【課題】局所歪みが少なく、今日製造者が利用できる従来の取り付け方法に適合可能であるインターポーザにＣＺＴ及び／又はＣｄＴｅを相互接続するための構造を提供すること。
【解決手段】マクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）は、結晶アノードアレイ（１８）及びセラミック基板（１４）を備える。アレイ（１８）及び基板（１４）は、大きい高さ対幅のアスペクト比を有する相互接続（１２）幾何形状を用いて共に接合される。相互接続（１２）を結晶アノードアレイ（１８）に固定する継手は、無はんだである。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、この端子部がなす一平面上に配置され端子部よりも薄いダイパッドと、ダイパッドの内部表面上に電気絶縁性材料を介して搭載され各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部、ダイパッド、半導体素子を封止した樹脂部材を備え、端子部は内部端子面の周囲に突起部を有し、ダイパッドは内部表面の周囲に突起部を有し、これらの突起部は前記樹脂部材に係合しているものとした。 （もっと読む）

【課題】ワイヤが倒れるなどの製品不良を防止した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム２の裏面上にレジスト層７を形成する。次に、リードフレーム２の表面に半導体チップ３を搭載してワイヤ４によって半導体チップ３及びリードフレーム２を電気的に接続する。その後、レジスト層７の裏面が露出され、かつ、レジスト層の側面が覆われるように、封止部材６を形成する。そして、レジスト層７を取り除いた後に、リードフレーム２の裏面にメッキ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂のサイズにかかわらず、樹脂の這い上がり、毛管現象による極薄膜の形成を確実に防止し、実装時における、半導体装置の電気的接合及び機械的接合の不具合を回避することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子と、半導体素子と電気的に接続され、封止部材から一端が突出するリードフレームとを有し、該リードフレームは、前記封止部材から突出した部分の少なくとも一主面において、全幅にわたるＶ字溝が、前記リードフレームの突出方向に複数本形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】リフロー時の半導体素子搭載パッドの剥がれを防止し、かつ、ワイヤボンディング時の半導体素子の搭載パッドからの剥離を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】符号１Ａは平面視矩形形状の半導体装置、２は熱硬化樹脂から成るダイボンディング材５により第１搭載パッド４ｂの上面に実装された半導体素子である。第１搭載パッド４ｂの外側には額縁形状の第２搭載パッド６ｂが配設され、さらにその外側には外部電極３ｂが配設されている。第１搭載パッド４ｂは半導体素子２底面より面積が小さいため、第１搭載パッド４ｂに塗布するダイボンディング材５量を少なくすることができ、リフロー時の第１搭載パッド４ｂの剥がれを防止することができる。また、第１搭載パッド４ｂを半導体素子２底面の面積より小さくしたことによって生じるワイヤボンディング時の搭載パッドからの剥離を第２搭載パッド６ｂにより防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームの製造に導電性金属ナノ材料を使用して省資源化を図ると共に製造過程のリードフレーム表面の酸化を防止してリードフレームと封止樹脂との間の密着性を向上させることが可能なリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に下地めっき１１が施されたリードフレーム１０のインナーリード１２の所望の領域に導電性金属ナノ材料を塗布するナノ材料塗布工程と、塗布された導電性金属ナノ材料を焼結する焼結工程とを有し、ナノ材料塗布工程の前にリードフレーム１２の下地めっき１１の全面に焼結工程の焼結温度で消失する酸化防止膜１４を形成する酸化防止膜形成工程を設け、焼結工程の後に焼結時に下地めっき１１の表面に生成した酸化膜を除去する酸化膜除去工程を設けた。 （もっと読む）