【課題】 高分解能で高画質を維持することが可能で、簡易に実現できる放射線検出器およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シンチレータ群１２の出力面面積よりも光電子増倍管４１〜４４の受光面面積が小さく、かつ第１、第２ライトガイド１４、１８に分けた場合において、光電子増倍管４１〜４４を互いに分離して構成し、第２ライトガイド１８を、光電子増倍管４１〜４４の極数である４個と同数に分岐して構成し、各第２ライトガイド１８を入力側の面から出力側の面に向かうにしたがって面積が小さくなるような形状で光電子増倍管４１〜４４に密着配置することで、それを分離して構成した分だけ、第２ライトガイド１８の側面の傾斜角度θが従来よりも小さくなり、従来よりもライトガイド１７での損失による出力の低下を抑えて、弁別能力が向上して、高分解能で高画質を維持することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特別な冷却装置を必要とせず、人体の発する赤外線を高感度に効率良く検出すること。
【解決手段】 所定の開口率を得るための単一センサを構成する非検出部の面積に対する検出部の面積の比率が所定の値となるように、単一センサを構成する検出部および非検出部の平面形状を、直角以下の角度を持たない五角形以上の多角形状に形成すると共に、支持基板上の同一行での互いに隣接する２つの単一センサ間の接続においては、該上流側の単一センサの非検出部と該下流側の単一センサの検出部とが直列接続されるように配線し、支持基板上の同一列での互いに隣接する２つの単一センサ間に配置においては、一方の行の単一センサを構成する検出部と、他方の行の単一センサを構成する非検出部とを交互に配置する。 （もっと読む）

【課題】 赤外線受光素子で受光される赤外線の強度の低下を防止することができる赤外線受光装置を提供する。
【解決手段】 凹部(11a)が形成された収容体(11)と、凹部(11a)内に収容され、かつ凹部(11a)の底面(111a)に配置された赤外線受光素子(12)と、凹部(11a)の開口を塞ぐフィルタ(13)とを含み、フィルタ(13)は、第１赤外線透過層(13a)と第２赤外線透過層(13b)とが積層された積層体を含み、第１赤外線透過層(13a)の可視光線の屈折率が、第２赤外線透過層(13b)の可視光線の屈折率より大きい赤外線受光装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。


（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ_１Ａ、Ｒ_１Ｂはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｘ_１１、Ｘ_１２はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を表す。） （もっと読む）

【課題】 遮光膜の開口部周辺の端縁部で反射されていた斜め光を光電変換領域側に入射させて集光率を向上させ、受光感度を向上させる。
【解決手段】 光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。これらの二つの層の界面での光の屈折を利用して、遮光膜１１の開口部周辺の端縁部付近に斜めに入射してきた光Ａ１が、バリア層と平坦化層との界面で屈折により内側の光電変換領域３側に曲げられて、従来、遮光膜１１の端縁部で反射していた光も光電変換領域３側に入射させてその入射光の光電変換領域３への集光率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 透明保護板を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、透明保護板表面への汚れの付着を防止するとともに、入射光の反射を抑制し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 透明保護板１００を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記透明保護板１００の少なくとも受光面側に機能性膜２０２，２０１を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物を少なくとも一つ含む。
一般式（１）
（もっと読む）

【課題】 ｐｎ接合部の空乏層がパンチスルーして流れる漏れ電流を低減することができ、これによってエネルギー成分の小さな放射線を適正に検出すること。
【解決手段】 結晶シリコン基板１１１の上面にアモルファスシリコン膜１１０が形成され、このアモルファスシリコン膜１１０の上面の中心領域にカソード電極となる中心電極１００が形成され、この中心電極１００から所定間隔離れた（環状領域１２１）周辺に第１のアノード電極となる周辺電極１０１が形成され、結晶シリコン基板１１１の下面に第２のアノード電極となる裏面電極１１６が形成されて成る放射線検出デバイス１２０において、アモルファスシリコン膜１１０を、中心電極１００と周辺電極１０１との下のみに形成する。 （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料を提供すること。さらにコストダウンを図るために低融点であるフッ化物シンチレータを提供すること。
【解決手段】 Ｃｅ_ｘＡＥ_１−ｘＦ_２＋ｘで表されることを特徴とするフッ化物シンチレータ材料。 但し、ＡＥはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種又は２種以上である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を確保しながらも、光電変換素子と組み合わされた光電変換モジュールの光学特性を向上させると同時に、光コネクタの位置決め精度も向上して、光利用効率特性を向上させる光電気変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 光電気変換素子と光結合を行う光結合素子５を一部に設けた光結合素子支持部材６２が平板構造を有する透明支持部材と、平板構造を有する不透明支持部材６１とからなり、該透明支持部材と基板とで、該不透明支持部材６１とを挟んだ積層構造であること。 （もっと読む）

