【課題】第１リードフレームと第２リードフレームとの間に搭載部品が３個のみ挟み込まれてなる半導体装置において、第１〜第３搭載部品と第２リードフレームとが未接合となることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部品３０〜５０におけるはんだ３１〜５１、３５〜５５が配置される部位の中心を搭載部品３０〜５０の中心点３０ａ〜５０ａとしたとき、３個の搭載部品３０〜５０のそれぞれの中心点３０ａ〜５０ａを結ぶ線分にて三角形１００が構成される状態で３個の搭載部品３０〜５０を挟み込む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ３が搭載された上面２ａ、封止体６から露出する下面、上面２ａと下面との間に位置する複数の側面２ｃ、を備えたタブ（チップ搭載部）２を有している。また、タブ２の複数の側面２ｃは、タブ２の下面に連なる部分２ｃ１と、部分２ｃ１よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なる部分２ｃ２と、部分２ｃ２よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なり、部分２ｃ１、２ｃ２と同一方向を向いた部分２ｃ３とを有している。そして、平面視において、半導体チップ３の外縁は、タブ２の部分２ｃ３と部分２ｃ２との間に位置し、かつ、半導体チップ３とタブ２を接着固定する接着材の外縁は、半導体チップ３と部分２ｃ２との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の接合不良を改善することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ３の表面に形成された複数のボンディングパッド４と複数のリード２とを複数のバンプ電極５を介してそれぞれ接続する半導体装置において、複数のリード２の上面を、平坦な面（最大高さ（Ｒｙ）＝０）ではなく、最大高さ（Ｒｙ）が０μｍよりも大きく、２０μｍ以下の範囲（０μｍ＜最大高さ（Ｒｙ）≦２０μｍ）の粗さを有する半光沢状の面とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１２１を含むリードフレーム１０２と、ダイパッド１２１のチップ搭載領域にダイボンド材１３２により接合された半導体チップ１０１とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ１０１に間隔をおいて外嵌する第１の部分１２４ａと、第１の部分１２４ａよりもその壁面と半導体チップ１０１の側面との間隔が大きい第２の部分１２４ｂとを含む凹部１２４である。半導体チップ１０１の側面と凹部１２４の壁面との間にはダイボンド材１３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の固着に用いられる導電性固着材が半導体素子の外周に染み出すと、導電性固着材と封止樹脂の密着性が悪いため、封止樹脂とアイランドの密着性が劣化する問題がある。一方で、半導体素子の外周への導電性固着材の染み出しが全くないと、導電性固着材の濡れの状態が目視できない。
【解決手段】アイランドとアイランド主面に導電性固着材で固着される半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、これらを一体的に被覆する封止樹脂とを備えている。アイランドの主面に、半導体素子の側辺に沿って帯状に溝を設ける。溝は半導体素子のコーナー部下方において不連続とする。導電性固着材はリフローで液状となった場合に溝で規制され、半導体素子の側辺からの染み出しを低減できる。溝が不連続な領域では若干量の導電性固着材を染み出させ、導電性固着材の濡れを視認可能とする。 （もっと読む）

【課題】 金属リボンの超音波ボンディングを行う際、アイランドの浮きを防止するため、ボンディング装置のクランパによってアイランドの周辺領域や、アイランド周囲に設けた吊りピンを押さえる必要がある。しかし、装置の小型化によって十分なアイランドの周辺領域が確保できない場合や吊りピンが設けられない場合には、アイランド側を押さえることができない問題がある。
【解決手段】 アイランドのリードと対向する辺に、リード端部と同じ高さでリード側に突出する複数の突起部を設ける。突起部とリード端部を同時にクランパで押圧することにより、吊りピンや、アイランド周囲の押さえ領域がない場合であっても、アイランドの浮きを防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来の圧接型の半導体装置と比較して簡素な構造で半導体素子を位置決めすることができ、半導体素子の絶縁性及び耐圧性を確保しつつ、耐熱性に優れると共に製造コストが低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｓは、半導体素子９と、これを挟持するエミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａとの外周を覆うように硬化性樹脂３が付与されると共に、エミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａ（電極端子）には、これらの電極端子を位置決めする係止部（窪み部１ｅ，２ｅ）が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部の温度が変化しても樹脂封止体と回路パターン部とが剥がれることを防止できる回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュールとしての制御回路パッケージ６は互いの間隔をあけて設けられた導電性の二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂと二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂ同士を接続した抵抗３０と二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂと抵抗３０を埋設した樹脂封止体１９を備えている。