スイッチングの再現性が高く、かつ、オン状態での高い電流値が得られるスイッチング素子を提供する。
このスイッチング素子は、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ双安定材料層３０が、第１電極層２０ａと第２電極層２０ｂとの間に薄膜として配置され、双安定材料層３０がフラーレン類からなり、電極のうち少なくとも一方が金を含有する電極である。フラーレン類はＣ６０及び／又はＣ７０であることが好ましく、双安定材料層３０の厚さが１０オングストローム〜１００μｍであることがより好ましい。 （もっと読む）

転移確率を高くしてスイッチング特性を安定化した、双安定特性を持つスイッチング素子を提供する。
少なくとも２つの電極間に、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定化合物を含む有機双安定材料層３０を配置してなるスイッチング素子であって、基板１０上に、第１電極層２０ａ、電荷注入抑制層４０、有機双安定材料層３０、第２電極層２０ｂの順に薄膜として形成され、電荷注入抑制層４０が、第１電極層２０ａから有機双安定材料層３０への電荷注入量を、電荷注入抑制層４０を設けずに第１電極層２０ａから有機双安定材料層３０へ直接電荷注入する場合に比べて小さくする導電層からなる。 （もっと読む）

リソグラフィー形状に関連付けて、メモリセルの数を増加させるシステム及び方法が開示されている。システムは、種々の堆積プロセス及びエッチングプロセスを用いることにより、リソグラフィー形状のサイドウォール上に作製されたメモリ素子を備えている。サイドウォールメモリセル（１１５）はウェハ（８０６）のビット線（６１０）を第１の電極（１０４，１５０２）として持つことが可能であり、形成された第２の電極（１１０，１５０４）とともに、その間に形成された有機物質の一部を作動させるように動作可能である。
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スイッチング素子のｏｎ状態における電流密度を大きくし、かつ、遷移電圧が高いスイッチング素子を提供する。
電極間に印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つスイッチング素子において、基板１０上に第１電極層２１ａ、有機双安定材料層３０、第２電極層２１ｂの順に薄膜として形成され、有機双安定材料層３０が、電子輸送性の有機双安定材料からなる主成分と、電子供与性化合物からなる添加成分とを含む。 （もっと読む）

本発明はメモリセルとして利用できる選択的導電性有機半導体（例えば、ポリマー）デバイスを提供する。導電性ポリマー（２２）を含むポリマー溶液は導電性電極（２６）に関してセルフアセンブルする。最短の導電性経路を実現できるように、処理はセルフアセンブルを行うことができる。方法において、導電面（２６）に導電性ポリマー（２３）の濃縮液を堆積し、熱と、任意に真空を与えて、導電性ポリマー（２２）を有機半導体にセルフアセンブルさせる。有機半導体は、２つもしくはそれ以上の電極を有する構造を形成し、一方で各電極間のパッシブデバイスに沿って有機半導体を利用して、シングル及びマルチセルメモリデバイス内に用いられてよい。パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。
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【課題】 転移確率を高くしてスイッチング特性を安定化した、双安定特性を持つスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極間に、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定化合物を含む有機双安定材料層を配置してなるスイッチング素子であって、基板１０上に、第１電極層２０ａ、金属微粒子含有層４０、有機双安定材料層３０、第２電極層２０ｂの順に薄膜として形成され、金属微粒子含有層４０が、金属微粒子と有機双安定化合物とを含む層である。 （もっと読む）

本発明は、ビア内にポリマーメモリデバイスを製造する方法に関する。この方法は、少なくとも１つの金属を含む層をその上に備える半導体基板を提供するステップと、この金属を含む層中に少なくとも１つの銅コンタクトを形成するステップと、銅コンタクト上に少なくとも１つの絶縁層を形成するステップと、絶縁層に少なくとも１つのビアを形成し、銅コンタクトの少なくとも一部を露出するステップと、ビアの下側部分にポリマー材料を形成するステップと、ビアの上側部分にトップ電極材料層を形成するステップとを含む。
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２つの電極（１０６、２０６、１０８、２０４）間に制御可能な導電媒体（１１０）を備える２つの電極で作られるメモリセル（１０４）を開示する。制御可能な導電媒体（１１０）は、活性低導電層（１１２）及び受動層（１１４）を備える。制御可能な導電媒体（１１０）は、電界の印加のような外部刺激が供給されると、インピーダンスか変わる。メモリデバイス／セルの作製方法、メモリデバイス／セルの使用方法、及び、メモリテバイス／セルを含むコンピュータのようなテバイスの使用方法も開示する。
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【課題】 ペロブスカイト型酸化物を用いて良好なトンネル接合を実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果型素子を提供する。
【解決手段】 式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1M_nO_3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)₂層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、この酸化物を挟むようにこれに接して形成された一対の強磁性体と、を含む磁気抵抗効果型素子とする。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも１種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも１種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも１種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは１、２または３であり、x、zは、それぞれ、−１≦x≦１、０≦z＜１により示される範囲内の数値である。 （もっと読む）