｍが、前記３方向の平均値で１００〜２００μｍ、かつ前記３方向の全てで前記平均値の±３０％未満である。 （もっと読む）

【課題】電鋳パッケージ技術においては、レジン封止して出来上がった基板レジン封止体複合体（基板が金属板の場合は金属板レジン封止体複合体）をレジン封止体と基板（金属板）に分離する剥離工程が必須となる。この剥離工程は、基板上に直接メッキ層が形成されているため、完全自動化が困難であると認識されていた。
【解決手段】本願発明は電鋳パッケージの剥離工程において、基板の外側部の先端部に、基板とレジン封止体とが剥がれる方向の押圧力を作用させた状態で、基板レジン封止体複合体と押圧力の作用点を相対移動させて、同作用点を基板の外側部の先端部から後方へ移動させることで、基板レジン封止体複合体を自動的に基板およびレジン封止体へ分離するものである。 （もっと読む）

【課題】半田付け工程において半田がパッケージ内のチップおよびワイヤボンディングに浸入することを防ぎ、不良率を低減させる。
【解決手段】半田領域２４０およびワイヤボンディング領域２５０を有し、半田領域２４０とワイヤボンディング領域２５０との間に第１の分離部２６０が形成された第１のリードフレーム２００と、半田領域３４０、ワイヤボンディング領域３５０、およびダイボンディング領域３６０を有し、半田領域３４０とワイヤボンディング領域３５０との間に第２の分離部３７０が形成された第２のリードフレーム３００と、第２のリードフレーム３００のダイボンディング領域３６０に装着され、第１のリードフレーム２００および第２のリードフレーム３００のワイヤボンディング領域２５０，３５０の各々に電気的に接続されたチップ４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】切削等により溝を設けても、変形が小で板厚を薄くすることが可能なリードフレーム用銅条を提供する。
【解決手段】リードフレーム用銅条１は、条材１０と、条材１０の中間部に切削により加工された溝１１とを備えて構成されている。条材１０は、引張強さ４５０Ｎ／ｍｍ^２以上で、かつ、伸びが１５％以下の銅合金からなる。条材１０が上記の特性を有することにより、溝１１を切削加工によって除去しても、薄肉部１２の変形量を所望の範囲内にすることができる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さの値が低くかつ微細クラックの少ない表面特性を有する、めっき性に優れた銅または銅合金材およびその製造方法、並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】表面粗さが算術平均粗さ(Ｒａ)で０．１μｍ以下、かつ最大高さ(Ｒｍａｘ)で１μｍ以下であり、さらに材料表面の微細クラックが当該表面の任意の１００μｍ角あたり１０個以下である銅または銅合金材を、仕上げ前圧延として、ショットブラスト処理した、Ｒａで０．１〜１μｍの表面粗さを有するロールを用いて圧延を行い、仕上げ圧延として、Ｒａで０．１μｍ未満の表面粗さを有するブライトロールを用いて、トータル圧延量を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で圧延を行い、製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の薄型化が容易であり、ボンディングワイヤによる接続を用いることが容易となる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップに接続される電極パッドを有する半導体装置の製造方法であって、表面が粗化された粗化面を含む支持構造体を形成する第１の工程と、前記支持構造体の前記粗化面上に前記電極パッドを形成する第２の工程と、前記支持構造体を除去する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるということは、セキュリティ対策として逆効果となってしまう。
【解決手段】半導体装置１は、パッケージ本体１１と、パッケージ本体１１から当該パッケージ本体１１の外部へ延びる外部リード端子１２と、外部リード端子１２上に記され、当該半導体装置１に関する情報を示すマーク１４と、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分を覆うめっき膜１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、レーザ加工の際のレジスト膜のかすの飛び散りを抑制でき、めっき形成箇所の輪郭形状のがたつきを少なくし、経済的に短時間で精度よく加工可能なリードフレームの製造方法及びこれを用いて製造したリードフレームを提供する。
【解決手段】レジスト膜１０がコーティングされたリードフレーム１１のめっき形成箇所１２にレーザ光を照射して、めっき形成箇所１２のレジスト膜１０を除去し、レジスト膜１０が除去されためっき形成箇所１２にめっきを施すリードフレームの製造方法において、レジスト膜１０に、レーザ光の吸収性が良好な非透明の膜を使用する。 （もっと読む）

【課題】 良く制御されたはんだ厚を有し、かつフラットダイの取付けを可能にし、シリコンダイを傾斜から防止し、低コストで、はんだが液相にある間に、シリコンダイの位置を安定させるようにした、ボンドワイヤレスパッケージを提供する。
【解決手段】 基板の上面から上方へ延びる複数の突起と、基板の上に形成されたはんだ層とを備え、複数の突起は、はんだ層を貫通して延び、複数の各突起の先端部は、はんだ層の表面の高さになるまで押し下げられており、シリコンデバイスは、基板上に配置したとき、複数の突起上で支持される。突起は、針状工具を用いて基板の上面から削成される。スタンパにより、シリコンデバイスを支持するために、突起が適切に位置付けされるように所望する高さまで、突起を押し下げる。はんだ層を熱して、液体のはんだを形成し、基板及びシリコンデバイスを接着させるが、突起は、シリコンデバイスを支持し、はんだが液体状態であるとき、シリコンデバイスが動かないようにする。 （もっと読む）

【課題】プレス加工が施されたリードフレームの連続体の全体を、拘束しつつ迅速に加熱冷却処理を施すことのできるリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置を提供する。
【解決手段】第１駆動ローラ１０ａと第２従動ローラ１０ｂとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第１金属ベルト１２ａと、第２駆動ローラ１０ｃと第２従動ローラ１０ｄとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第２金属ベルト１０ｂとが設けられ、第１金属ベルト１２ａ及び第２金属ベルト１２ｂの駆動ローラ方向に走行する部分が所定の接圧力で重ね合わされており、重ね合わせられた二枚の金属ベルトの間に供給された連続体２０の全体を拘束して加熱冷却できるように、前記二枚の金属ベルトが加熱部１７と冷却領域とを貫通して走行可能に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂との樹脂密着性がよく、かつバリ取りが容易で、耐湿性に優れた半導体装置用リードフレームを提供する。
【解決手段】フレーム部２から内向き突出した複数本のリード部３と、リード部３の少なくとも一つに形成されたダイパッド部４とからなり、リード部３の先端とダイパッド部４とに樹脂封止領域５を有するリードフレーム１において、該リードフレーム１の表面に、ニッケルやパラジウムなどの金属皮膜からなる第１の被膜８を形成し、リードフレーム１の樹脂封止領域５における第１の被膜８の表面に、シランカップリング剤の表面改質剤からなる表面改質皮膜９を形成し、非樹脂封止領域６における第１の被膜８の表面には単なる平滑面を形成する。 （もっと読む）