パターン部２２ａ，２２ｂは圧接端子に接続する直線状に延在した接続部４０と抵抗３０が取り付けられる部品取付部４２と接続部４０の幅方向の一方の縁に連なりかつ接続部４０と部品取付部４２との双方に連なっている幅狭連結部４３を備えている。幅狭連結部４３は部品取付部４２と接続部４０との双方よりも幅が狭い。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとリードとを板状の接続子によって電気接続する構成の樹脂封止型半導体装置において、リード及び接続子の相対的な位置決めを容易に行うことができ、かつ、電気的な信頼性の向上を図ることができるようにする。
【解決手段】リード４には、その上面４１ａから窪む窪み部４３が形成され、接続子５には、窪み部４３に挿入されて係合する接続突起部５４が形成され、窪み部４３の内面が、当該窪み部４３の開口縁４４からリード４の上面４１ａに対して傾斜する傾斜面４５Ａ，４５Ｂを有し、接続突起部５４を窪み部４３に挿入した状態で互いに対向する窪み部４３の内面及び接続突起部５４の表面が、相互に対応する相似形状に形成されている樹脂封止型半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスをパッド部に搭載する際に高精度な位置決めを行うことができるリードフレーム及びリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】電子デバイス４を搭載するための搭載面（Ｘ−Ｙ平面）をそれぞれ備えた第１パッド部７、第２パッド部８及び第３パッド部９と、第１パッド部７から延設された第１リード端子１、第２パッド部８から延設された第２リード端子２、第３パッド部９から延設された第３リード端子３と、電子デバイス４を搭載する位置を決定するための位置決め部（例えば、切り欠き部７１及び切り欠き部９１）とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】リードタイプの電子部品を配線基板に実装する際の熱によって電子部品の電気的な特性が劣化してしまうことを防止できるリードタイプの電子部品及びリードフレームを提供する。
【解決手段】隣接して配されたパッド部７、パッド部８及びパッド部９と、パッド部７、パッド部８及びパッド部９からそれぞれ同一方向に延設されたリード端子１、リード端子２及びリード端子３とを備えており、リード端子１、リード端子２及びリード端子３は、隣り合うリード端子間のピッチが狭い狭ピッチ部位（図中、領域Ｄ１で示す部位）と、隣り合うリード端子間のピッチが広い広ピッチ部位（図中、領域Ｄ３で示す部位）とをそれぞれ備え、前記狭ピッチ部位は、前記広ピッチ部位よりもパッド部７、パッド部８及びパッド部９側に配され、リード端子１、リード端子２及びリード端子３のうちの少なくとも１つのリード端子は、前記広ピッチ部位に第１突出片１２，１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性上も有利な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイパッド１２を有する第１リードフレーム１０と、インナーリード２３ａ，２３ｂを有する第２リードフレーム２０を準備する。ダイパッド１２の上に、半導体チップ３０を搭載し、第２リードフレーム２０を第１リードフレーム１０の上に重ねる。インナーリード２３ａ，２３ｂの各先端部２５ａ，２５ｂと半導体チップ３０の一部（電極）とを、超音波溶接などにより、接合する。その後、第１，第２リードフレーム１０，２０の積層体を金型にセットして、樹脂封止を行う。半導体チップ３０とインナーリード２３ａ、２３ｂとが１つの接合部で直接接続されているので、接合の信頼性が高い。半導体チップ３０とインナーリード２３ａ、２３ｂとの位置合わせが簡単で、製造コストも安い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を収容する樹脂ケースの品質を向上させる。
【解決手段】樹脂ケース４１内に表面が突出するように固定されたナット６０と、少なくとも一部が折り曲げられ、樹脂ケース４０内に一部が固定された外部接続用端子５０と、を有した半導体装置１が提供される。半導体装置１では、樹脂ケース４０と樹脂ケース４１とが一体化している。また、当該半導体装置１では、予め折り曲げられた外部接続用端子５０の一部が樹脂ケース４０内に固定されているので、ナット６０の表面と外部接続用端子５０の一部とが密接している。 （もっと読む）

