導電性ポリマー電極を有する強誘電体メモリモジュールの製造方法と該方法に従って製造される強誘電体メモリモジュールとが開示される。強誘電性ポリマーメモリモジュールは、内部にトレンチを規定するＩＬＤ層（102）；トレンチ内に配置された第１電極層（104）；第１電極層（104）上に配置された第１導電性ポリマー層（106）；第１導電性ポリマー層（106）上に配置された強誘電性ポリマー層（108）を含む第１レイヤーセットを有する。該モジュールは更に、内部にトレンチを規定するＩＬＤ層（114）；ＩＬＤ層（114）のトレンチ内に配置された第２導電性ポリマー層（112）；第２導電性ポリマー層（112）上に配置された第２電極層（116）を含む第２レイヤーセットを有する。第１導電性ポリマー層（106）及び第２導電性ポリマー層（112）は、電極層（104、116）と強誘電性ポリマー層（108）との間に反応障壁及び／又は拡散障壁をもたらすように電極層（104、116）を覆う。
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【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

有機ポリマー層（１１６、２１０８、２１３２、２１６８）と、第１の伝導性（例えば、銅）層（例えば、ビット線）（１０４、１０８）の上方に形成された電極層（１２０、２１１２、２１２８、２１６４）とを有する有機ポリマーメモリセルが提供される。メモリセルは、第２の導電層（例えば、ワード線を形成する）（１３６、２１４８、２１６０）に接続され、さらに詳しく言えば、メモリセルの電極層の上部は、第２の導電層に接続される。任意に、導電層の上方に、伝導促進層（１１２、２１３６）が形成される。誘電材料はメモリセルを分離する。メモリセルは、第１の導電層に形成されたビット線と、第２の導電層に形成されたワード線と自己整合される。
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【課題】 製造効率を低下させることがなく、かつ、水素拡散防止の機能が確保できる水素拡散防止膜を備え、微細化しても水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 下部電極１０１ｃ、下部電極１０１ｃの上面に設けられた強誘電体膜１０１ｂ、強誘電体膜１０１ｂの上面に設けられた上部電極１０１ａを有するキャパシタ１０１、キャパシタ１０１と所定の間隔ｄを隔て、かつ、キャパシタ１０１を包囲して設けられる包囲部材１０３、キャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に生じる空間を含む包囲空間３０３によって成形され、この包囲空間３０３にあって強誘電体膜１０１ｂへの水素拡散を防止する水素拡散防止部材１０５とを強誘電体メモリに設ける。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の絶縁膜２６と、ソース／ドレイン拡散層２２に達する第１のコンタクトホール２８ａ内に埋め込まれた第１の導体プラグ３２と、第１の絶縁膜上に形成されたキャパシタ４４と、第１の絶縁膜上に、キャパシタを覆うように形成された第１の水素拡散防止膜４８と、第１の水素拡散防止膜上に形成され、表面が平坦化された第２の絶縁膜５０と、第２の絶縁膜上に形成された第２の水素拡散防止膜５２と、キャパシタの下部電極３８又は上部電極４２に達する第２のコンタクトホール５６内に埋め込まれた第２の導体プラグ６２と、第１の導体プラグに達する第３のコンタクトホール５８内に埋め込まれた第３の導体プラグ６２と、第２の導体プラグ又は第３の導体プラグに接続された配線６４とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

有機メモリセルの製造中などに実施されうるものなど、導電層上にパッシブ層を形成するためのシステムおよび方法が開示され、これは、一般に、従来の無機メモリデバイスに固有の不具合を低減させる。パッシブ層は硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）などの導電促進化合物を含み、これは、導電材料の上部から形成される。この導電材料はメモリセルにおいて下部電極として作用し、導電材料の上部が、フッ素（Ｆ）系ガスから生成されたプラズマによる処理によってパッシブ層に変換されうる。
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本発明は、トランジスタ２２及びキャパシタ２３を含んでいる不揮発性強誘電体メモリ装置３０に関し、特に、不揮発性で、電気的に消去可能、かつプログラム可能な強誘電体メモリ素子及びそのような不揮発性強誘電体メモリ装置３０を生産する方法に関する。本発明による方法は、トランジスタ２２のゲート誘電体層及びキャパシタ２３の誘電体層は同一の有機又は無機強誘電体層から作られるので、限られた数のマスクステップを含む。
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