【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、垂直方向に対する剥離力に対して樹脂の脱離を防止することが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】光半導体装置用リードフレームの表面側に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成し、前記凹部の内部を、その開口よりも広く形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）、特に波長３７５ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレーム及びその製造方法を提供する。さらにこの光半導体装置用リードフレームを用いたＬＥＤ用部品を提供する。
【解決手段】金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、ＬＥＤ用部品材料において、針式表面粗さ計による測定での表面粗さＲａを０．０１０μｍ以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さＳａが５０ｎｍ以下であることで、反射率と封止材との密着性を向上させたことを特徴とするＬＥＤ用部品材料。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れ、特にワイヤボンディング性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基体１上に設けたロジウムまたはロジウム合金からなる反射層２の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された、厚さ０．００１〜０．０５μｍからなる最表層３を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有しており、その最表層３の表面から深さ０．００５μｍ地点におけるナノインデンテーション法による硬さＨ_ＩＴを、５００〜３０００Ｎ／ｍｍ^２とした、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、この端子部がなす一平面上に配置され端子部よりも薄いダイパッドと、ダイパッドの内部表面上に電気絶縁性材料を介して搭載され各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部、ダイパッド、半導体素子を封止した樹脂部材を備え、端子部は内部端子面の周囲に突起部を有し、ダイパッドは内部表面の周囲に突起部を有し、これらの突起部は前記樹脂部材に係合しているものとした。 （もっと読む）

【課題】モールド部との結合性を向上させたリードフレーム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームであって、半導体チップが搭載されるダイパッドと、半導体チップに接続されるように配置される複数のリード部と、ダイパッド及びリード部の少なくとも片面に形成されるメッキ層とを備え、メッキ層が所定の表面粗さを有し、メッキ層が、銅（Ｃｕ）を含有する粗面Ｃｕメッキ層と、該粗面Ｃｕメッキ層上に形成される保護メッキ層とを含むような該リードフレーム及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ等の作製において封止樹脂等との密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供すること。
【解決手段】半導体素子等を搭載したパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、そのパッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ導電性皮膜が、上記の被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】高い正反射率を示し、拡散反射による光の損失を低減すると共に、反射膜とするＡｇの凝集や変色がなく、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で継続して利用することを可能とするＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１の表面に、膜厚０．４μｍ以上１０μｍ以下の光沢Ｎｉめっき膜１２を介して、膜厚２００ｎｍ以上５μｍ以下のＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３がＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％を含有し、表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることを目的とする。
【解決手段】リードフレーム２上に表面平滑剤を含まない下地めっき被膜３と、その表面に低シアン銀めっき液を用いて形成した銀めっき被膜４を形成することにより、光沢を持たせながら銀が析出しやすくなり、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】反射特性が良好で、耐食性、ワイヤーボンディング性にも優れた光半導体装置用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀または銀合金からなる反射層２が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該銀または銀合金からなる反射層２の表面に、銀または銀合金に対し物理的ないしは化学的結合性の有機化合物からなる防錆皮膜３が少なくとも１層以上形成され、防錆皮膜の総厚が厚さ５０オングストローム以下である、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームと封止用樹脂との密着性を向上させるめっき層が形成されたリードフレームを、生産性を落とすことなく提供する。
