半導体メモリストレージセルにおいてリーク電流を減らすための方法と構造が記載される。垂直配向ナノロッド（403）が、アクセストランジスタ（400）のチャネル領域で使用され得る。ナノロッドの直径は、アクセストランジスタのチャネル領域内の電子バンドギャップエネルギーの増加を引き起こすために十分小さくすることができ、これはオフ状態でのチャネルリーク電流を制限するように機能し得る。様々な実施形態では、アクセストランジスタは両面キャパシタ（425）に電気的に結合し得る。本発明の実施形態に従うメモリデバイス、およびそのようなデバイスを含むシステムもまた開示される。
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【課題】ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが接続するドレイン領域において、トランジスタ特性を悪化させる不具合が生じないＣＭＯＳデバイスを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上の半導体領域に形成されたソース領域１８Ａと、ドレイン領域１７Ａとを有するｎチャネルＭＩＳトランジスタと、半導体領域に形成されたソース領域１８Ｂと、ドレイン領域１７Ｂと有するｐチャネルＭＩＳトランジスタとを具備する。ドレイン領域１７Ａと１７Ｂとが接続するように配置されると共に、同一の材料で形成され、ソース領域１８Ａ，１８Ｂの少なくともいずれかがドレイン領域１７Ａ，１７Ｂと異なる材料で形成されている。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス・トランジスタおよび製作方法の性能および製造可能性を強化するための新たな技術を提供する。
【課題】
【解決手段】トランジスタ装置およびそれを形成する方法であって、基板と、基板上の第１のゲート電極と、基板上の第２のゲート電極と、第２のゲート電極に重なり合うフランジ付き端部の対を備えるランディング・パッドとを備え、第２のゲート電極の構造は、ランディング・パッドの構造と不連続である。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）トランジスタを用いる半導体装置のレイアウト面積を縮小する。
【解決手段】 半導体装置は、第１の電極１０３と、第１の層間絶縁膜１０４を挟み第１の電極に対向する第２の電極１０６と、第１及び第２の電極間を貫通する第１のＣＮＴ部１０８と、第１の層間絶縁膜１０４と第１のＣＮＴ部１０８との間に介在する第１のゲート絶縁膜１０７と、第１の層間絶縁膜１０４中に形成され且つ第１のゲート絶縁膜１０７に接する第１のゲート電極１０５とを備える。更に、第２の層間絶縁膜１１４を挟み第２の電極と対向する第３の電極１１６と、各々第１のものと同様に構成された第２のゲート絶縁膜１１７、第２のＣＮＴ部１１８及び第２のゲート電極１１５を備える。各々の電極、ゲート絶縁膜、ＣＮＴ部、ゲート電極により、垂直に配置された第１及び第２の電界効果トランジスタ１５１及び１５２が構成されている。 （もっと読む）

【課題】 位置ずれの問題を克服する新規のデュアルＦＵＳＩゲート形成プロセスを提供する。
【解決手段】 １つのリソグラフィ段階しか必要としない、ＣＭＯＳデバイスにおいて自己整合デュアル・フルシリサイド・ゲートを形成する方法であり、本方法は、半導体基板（２５２）の中の第１のウェル領域（２５３）、第１のウェル領域（２５３）の中の第１のソース／ドレイン・シリサイド・エリア（２６６）、及び第１のソース／ドレイン・シリサイド・エリア（２６６）から分離された第１のタイプのゲート（２６３）を有する第１のタイプの半導体デバイス（２７０）を形成するステップと、半導体基板（２５２）の中の第２のウェル領域（２５４）、第２のウェル領域（２５４）の中の第２のソース／ドレイン・シリサイド・エリア（２５６）、及び第２のソース／ドレイン・シリサイド・エリア（２５６）から分離された第２のタイプのゲート（２５８）を有する第２のタイプの半導体デバイス（２８０）を形成するステップと、第２のタイプの半導体デバイス（２８０）の上に第１の金属層（２１８）を選択的に形成するステップと、第２のタイプのゲート（２５８）のみの上で第１のフルシリサイド（ＦＵＳＩ）ゲート形成を行うステップと、第１及び第２のタイプの半導体デバイス（２７０、２８０）の上に第２の金属層（２７５）を堆積させるステップと、第１のタイプのゲート（２６３）のみの上で第２のＦＵＳＩゲート形成を行うステップとを含む。 （もっと読む）

メモリデバイスはメモリセルのアレイと周辺デバイスを含んでいる。少なくとも一部の個別メモリセルはＳｉＣを含む炭酸化部分を含んでいる。少なくとも一部の周辺デバイスは炭酸化部分を含まない。トランジスタは第１ソース/ドレーン、第２ソース/ドレーン、第１ソース/ドレーンと第２ソース/ドレーンとの間にＳｉＣを含む半導体基板の炭酸化部分を含んだチャンネル、及びチャンネルの両側と作動式に関係するゲートを含んでいる。 （もっと読む）