【課題】表面被覆層を有するリードフレーム用アルミニウム板条について、その半田付け性、表面被覆層の密着性及び耐熱剥離性を改善する。
【解決手段】アルミニウム板条を母材とし、その表面にジンケート処理層が形成され、さらに平均厚さが０．１〜１．０μｍのＮｉ被覆層、平均厚さが０．４μｍ以下のＣｕ被覆層、平均厚さが０．１〜１．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層、及び平均厚さが０．１〜１０．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成されたリードフレーム用アルミニウム板条。Ｓｎ被覆層はリフロー処理されていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂成形において、ダイパッドの変形が起こり難いアルミニウム素材のリードフレームと、軽量で製造コストの安い半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、アルミニウム素材を使用し、ダイパッド部に切欠き部を設けることにより、樹脂成形時におけるリードフレームの変形を抑制している。また、このリードフレームを使用して、製造したフルモールド型の樹脂封止型半導体装置とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、垂直方向に対する剥離力に対して樹脂の脱離を防止することが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】光半導体装置用リードフレームの表面側に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成し、前記凹部の内部を、その開口よりも広く形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】電子部品材は、焼きなまし処理し、引張強度を２００〜３００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを６５〜１００にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージ用リードフレーム、発光素子パッケージ、及び発光素子パッケージを採用した照明装置を提供する。
【解決手段】発光素子パッケージ用リードフレーム、発光素子パッケージ、及び発光素子パッケージを採用した照明装置が開示され、該リードフレームは、複数の発光素子チップを搭載する搭載部と、搭載される発光素子チップを回路連結する連結部と、連結部から延びた端子部と、を含み、該発光素子パッケージは、かようなリードフレーム上に複数の発光素子チップが直接実装されてパッケージングされたものであり、該リードフレームは、複数の発光素子チップを回路連結する連結部と、回路の一部が外部に露出される端子部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】制御用ICの温度センサが良好に機能し、パワー半導体チップを良好に制御する事のできる半導体モジュールを実現する。
【解決手段】第１のリード端子（リード端子２１〜２４）は、第１の放熱板３１の第１の側面に連結されており、パワー半導体チップ４１の裏面電極（Ｄ：ドレイン電極）の取り出し電極として機能する。第２のリード端子（リード端子２５）は、ソース電極（Ｓ）となるボンディングパッド４１１に接続される。第３のリード端子（リード端子２６〜２８）は、制御用ＩＣチップ４２の電極と接続されている。モールド樹脂はフィラーの含有率が８０重量％から９０重量％とし、温度センサへの熱の伝達を良好にしている。 （もっと読む）

【課題】従来技術によれば、半導体素子が樹脂で封止されたパッケージ型半導体と、配線基板とを接続する、はんだもしくは導電性接着剤部分においては、その厚みを一定厚確保し、かつパッケージ型半導体の傾きを抑制することについて考慮されていない。
【解決手段】パワー系半導体装置は、金属板と、金属板の上に設置された絶縁層と、絶縁層の上に設置された導体回路パターンと、導体回路パターンのうち回路構成部品が装着される部分以外を覆うレジスト層と、導体回路パターンの上に設置されたダイパッドと、ダイパッドの上に、はんだもしくは導電性接着剤を介して接着されたパワー系半導体素子と、パワー系半導体素子を覆う樹脂と、パワー系半導体素子と外部を接続する端子と、を備え、更に、金属板に押し出し加工によって設けられた突起部を備える。 （もっと読む）

【課題】特に近紫外領域の反射率特性が良好であり、長期に輝度の低下が生じない光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、最外層として金、金合金、パラジウム、およびパラジウム合金からなる群から選ばれた金属またはその合金からなる表層を有し、該表層と前記銀または銀合金からなる層との間に、前記表層の主成分である金属材料と銀との固溶体層が形成され、前記固溶体層は、前記表層側から濃度分布を有する光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】高放熱性を有しながら、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることを目的とする。
【解決手段】裏面端子を表面側まで延伸させて放熱性を確保する裏面実装形半導体装置等において、樹脂部２からリードフレーム（２０１，３０１）の一部を露出させて押さえ部２０５を形成することにより、押さえ部２０５を支点として外部リード（４０３，５０３）の曲げ加工を行うことができるため、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発熱性の半導体素子を含む半導体装置において、簡易な構成により放熱性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供するとともに、経済性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子３と制御部品２とを金属からなる配線部材１１、１１０、１２、１２０に実装し、樹脂モールド７によって半導体素子３と制御部品２と配線部材１１、１１０、１２、１２０の所定の範囲とを覆い、一体のパッケージモジュール１０となして、樹脂モールド７から引き出された配線部材の一部１１、１２をパッケージモジュール１０が収納される筐体２０の底部２２０から露出せしめて、外部に接続するコネクタ端子に利用する。 （もっと読む）

