Fターム［5F083AD21］の内容
Fターム［5F083AD21］の下位に属するFターム
横フィン型 (30)
王冠型（縦フィン型） (807)
コンタクトホール部を利用したもの（コンタクト部に切込） (109)
ストレージ電極の厚膜化（側面積の増加） (125)
複数の層間絶縁膜のエッチングレート差の利用 (6)
複数の導電膜のエッチングレート差の利用 (2)
ビット線層の上部にキャパシタを形成（ＣＯＢ） (490)
平坦化層間絶縁膜上にキャパシタ形成 (552)
Fターム［5F083AD21］に分類される特許
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半導体装置およびその製造方法
【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜を、３．０〜３．１ｇ／ｃｍ3 、あるいはそれ以上の密度に形成する。
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