【課題】 検出素子の支持体としてマイクロエアブリッジ構造体を有し、感度の向上、特性劣化の改善、チッピング不良の改善を図った熱型赤外線検出装置、およびその製造方法を得る。
【解決手段】 熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。前記金属反射膜１５は、ｐｎ接合ダイオードの特性劣化の改善のためのアニール時の発熱体として用いると共に、照射赤外線を前記赤外線吸収層１３に集光して感度を高める反射膜としても使用する。また前記センサ部を有するウェハの切断線上の配線には基板内部に設けた拡散抵抗配線３３、３４を用い、金属薄膜による配線を追放することで切断時のチッピング不良を解決する。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極と光導電層の界面に整流特性を持たせ、感度を損なうことなく暗電流を低減することが可能であって、界面での剥離の問題を解消することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】バイアス電圧が印加される電圧印加電極13と、放射線の照射を受けて電荷を発生する、ａ−Ｓｅからなる記録用光導電層14と、キャリア収集電極17と、記録用光導電層14において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子20とをこの順に積層してなる放射線検出装置において、記録用光導電層14と電圧印加電極13との間に、膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ未満、比抵抗が１０^１２Ωｃｍ以上、熱膨張係数が６×１０^−６〜１．５×１０^―４／℃の有機樹脂誘電体層16を設ける。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ又は光導波路と云った光導波部品からの出射光、又は光導波部品への入射光の光路のバラツキの抑制と結合効率の向上、及び安価に製造可能な光接続装置とその光接続装置の実装方法の提供。
【解決手段】複数の光ファイバと、光ファイバ先端を包む樹脂モールド部とから光接続装置を構成し、各光ファイバの先端はカットすると共に、各光ファイバを互いのコアの軸が平行となるように配列し、更に樹脂モールド部の樹脂を光ファイバのコアと同一屈折率材料にすると共に、樹脂モールド部に反射面を成型し、光ファイバ先端と反射面とを離間する。更に、反射面を前記コアの軸の方向に対して０度＜θ＜９０度の範囲で形成し、反射面に反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】最低利得を保障できる軸ズレ入射角範囲が広い受光デバイスを提供する。
【解決手段】光が入射する入力面５と、入力面５に対向し入力面５よりも狭い面積を有する出力面６と、入力面５から出力面６に亘り設けられ、その内周面８が入力面５から入射した光を反射させる側面部とを有する集光体１０と、出力面６から出射される光を受光する検出部４とを備える。そして、集光体１０の内周面８の形状は、出力面６の中心線３に対する内周面８の傾斜角１１が、出力面６から入力面５に向かうにしたがって単調減少する部分を、少なくとも出力面６よりも入力面５に近い側に有した形状である。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット光半導体素子に関し、光吸収用量子ドットのサイズを変更することなく、キャリアの捕獲効率を高める。
【解決手段】 第１の量子ドット１による層から中間層３を隔てて、第１の量子ドット１より横幅が大きく第１の量子ドット１のキャリアに対するエネルギーポテンシャルよりも高いエネルギーポテンシャルを持つ第２の量子ドット２による層を配置し、第１の量子ドット１による層と第２の量子ドット２による層の間隔が第１の量子ドット１の歪みの影響により中間層３の格子間隔が変化している範囲以内とする。 （もっと読む）

【課題】 レンズ媒体の外周部に反射鏡を用いることなく、有効にＬＥＤ等の光源の迷光成分等を集光し、所望の照度を得ることが可能な非球面レンズを提供する。
【解決手段】 外側頂部３、底部及び光軸に平行方向の側面からなる外周部を有するバルク型のレンズ媒体４と、この底部から外側頂部３に向かってレンズ媒体４の内部に設けられた収納部６とから構成された砲弾型や卵型等のバルク型レンズ２０である。レンズ媒体４の内部に設けられた収納部６の凹部天井部２と凹部側壁部５とが第１のレンズ面（２，５）、レンズ媒体４の外側頂部３が第２のレンズ面３として機能する。収納部６の内部に光源１若しくは光検出器が収納される。 （もっと読む）