【課題】使用環境及び使用時間にかかわらず、電子部品の端子表面のめっき層からウィスカの発生を回避することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 βＳｎ相を含むめっき層２１が表面に被覆された端子２０の一部を、接合材料３０を介して基板１０に接合する工程と、前記めっき層２１を冷却して、該めっき層２１に含まれるβＳｎ相の少なくとも一部をαＳｎ相に相転移させる工程と、前記相転移されためっき層２２のうち、前記接合材料と未接触部分のめっき層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージサイズにおけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、同時に、半導体素子の高速化に対応できる半導体装置に用いられる回路部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の端子と電気的に接続するための内部端子部１３１と、外部回路への接続のための外部端子部１３２と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結するリード部１３３とを有し、内部端子部と外部端子部とがその表裏に分け設けられ、内部端子部、リード部が薄肉に形成され、外部端子部は厚肉に形成された、端子部材を、複数個、それぞれ互いに独立して、且つ、各端子部材の内部端子部の端子面１３１Ｓを、同じ向きに一平面上そろえて配置し、更に、これらの外側で、前記リード部とは異なる接続リード１３４を介して外部端子部と一体連結して、全体を保持する外枠部１３５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 組立に際して半導体素子の接続位置のバラツキによってのリークやショートなどの電気特性が損なわれるという問題をなくし、材料効率の向上を図り、低コストで信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１リード端子の第１主面に接続された半導体素子の電極部にロール状のスプールから繰り出された帯状、未切断の金属の端部を直接超音波接合させその後中間部をアーチ形状に形成しの第２リード端子の第１主面とアーチ形状最終部とを直接超音波接合された後で前記金属片を切断し金属片を形成する製造方法で半導体素子の接続位置バラツキでの金属片の接続不良による不具合品の防止ができ、また半導体素子のサイズ等の変更に自在に対応できる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留り、および、信頼性の低下を抑制しながら、更なる多ピン化、狭ピッチ化に対応することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、上面上に複数の電極パッド２が設けられた半導体チップ１と、インナーリード部２１ｂを含み、インナーリード部２１ｂが半導体チップ１側となるように配された複数のリード端子２１と、互いに絶縁分離された複数の配線層３２を一主面上に有するシート状の配線部材３０と、少なくとも、半導体チップ１、インナーリード部２１ｂおよび配線部材３０を封止する封止樹脂層４０とを備えている。そして、半導体チップ１の電極パッド２とリード端子２１のインナーリード部２１ｂとは、配線部材３０の配線層３２を介して互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】薄型の半導体装置を製造可能なリードフレームを提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るリードフレームは、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレーム３０であって、枠体部とリード部を有する第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を具備する。そして、第１リードフレーム１０の枠体部１２と、第２リードフレーム２０の枠体部２２を重ね合わせた際に、第１リードフレーム１０のリード部１１と、第２リードフレーム２０のリード部２１とが接触せず、かつ、第１リードフレーム１０のリード部１１を構成するインナーリード部１３と、第２リードフレーム２０のリード部２１を構成するインナーリード部２３とを同一面内に配置する。 （もっと読む）

本明細書には、マイクロ電子ダイパッケージ、ダイパッケージの積層型システム、ならびにそれらの製造方法が開示される。ある実施形態では、積層されたパッケージのシステムは、底面と、第１の誘電性ケーシングと、第１の金属リードとを有する第１のダイパッケージと；第１のパッケージの底面に付着される上面と、側面を備える誘電性ケーシングと、第１の金属リードと整列されかつそれに向かって突き出し、ならびに外面と、側面の方を概ね向く内面部分とを含む、第２の金属リードとを有する第２のダイパッケージと；個々の第１のリードを個々の第２のリードに結合する金属はんだコネクタとを含む。さらなる実施形態では、個々の第２のリードは、「Ｌ」字型であり、かつ対応する個々の第１のリードに物理的に接触する。別の実施形態では、個々の第２のリードは、「Ｃ」字型であり、かつ第２のケーシングの側面に向かって突き出る、段になった部分を含む。
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【課題】突起状バンプまたはボールを有する、封止されたリードフレームを特徴とする半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】導電性バンプまたはボール２０６を介して、支持されたダイ２０２と電気的に導通するリードフレームを特徴とする半導体デバイスパッケージ２００に関する。独立したダイパッド、およびダイパッドの縁部と、隣接する非一体化リードまたはピンとの間の水平方向の分離の必要性をなくすことにより、バンプ・オン・リードフレームプロセスにより製造されたパッケージの態様は、パッケージ専有面積におけるダイの利用可能なスペースを増大させ、多数のダイおよび/または多数の受動素子が、ダイパッドによって従来使われていたパッケージ内のスペースを占有することも可能にし得る。その結果、JEDECが指定する従来の小さな専有面積における完全なサブシステムに必要なダイと技術の組合せを可能にする。 （もっと読む）