【課題】環境負荷が小さく且つ新規な手法により比較的小さな電界で大きな圧電歪を得ることができる液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層７０と、圧電体層７０に電界を印加する電極６０，８０と、を具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、引張り応力により菱面晶から単斜晶へ変化しており、駆動時において、電界を印加することにより圧電体層７０が単斜晶から菱面晶へ変化する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備え、圧電体層７０は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層７０に駆動電圧Ｖ_ａを印加したときの変位量をＺ_ｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ_０としたとき、（Ｚ_ｍａｘ−Ｚ_０）／Ｖ_ａが７０ｐｍ／Ｖ以上且つ比誘電率が７００以下である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い（例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い）という問題をはじめとして、ＰＺＴ層から酸化物導電体層にＰｂ原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター２０は、チャネル層２８と、チャネル層２８の導通状態を制御するゲート電極層２２と、チャネル層２８とゲート電極層２２との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層２５とを備え、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５は、ＰＺＴ層２３と、ＢＬＴ層２４（Ｐｂ拡散防止層）とが積層された構造を有し、チャネル層２８（酸化物導電体層）は、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５におけるＢＬＴ層（Ｐｂ拡散防止層）２４側の面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有害な界面層を形成する追加の酸化が生じない、高い誘電率の誘電体を備えたＭＩＭＣＡＰ構造を提供する。
【解決手段】電子デバイスが、第１電極と、チタン酸化物および第１ドーパントイオンを含む誘電体材料層とを含む。誘電体材料層は、第１電極の上に形成される。第１ドーパントイオンは、Ｔｉ^４＋イオンと比べて１０％またはそれ以下のサイズ不整合を有し、誘電体材料は、６５０℃未満の温度でルチル正方結晶構造を有する。電子デバイスは、誘電体材料層の上に形成された第２電極を備える。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子を提供する。
【解決手段】弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０、圧電体層７０、及び第２電極８０を備えた圧電素子３００を具備し、圧電体層７０は、少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、チタンとバリウムのモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が１．１７以上１．４５以下である。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド（チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物）を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイス中の酸素拡散バリアとしてＲｕおよび／またはＲｕＯ２を選択的に形成する方法と、そのようなＲｕ系拡散バリアを有するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】ＭＩＭキャパシタ構造を形成する方法は、導電性の下部電極プラグ３３を露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのＲｕ成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にＲｕ５０を選択成長させる工程と、選択成長したＲｕ５０を酸化する工程と、酸化したＲｕ５０の上にＲｕ含有下部電極６０を堆積する工程と、Ｒｕ含有下部電極６０の上に誘電体層７０を形成する工程と、誘電体層７０の上に導電性の上部電極７１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む前駆体溶液であって、水溶液とした場合にｐＨが７以上である前駆体溶液３１を下電極２０上に塗布し、塗布した前駆体溶液３１を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する。圧電素子の製造方法は、圧電セラミックス３０に電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つ歪み量の大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０、弾性膜５０、密着層５６、電極６０を形成する工程と、電極６０の上方に、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含む前駆体溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜を実温１６５℃以上１８５℃以下の温度で加熱する乾燥工程と、乾燥工程の後、実温３３０℃以上４４０℃以下の温度で加熱する脱脂工程と、脱脂工程の後、脱脂した塗布膜を加熱して結晶化させ圧電膜７２を形成する結晶化工程、を具備し、所定厚さの圧電層７０を形成する。 （もっと読む）

【課題】誤書き込み、及び誤動作を防止し、高信頼化、及び高密度化が可能な抵抗変化素子の提供。
【解決手段】第一の電極（２０１）と、抵抗変化膜（２０２）と、第二の電極（２０３）と、中間絶縁膜（２０４）と、制御電極（２０５）と、をこの順に積層した積層構造を備え、前記抵抗変化層（２０２）と前記中間絶縁膜（２０４）が直接接していない。 （もっと読む）

【課題】素子特性を劣化させることなく、半導体材料または絶縁膜の結晶特性を改善することができる低温アニールを用いた半導体装置の製造方法、並びに、このような低温アニールに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板の上方に設けられた金属からなる下部電極と、下部電極の上方に設けられた金属からなる上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられた結晶層とを備える。下部電極および上部電極の各膜厚は、結晶層の結晶化に用いられるマイクロ波の周波数に対応する表皮効果における表皮層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】非選択メモリセルに流れる逆方向電流を低減させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択第１配線に選択第１配線電圧を供給し、非選択第１配線に非選択第１配線電圧を供給する第１配線制御回路と、アクセス対象となるメモリセルに接続された第２配線である選択第２配線に選択第２配線電圧を供給し、その他の第２配線である非選択第２配線に非選択第２配線電圧を供給する第２配線制御回路とを備え、メモリセルは、第１ダイオードのアノード側に第２配線が接続され、第１ダイオードのカソード側に第１配線が接続され、メモリセルアレイは、第２配線制御回路及びメモリセル間の第２配線に挿入され、第２配線制御回路側をアノード、メモリセル側をカソードとする第２ダイオードを有することを特徴とする。 （もっと読む）