【課題】 従来、例えば、ゲート絶縁膜としてＳiＯ₂を使用したＭＯＳＦＥＴは、その絶縁耐圧によってゲート絶縁膜に誘起できる電荷量が制限され、低い駆動電圧で大きな電流を制御することが困難であった。
【解決手段】 制御電圧が印加されるゲート電極３と、該制御電圧によって導通状態が制御されるソース電極４およびドレイン電極５とを有する固体電子装置であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極間にチャネルを生成するチャネル層１と、前記ゲート電極および前記チャネル層の間に設けられ、等価的な比誘電率が大きい誘電体材料で構成されたゲート絶縁膜２と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 メモリセルアレイの読み出し時にメモリセルに印加される電圧パルスによってメモリセルに含まれる可変抵抗素子の抵抗値が変化して読み出し不良に陥るのを防止した不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 メモリセルアレイ１５の中からメモリセルを行単位、列単位、または、メモリセル単位で選択するメモリセル選択回路１７と、メモリセル選択回路１７により選択された選択メモリセルの可変抵抗素子に読み出し電圧を印加する読み出し電圧印加回路２２ａと、選択メモリセルの内の読み出し対象メモリセルに対し当該可変抵抗素子の抵抗値に応じて流れる読み出し電流の大小を検知して、読み出し対象メモリセルに記憶されている情報を読み出す読み出し回路２３とを備え、読み出し電圧印加回路２２ａは、読み出し電圧とは逆極性のダミー読み出し電圧を選択メモリセルの可変抵抗素子に印加する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の有機金属化学気相堆積法において、成膜時のパーティクル発生を抑制する。
【解決手段】支持基板(52)上に強誘電体膜(58)を成膜する方法において、ガス状にされた強誘電体材料の原料を、表面の温度が前記原料の凝結温度以上に保持された複数の輸送用部材(56C,56D,70)の中空部分を通して前記支持基板上に輸送する工程と、前記中空部分の体積がそれぞれ異なり、前記中空部分の温度が相対的に高温に保持された輸送用部材と、前記中空部分の温度が相対的に低温に保持された輸送用部材を隣接させて接続し、前記相対的に高温に保持された輸送用部材の中空部分の温度と、前記相対的に低温に保持された輸送用部材の中空部分の温度との温度差を、前記相対的高温に保持された輸送用部材の中空部分の温度の半分以下となるように保持する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 ストロンチウム源とルテニウム源からなる原料粉を仮焼成し、仮焼粉を粉砕成形し、１５５０〜１７５０℃で焼結する方法において、上記ルテニウム源として、最大粒子径が１０５μｍ以下、Ｄ５０が５〜２５μｍの金属ルテニウム粉末を用いる。仮焼粉を粉砕する際の媒体は脱水アルコールが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
電圧パルス印加により電気抵抗が変化するペロブスカイト型酸化物を備えてなる可変抵抗素子に対して可逆的な抵抗変化動作が安定して持続可能な駆動方法を提供する。
【解決手段】
可変抵抗素子は第１電極１と第２電極３の間にペロブスカイト型酸化物２を設けて形成され、第１電極１と第２電極３間に一定極性の電圧パルスを印加することにより第１電極１と第２電極３間の電気抵抗が変化し、更に、電圧パルスの印加における累積パルス印加時間の増加に対して抵抗値の変化率が正から負へと変化する抵抗履歴特性を有する。累積パルス印加時間が、抵抗履歴特性における累積パルス印加時間の増加に対する抵抗値の変化率が正から負へと変化する特定累積パルス印加時間を越えないように可変抵抗素子に電圧パルスを印加する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリに用いる有機双安定素子を提供する。
【解決手段】 有機双安定素子１０は、金属ナノクラスタ層１３が第１、第２の有機層１２，１５の間に配置された状態で前記第１、第２の有機層１２，１５を間に挟んだ第１、第２の金属電極１１，１６を備える。前記素子は、前記金属ナノクラスタ層１３と前記金属電極の１つ１６との間に配置された第１の電子ブロック層１４を更に備える。このような構造により、改善された電荷保持特性を有する有機双安定素子が得られる。 （もっと読む）

本発明は、トランジスタ２２及びキャパシタ２３を含んでいる不揮発性強誘電体メモリ装置３０に関し、特に、不揮発性で、電気的に消去可能、かつプログラム可能な強誘電体メモリ素子及びそのような不揮発性強誘電体メモリ装置３０を生産する方法に関する。本発明による方法は、トランジスタ２２のゲート誘電体層及びキャパシタ２３の誘電体層は同一の有機又は無機強誘電体層から作られるので、限られた数のマスクステップを含む。
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