【解決手段】 Ｎｉめっき層が形成されたリードフレーム１０において、該Ｎｉめっき層は外部基板と接続する裏面側に形成されている厚膜部分１２ｂと、半導体素子の搭載面側の全面あるいは一部に形成されている薄膜部分１２ａとを有している。厚膜部分１２ｂは２.５〜５μｍの厚さを有しており、薄膜部分１２ａは厚膜部分１２ｂより０.５〜２μｍ薄いことが好ましい。かかるリードフレーム１０は、金属製基材１１の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子６の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】外部応力が加わった場合でもウイスカが発生しにくいめっき層を安定して形成することが可能であり、半田付け性に優れる、Ｐｂを含まないＳｎめっき銅基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｎめっき銅基板１は、純銅板、銅合金板、又は銅めっきされた金属板のいずれかの金属基板２上に、中間Ｓｎめっき層３ＩＬとＣｕめっき層４とを、この順に積層してなるめっき膜層５を１．５μｍ以上の層厚で少なくとも１膜層以上備えるとともに、このめっき膜層５上に、０．２〜１．５μｍの層厚の最外Ｓｎめっき層３ＯＬをめっき膜層５との総厚が３μｍ以上で備え、少なくとも中間Ｓｎめっき層３ＩＬ及び最外Ｓｎめっき層３ＯＬの粒界３ｇ及び粒内３ｃのいずれかに、Ｃｕめっき層４及び金属基板２の少なくとも一方に由来するＣｕを拡散させてなるＳｎ−Ｃｕ合金相６を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーはんだにてリードフレームに対して半導体素子を実装するに際し、はんだ濡れ性を向上させ、はんだ付けの信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】Ｐｂフリーはんだ７を用いて半導体素子３をリードフレーム２に実装するに際し、リードフレーム２の表面に貴金属で構成された部分メッキ６を施す。Ｐｂフリーはんだ７をリードフレーム２に接合するよりも部分メッキ６に接合する方が濡れ性を高めることが可能となる。このため、部分メッキ６を施すことにより、はんだ濡れ不良やボド率増加などを抑制することが可能となり、はんだ付け部の信頼性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における実装時のショート防止およびリード脱落防止を図る。
【解決手段】半導体チップ８を支持するタブ５と、半導体チップ８が樹脂封止されて形成された封止部１２と、タブ５を支持するタブ吊りリード４と、封止部１２の裏面の周縁部に露出する被接続部とタブ側の端部に前記被接続部より薄く形成された肉薄部とを備え、かつ前記被接続部の封止部１２内に配置されるワイヤ接合面２ｄに内側溝部２ｅおよび外側溝部２ｆが設けられた複数のリード２と、半導体チップ８のパッド７とリード２とを接続するワイヤ１０とからなり、リード２の前記肉薄部が封止用樹脂によって覆われ、かつワイヤ１０が前記被接続部に対して外側溝部２ｆと内側溝部２ｅとの間で接合されており、リード２の前記肉薄部と外側溝部２ｆと内側溝部２ｅとによってリード脱落防止を図る。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄ−ＰＰＦ（Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｌａｍｅ）を用いた樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードの表面にＰｄが析出したとしても、インナーリードとモールド樹脂との密着力を確保する。
【解決手段】Ｃｕよりなる母材４０ａの表面上にＮｉメッキ層４０ｂ、Ｐｄメッキ層４０ｃ、Ａｕメッキ層４０ｄが順次積層されてなるリードフレーム４０と、半導体素子３０との間でワイヤボンディングを行った後、リードフレーム４０のうちインナーリード４１を、ワイヤボンディング時にインナーリード４１に加わる温度よりも高い温度で加熱処理することにより、インナーリード４１における最表面をオージェ電子分光法によって表面分析したときの当該最表面に存在するＣｕの量を、当該最表面に存在するＰｄの量の４０％以上とし、しかる後、モールド樹脂６０による封止を行う。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。
【解決手段】リード１２のうちモールド樹脂４０で被覆されている部位であるインナーリード１２ａの表面に形成されている金薄膜の方が、アウターリード１２ｂの表面に形成されている金薄膜よりも膜厚が大きい。 （もっと読む）

【課題】ステンレス製ステムベースを用いた気密端子におけるステムベースとガラスとの封着界面に生ずる隙間腐食を阻止して気密不良を改善した気密端子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気密端子１０はステンレス製ステムベース１２と溶着ガラス１４を貫通するリード１６とを具備し、ガラス１４を介してリード１６をステムベース１２から絶縁して構成される。ここで、ステンレス製ステムベース１２は周辺の取付け部位１８と中央の中空部位２０を有しており、取付け部位１８がステンレス鋼材の露出状態であるのに対し、中空部位２０は表面にニッケルのめっき層２２が設けられている。それにより、気密端子を他部品に取り付ける際には、取付け部位１２のステンレス鋼材の露呈面への溶接による取付作業で発生する溶接ちりを抑制すると共に中空部位２０の形成されたニッケルめっき層２２によりガラス１４との気密性が確保される。 （もっと読む）