【課題】 なし
【解決手段】
半導体ナノクリスタルヘテロ構造は、第二半導体物質のオーバーコーティングにより囲
まれた、第一半導体物質のコアを有する。励起によって、一のキャリアを、該コアに実質
的に閉じ込めることができ、かつ他のキャリアを、該オーバーコーティング層に実質的に
閉じ込めることができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作成が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装
置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半
導体装置及びその作製方法を提供する。また、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記
が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。絶縁層上に設けられ
た複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記
憶素子とを有する。複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした
電界効果トランジスタである。複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層
と、第２の導電層が順に積層された素子である。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
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【課題】
半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。
【解決手段】
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ構造により発生したキャリアの移動をコントロールすることで、長時間安定な光双安定メモリを実現する。
【解決手段】本発明は、高速動作が可能なキャリアプラズマ分散効果を用いた光双安定動作に基づいた光メモリを、フォトニック結晶の前記光共振器部位を挟んで対向する２つの領域に、キャリアを引き抜くためのＰ形半導体領域、Ｎ形半導体領域の２つの電極を設け、電界を印加する構造とし、生成したキャリアが非発光再結合して熱に変わる前に高速に共振器の外に引き出すことで、熱の発生を抑え、メモリ保持時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体からなる半導体層を用いたいわゆるＭＯＳ型の素子において、新たに見い出された半導体層での受光によるＶｇ−Ｉｄ特性の不揮発的な変化を利用した受光量の検知を行うことが可能な光センサー素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体からなる半導体層１７に対してゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３が積層され、当該半導体層１７にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが接続された光センサー素子１ａにおいて、半導体層１７での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。ドレイン電流値の読み出しは、半導体層１７が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ以上の大きな電圧を印加しなくても、チャネルボディに電荷を蓄積させることの可能な記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置１は、ＭＯＳトランジスタ１０および光照射装置２０を備える。ＭＯＳトランジスタ１０は、半導体基板１１上に絶縁膜１２および半導体層１３を半導体基板１１側からこの順に積層してなるＳＯＩ基板の半導体層１３に形成されており、半導体層１３のうちゲート電極１５直下の部位に、電気的に浮遊したチャネルボディ１８を有している。光照射装置２０は、半導体基板１１の裏面側に配置されており、レンズ２１および光源２２を半導体基板１１側からこの順に配置して構成されている。光照射装置２０は、光源２２から発せられた光を、レンズ２１を介してチャネルボディ１８に照射する。 （もっと読む）

【課題】 電圧を印加しなくても、テラヘルツ帯域の周波数成分を含む電磁波を放出する光電磁波変換方法および装置を提供する。
【解決手段】 本発明の光電磁波変換方法は、強誘電体層３を形成する強誘電体に、前記強誘電体のバンドギャップを超えるエネルギーのパルス光７を照射し、前記強誘電体からテラヘルツ帯域の周波数成分を含む電磁波８を放出させる。前記パルス光がフェムト秒パルス光であってもよい。前記強誘電体が、ペロブスカイト型強誘電体であってもよい。 （もっと読む）

【課題】高速処理を実現することができる光メモリを提供する。
【解決手段】光信号ＯＳと光クロック信号ＯＣＳによりキャリア発生層１４２で生成されたキャリアのうち、電子は、第１ｎ型領域１４１に保持される。この電子は、ゲート電極１５２に対する電圧印加により、第２ｎ型領域１６１に移動し、キャリア結合層１６２において第２電極１６３から供給される正孔と結合し、再生光信号ＲＯＳが発光する。このように、第１電極１４４および第２電極１６３に対するバイアス印加およびゲート電極１５２に対する電圧印加のみで光信号ＯＳの保持および再生ができ、従来のように制御回路を必要とする記憶装置を必要としないので、結果として、信号処理を高速に行うことできる。 （もっと読む）

本発明は、チエノチアゾール基を含む新規なモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物、これらの半導体または電荷輸送材料としての、光学、電気光学または電子デバイスにおける使用、並びに、該新規化合物を含む光学、電気光学または電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】 粒径１００ｎｍ以下の微粒子を挟んだ電極間の絶縁信頼性を高めること。
【解決手段】 微粒子201と、上部電極103と、下部電極104と、誘電体102、微粒子201と同程度の直径を有する柱状導電体202とを備え、孔の開いた誘電体102内部に柱状導電体202を埋め込む際に発生する凹部に微粒子201を捕捉させ、微粒子201と柱状導電体202を直列に接続することにより、上下電極間の誘電体102の厚さが微粒子のサイズより十分大きくなるので上下電極間の短絡が防止され、歩留まりの向上および装置の信頼性が高まる。 （もっと読む）

【課題】 高速光メモリ素子において、メモリ素子の速度を高めるため、光パルスは、電気信号に変換されることなくすべて光学的に非常に高速で記録され、読み取られる。光誘導スピン蓄積が記録に用いられる。
【解決手段】 強磁性金属が、高速メモリ素子として作用する光導波路に組み込まれる。強磁性金属は、片側は導体、もう片側は後に導体が続くトンネル障壁の間に挟まれている。上記２つの導体間には電圧が印加される。データの記録には、光誘導スピン偏極トンネリングおよびスピン蓄積が任意に用いられる。光誘導スピン偏極トンネリングは、円偏光の吸収により生ずる。蓄積されたスピンのトルクによって、強磁性金属の磁化は、反転される。読み取りには、半導体と強磁性金属との混成物におけるファラデー回転または非可逆性損失／利得が用いられる。 （もっと読む）