本発明は、電子部品用リードフレームおよび対応する製造方法を特定し、そこにおいて、ボンディング可能な材料の個々の予め作製しておいたセグメントを、打ち抜かれたリードフレーム上に溶接することによって、ボンディングアイランドが形成される。
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本明細書には、マイクロ電子ダイパッケージ、ダイパッケージの積層型システム、ならびにそれらの製造方法が開示される。ある実施形態では、積層されたパッケージのシステムは、底面と、第１の誘電性ケーシングと、第１の金属リードとを有する第１のダイパッケージと；第１のパッケージの底面に付着される上面と、側面を備える誘電性ケーシングと、第１の金属リードと整列されかつそれに向かって突き出し、ならびに外面と、側面の方を概ね向く内面部分とを含む、第２の金属リードとを有する第２のダイパッケージと；個々の第１のリードを個々の第２のリードに結合する金属はんだコネクタとを含む。さらなる実施形態では、個々の第２のリードは、「Ｌ」字型であり、かつ対応する個々の第１のリードに物理的に接触する。別の実施形態では、個々の第２のリードは、「Ｃ」字型であり、かつ第２のケーシングの側面に向かって突き出る、段になった部分を含む。
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【課題】 従来の生産性を維持しながら、成形体の寸法に関わらず原材料の無駄を低減することが可能なリードフレーム成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のリードフレーム成形体は、複数の開口部を有する略長方形のリードフレームと、リードフレームの少なくとも一部を内包するとともに発光素子を載置可能な凹部を有する樹脂からなる複数の成形体と、を有するリードフレーム成形体であって、複数の成形体は、リードフレームの短辺方向において、３以上の奇数列で設けられていることを特徴とする。これによって、理リードフレーム成形体の設計の自由度を向上させることができ、また、原材料の無駄を低減して、規定のリードフレームを用いて効率よく成形体を得ることができるため、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】多層基板であっても半田上がりをより向上させることができる電子部品を提供する。
【解決手段】リード端子部３の電子部品素子本体２側と先端側とにおいて端子の断面積を変えることにより、電子部品素子本体２の熱伝導性と半田付け部の熱伝導性をそれぞれ変えるようにした。これにより、電子部品素子本体２よりも半田付け部の方が多くの熱を取り込むことができるようになり、たとえ電子部品素子本体２に熱を奪われても、半田付け部で取り込んだ熱の方が奪われる熱よりも上回り、結果的に溶融半田の温度低下を防ぐことが可能になる。 （もっと読む）

１つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージ。パッケージは、対向する第１側面及び第２側面を有し、複数の導電バイアと、中央に配設され第１側面から第２側面に延びる開口を有する誘電体基板を含む。ヒート・スラグは、開口を貫通する中央部分、基板の第１側面に隣接し開口断面積より大きい断面積を有する第１部分、及び基板の第２側面に隣接する対向する第２部分を有する。半導体デバイスが、ヒート・スラグの第１部分に接合され、導電バイアに電気的に相互接続される。第１側面及び対向する第２側面を有するヒート・スプレッダが、半導体デバイスから間隔を置き、ヒート・スラグとほぼ平行に配置され、それにより、半導体デバイスが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグの間に配設される。成形樹脂により、半導体デバイス、少なくとも基板の第１側面、ヒート・スラグの第１部分、及びヒート・スプレッダの第１側面が封入される。
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成形後めっきされる半導体デバイスは、チップ・マウント・パッドと、カンチレバー状リード部分を有さない複数のリード・セグメントとを含む構造を備えたアルミニウム・リードフレーム（１０５）を有する。チップ・マウント・パッドに半導体チップ（２１０）が取り付けられ、導電性接続（２１２）がチップからリード・セグメントのアルミニウムまで達している。成形化合物などの重合体封止材料（２２０）が、チップ、導電性接続、及びアルミニウム・リード・セグメントの一部を、カンチレバー状セグメント部分を残すことなく覆う。デバイス個片化工程によって（２０３ｂ）に形成されるアルミニウム・セグメント面を含む、リード・セグメントの封止材料によって覆われていない部分上に、好ましくは無電解めっきによる亜鉛層（３０１）及びニッケル層（３０２）があり、ニッケル層の上に、好ましくはパラジウムである貴金属の層（３０３）がある。 （もっと読む）

リードフレームが提供される。このリードフレームは、半導体チップと電気的に接続される複数のリードと；前記複数のリード上部に配置され、インナーリードの熱膨張係数と類似の材質で形成されるベース層と、前記ベース層と前記複数のリードとの間に配置され、前記複数のリードを固定させるとともに前記ベース層を前記リードに接着させる接着層とを備えるリードロックと；前記半導体チップと前記リードロックのベース層を電気的に接続させる少なくとも一つのラインと；を含む。バスバー領域をリードロックに取り替えることで、バスバー領域を除去して、リードフレームの小型化が可能であり、熱的安全性及び寸法安定性が優秀である。
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本発明は、ヒートパイプを備える発光素子及び発光素子用のヒートパイプリードの製造方法に関する。また、本発明は、ヒートパイプリードまたは電極と、ヒートパイプリードまたはヒートパイプ電極の上に実装された発光チップとを備える発光素子を提供する。さらに、本発明による発光素子は、ヒートパイプリードまたは電極の端部に放熱板、熱電素子などの放熱部材をさらに設ける。これにより、ヒートパイプリードまたは電極を通じて既存のものに比べて一層高い放熱効果が得られる結果、照明用の素子の熱的ストレスを低減することができ、しかも、外部の不純物が発光素子の内部に浸透するといった現象を防ぐことができる。加えて、ヒートパイプの外側に放熱部材をさらに配設することにより冷却効率及び発光チップの発光効率を極大化させることができる。
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