【課題】ＳＯＩ技術を取り入れたＣＭＯＳデバイスにおける浮遊ボディの影響を抑制可能とする。
【解決手段】極薄シリコン・オン・インシュレータ構造においてＮＲＯＭフラッシュメモリセルを実現する。平面型デバイスでは、ソース／ドレイン領域間のチャネルが通常時に完全空乏化されている。ソース／ドレイン領域と上方のゲート絶縁層との間に酸化物層を形成することで絶縁層を設ける。制御ゲートがゲート絶縁層の上部に形成される。縦型デバイスでは、ソース／ドレイン領域に側面が接する酸化物柱状体を基板から延伸させる。エピタキシャル再成長により、酸化物柱状体の側面に沿って極薄シリコンボディ領域が形成される。本構造の上部には、第２のソース／ドレイン領域が形成される。さらにその上部にゲート絶縁層及び制御ゲートが形成される。 （もっと読む）

【課題】 多ビットのデータを入出力可能であって、動作速度の遅延や消費電力の増大を抑えたＤＲＡＭを提供する。
【解決手段】 このＤＲＡＭでは、多数のグローバル入出力線対ＧＩＯがサブワードドライバ領域２４間のメモリセルアレイ上を走る。ローカル入出力線対ＬＩＯはメモリサブブロック２６ごとに複数に分割される。グローバル入出力線対ＧＩＯとローカル入出力線対ＬＩＯを接続するスイッチング素子３０はセンスアンプ領域２２上に分散して配置される。１つのローカル入出力線対ＬＩＯには複数のビット線対が共通に接続される。 （もっと読む）