【課題】表面被覆層を有するリードフレーム用アルミニウム板条について、その半田付け性、表面被覆層の密着性及び耐熱剥離性を改善する。
【解決手段】アルミニウム板条を母材とし、その表面にジンケート処理層が形成され、さらに平均厚さが０．１〜１．０μｍのＮｉ被覆層、平均厚さが０．４μｍ以下のＣｕ被覆層、平均厚さが０．１〜１．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層、及び平均厚さが０．１〜１０．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成されたリードフレーム用アルミニウム板条。Ｓｎ被覆層はリフロー処理されていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤとの接続信頼性を向上させることのできるリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体素子２１が搭載されるダイパッド３と、そのダイパッド３の周囲に複数配置されたインナーリード７と、そのインナーリード７と一体的に構成されるアウターリード８とを含む基板フレーム２を有している。封止樹脂２３によって封止される領域であって、少なくともボンディングワイヤ２２が接続される部分の基板フレーム２上、つまりインナーリード７上には４層のめっき１５Ａが施されている。この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面粗さが低く、ロールスクラッチのない表面特性を有し、めっきの密着性に優れた銅又は銅合金部材の製造方法とその部材並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、フィルムラッピング処理された算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０２μｍ以上０.０５μｍ未満である表面粗さを有するロールを用いて、圧下量を１０〜５０μｍの範囲内で仕上げ圧延を行う銅又は銅合金部材の製造方法にあり、その製法によって得られ、材料表面に長さが５０μｍ以上及び幅が３μｍ以上である突起状のロールスクラッチが存在しないこと、更に、材料表面の算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０５μｍ以下及び最大高さ(Ｒｚ)が０.０８μｍ以下である銅又は銅合金部材にある。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）、特に波長３７５ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレーム及びその製造方法を提供する。さらにこの光半導体装置用リードフレームを用いたＬＥＤ用部品を提供する。
【解決手段】金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、ＬＥＤ用部品材料において、針式表面粗さ計による測定での表面粗さＲａを０．０１０μｍ以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さＳａが５０ｎｍ以下であることで、反射率と封止材との密着性を向上させたことを特徴とするＬＥＤ用部品材料。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れ、特にワイヤボンディング性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基体１上に設けたロジウムまたはロジウム合金からなる反射層２の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された、厚さ０．００１〜０．０５μｍからなる最表層３を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有しており、その最表層３の表面から深さ０．００５μｍ地点におけるナノインデンテーション法による硬さＨ_ＩＴを、５００〜３０００Ｎ／ｍｍ^２とした、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光の反射率に優れ、高輝度な光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。また本発明は、長期信頼性及びワイヤボンディング性に優れ、外部に露出した箇所における半田付け性に優れた光半導体用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基体上にワイヤボンディングが施される光半導体装置用リードフレームであって、該基体上に銀又は銀合金からなる反射層が形成され、該反射層上にインジウム、インジウム合金、錫、及び錫合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる耐食皮膜層が厚さ０．００５〜０．２μｍで形成され、該耐食皮膜層上に金、白金、銀を含まない金合金、銀を含まない白金合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる最表層が厚さ０．００１〜０．０５μｍで少なくとも該ワイヤボンディングが施される箇所に形成されている光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂との密着性を維持し、且つエポキシ樹脂成分の滲み出しのない、めっき表面形態をなしたニッケルめっきと金めっきを施したリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、を設ける。そして、前記第１及び第２のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】パラジウムの使用量を最少に抑えて安価なリードフレームを提供すると共に、不具合を少なくしたリードフレームの製造方法を提供すること。
【解決手段】金属板１より成形されるリードフレームにおいて、半導体素子搭載側の表面と基板実装側の表面のみにパラジウム鍍金１ａが施されていて、成形されたリード部の金線がボンディングされるリード部表面部分と基板実装用パッド部の半田で接合される部分を除いた実装不要部分及び側面には鍍金が施されていない （もっと読む）

【課題】リードフレーム材の外形となる外周縁部やパイロット孔の周辺にメッキ層によるメッキバリが生じない、信頼性の高い半導体装置を製造することのできるリードフレームおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２４が搭載されるリードフレーム材１１の外周部１３の外周縁部１４およびにパイロット孔を含む貫通孔１２を形成した後、メッキを施すことにより、リードフレーム材１２の外周縁部１４および貫通孔１２の内側に表面メッキ層１７または裏面メッキ層１８のいずれかと同じ金属メッキ層を形成する。このように貫通孔１２およびリードフレームの外形である外周縁部１４を、エッチング液により侵食されないメッキ層で被覆して金属メッキ層３０とするため、後のエッチング工程において、サイドエッチングによる影響を受けず、貫通孔１２および外周縁部１４にメッキバリが生じない。 （もっと読む）

【課題】モールド部との結合性を向上させたリードフレーム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームであって、半導体チップが搭載されるダイパッドと、半導体チップに接続されるように配置される複数のリード部と、ダイパッド及びリード部の少なくとも片面に形成されるメッキ層とを備え、メッキ層が所定の表面粗さを有し、メッキ層が、銅（Ｃｕ）を含有する粗面Ｃｕメッキ層と、該粗面Ｃｕメッキ層上に形成される保護メッキ層とを含むような該リードフレーム及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半田等の接合材を用いた実装時の接続信頼性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アイランド１６と、リード１２と、アイランド１６の上面に固着される半導体素子１８と、半導体素子１８とリード１２とを接続する金属細線３２と、これらを一体的に被覆する封止樹脂１４とを備えて構成されている。更に、リード１２の側面下部をメッキ膜２２により被覆している。この様にすることで、リード１２の下面のみならず側面にも、実装用の半田を良好に付着させることが可能となり、実装時の接続信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】連結部材の破断により生じるバリの影響を最小限に抑えたり、連結部材の破断を容易にすることができる新規な端子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の端子の製造方法は、端子群集合体形成工程および破断工程を備える。端子群集合体には複数の端子１および連結部材２が形成される。複数の端子１には細長部１ａを有し、細長部１ａには複数の凹部１ｂが形成されている。そして、隣り合う端子１の細長部１ａの凹部１ｂを連結部材２が互いに連結している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を低下させることなく、製造コストの削減を可能とするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】素子搭載部、インナーリード及びアウターリードを備えたリードフレームの製造方法において、前記アウターリードの輪郭を形成する工程と、前記素子搭載部、前記インナーリード及び前記アウターリードの表面及び裏面、前記アウターリードの側面にめっき層を形成する工程と、前記めっき層をレジストマスクとして前記リードフレーム材にエッチング加工を行い凹部を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】一面側に部品を搭載したリードフレームをモールド樹脂で封止するとともに、リードフレームの他面を樹脂から露出させてなる電子装置の製造方法において、テープとリードフレームとの剥離を防止してリードフレームのテープ被覆面における樹脂バリの発生を極力防止する。
【解決手段】モールド樹脂３０による封止を行う前に、テープ２００を貼り付けたリードフレーム１０を熱処理する工程を備え、この熱処理工程では、２００℃以上の温度での熱処理を１時間以上行う。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）