【課題】 スイッチ素子であるＴＦＴに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】 絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極と、該第１の電極上に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトな構成で、第１の電極層近傍に存在する残存電荷を消去する。
【解決手段】 放射線画像検出器１０は、赤外光Ｌ３の照射により該赤外光Ｌ３よりも波長の短い蛍光Ｌ４を発するアップコンバージョン蛍光体層１７と、第１の電極層１１と、放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１２と、蓄電部１６と、電荷輸送層１３と、読取光の照射により導電性を呈する読取用光導電層１４と、第２の電極層１５とを有している。第２電極層１５側には、面状光源が設けられ、消去時には赤外光Ｌ３および青色光Ｌ２を射出する。赤外光Ｌ３は、各層を透過して、アップコンバージョン蛍光体層１７を照射する。この赤外光Ｌ３の照射によりアップコンバージョン蛍光体層１７から蛍光Ｌ４が発せられる。この蛍光Ｌ４により、第１の電極層１１近傍に存在する正の残存電荷が励起され、該正の残存電荷とトラップされていた負の電荷との結合が促進される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。
一般式（１）
【化１】


式（１）中、R_１１〜R_１４は各々水素原子または置換基を表し、X_１１、X_１２は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Y_１１〜Y_１４は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表す。 （もっと読む）

【課題】基板の内部に全反射／無反射面を備えるエッチング構造複合体を形成して入射光との結合効率および光検出素子の感度を向上させた光結合装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光結合装置は、所定の領域上に光検出器３０が装着される基板１０と、基板１０の内部に形成され、第１の所定角をもつように全反射コーティングが施された全反射面５１および第２の所定角をもつように無反射コーティングが施された無反射面５２を備えたエッチング構造複合体とを含む。外部から入射した光は、全反射面５１で反射された後、無反射面５２に伝達されてこれを通過して光検出器３０へ伝達される。 （もっと読む）

【課題】光電変換率が高い光電変換素子、放射線画像検出器及び放射線画像撮影システムを提供すること。
【解決手段】
光電変換素子１０ａは、入射した電磁波により励起されて電荷を発生する有機化合物を含有する電荷発生層３０ａと、電荷発生層３０ａで発生した電荷のうち、一方のキャリアを集める透明電極２０と、他方のキャリアを集める対電極４０とを備え、有機化合物に、ハロゲン化ペンタセンを含有させるとともに、この光電変換素子１０ａを適用した放射線画像検出器５０及び、放射線画像撮影システム９０とする。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をＺｎＯ焼結体からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀からなる光導電層におけるＸ線電荷収集量を向上させる。
【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層（３２）が、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなり、この光導電層における、波長750nmの光に対する反射率／波長350nmの光に対する反射率が７以上である。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をＢｉ₂ＷＯ₆からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】
狭ピッチの光素子と狭ピッチの光導波路とを高効率かつ高密度で光結合させることが可能な光素子を提供することにある。
【解決手段】
光素子本体１と、第１コア部２ａと、第１クラッド部２ｂとを具備する光素子を用いる。光素子本体１は、光を発光する光発光部４２を有する。第１コア部２ａは、第１屈折率を有し、光発光部４２に接して設けられ、光を導波する。第１クラッド部２ｂは、第１屈折率とは異なる第２屈折率を有し、第１コア部２ａを囲むように設けられている。第１コア部２ａが光発光部４２と接する第１領域の面積は、光発光部４２が光を受光又は発光する第２領域の面積と同等以上であり、且つ、第１領域は第２領域を包含している。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ素子とフォトダイオード素子とを一対としたセルの配置ピッチを小さくでき、検出感度あるいは解像度を大きくすること。
【解決手段】放射線を光に変換するシンチレータ素子１３が１次元配列され、放射線の入射方向に垂直な面に反射厚膜１５が形成されたシンチレータアレイ１１と、各シンチレータ素子１３の配列位置に対応して配列され、各シンチレータ素子１３から出力される光を検出する検出面が前記入射方向にほぼ垂直に形成されたフォトダイオード１２ａを有し、少なくともフォトダイオード１２ａの検出面がシンチレータアレイ１１に固定されるフォトダイオードアレイ１２と、を備え、フォトダイオードアレイ１２は、フォトダイオード素子１２ａが設けられた面の裏面に、隣接して固定配置されるフォトダイオードアレイ１２の各シンチレータ素子１３の面を覆うように反射薄膜１６が形成される。 （もっと読む）