【課題】光軸方向における光素子の位置を精密に調整することのできる光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光モジュール１００の製造方法は、光素子３０を備える光モジュールの製造方法であって、ベース部１２と、当該ベース部上に設けられた枠部１４とを有する筐体１０を準備する工程と、シール部材２０を、枠部の上面の一部に設ける工程と、光素子を、ベース部の上方に設ける工程と、枠部の内側および枠部の上面の一部の領域を覆う形状の蓋部材を、シール部材を介して筐体に固定する工程と、を含み、蓋部材固定用治具は、前記蓋部材に対向する第１の部分と、前記枠部の上面の他の一部に対向しかつ上面の高さが前記第１の部分より高い第２の部分とを有し、当該工程では、前記第１の部分によって前記蓋部材を押圧しながら、前記第２の部分を前記枠部の上面に押し当てることにより前記蓋部材の押圧を制限する。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲で高感度の光検知を行うことを可能とする。
【解決手段】埋め込み層１６と、埋め込み層１６によって埋め込まれた量子ドット１５ａと、を有する量子ドット構造１５と、動作時に、量子ドット構造１５に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造１５下流側に、埋め込み層１２，１４と、禁制帯幅が埋め込み層１２，１４よりも小さい量子井戸層１３ａを有する量子井戸構造１３が形成されることで、光検知部１０ａの電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、埋め込み層１４の高温時の電位障壁が低下する。 （もっと読む）

【課題】センサのリーク電流を減らし、信号強度を上げるためのバリア層の膜厚に関して、信号出力強度への影響と、より最適な範囲を明らかにし、従来よりも出力信号が大きい赤外線センサ構造を提供すること。
【解決手段】GaAs基板１０上に形成された、ｎ型ドーピングされたInSb層１１と、該InSb層１１上に形成された、ｐ型ドーピングされたInSb層（π層）１２と、該InSb層１２上に形成された、InSb層１２よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつInSb層１１、及びInSb層１２よりも大きなバンドギャップを有する材料であるAl_xIn_1-xSb層１３（０＜ｘ＜１）とを備え、Al_xIn_1-xSb層１３の膜厚が、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体膜の膜厚が安定した品質を有する放射線画像変換パネルの製造方法の提供、且つ、高感度の放射線画像変換パネル及びそれを用いた放射線検出装置の提供。
【解決手段】放射線を可視光に変換する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造法において、該蛍光体層がエアロゾル化室内に充填する前に加熱処理を施した蛍光体原料粒子を基板に高流速のキャリアガスで衝突させて堆積する成膜法（ガスデポジション成膜法（エアロゾル・デポジション成膜法、ＡＤ成膜法））を用いて成膜されることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層２と、ＺｎＯ層２に接するように設けられるものであって、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３と、ＺｎＯ層２に電気的に接続される、第１の端子電極５と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３に電気的に接続される、第２の端子電極６とを備え、ＺｎＯ層２が紫外線７の受光側に位置されるように用いられる。（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３は焼結体からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に受光領域を有し、機能層の転位が低減されてなるとともに、受光効率に優れた受光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。上端層２ｃと機能層３とは３００ｎｍ以下の波長の光を透過させるＡｌＧａＮにて形成する。下端層２ａは、これよりもＡｌリッチなＡｌＧａＮにて形成する。傾斜組成層２ｂは、傾斜組成を有し、上下端の組成が上端層２ｃと下端層２ａとに一致するように形成する。下端層２ａは、９００℃〜１１００℃の第１形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第１形成温度よりも高い１１００℃〜１２８０℃の第２形成温度にて形成する。Ａｌ混晶比が高い機能層３ほど、優れた転位低減効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ材料の放射線感応膜で構成される二次元放射線検出器において、基板に接する側と膜露出側の膜質を均一化し、電荷収集効率を上げ感度向上を図る。
【解決手段】第一の基板２上に放射線感応膜として機能する積層膜を成膜したあと、前記積層膜が露出している膜面に導電性接着層として機能するカーボン厚膜４を介して第二の基板５を貼り付けた後、前記第一の基板２と前記積層膜の内膜質が思わしくない積層膜３１を研磨除去して、良好な膜質の積層膜３２の膜面を露出させ、該膜面にアクティブマトリクス基板を貼り付けた構造とする。したがって、基板に接する側と膜露出側の膜質を良好で均一なものとすることが可能であり、電荷収集効率を上げ感度向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】光結合効率に優れた光結合素子を提供する。
【解決手段】光結合素子１９は、コア部４５とクラッド部４６とを備える。コア部４５は、外径Ｄ１の円柱状に形成される。コア部４５の両端面には、入射面４８及び出射面４９を備える。コア部４５は、入射面４８及び出射面４９を結ぶ長さＬ１の光路を備える。コア部４５には、ＧＩ型屈折率分布が形成される。クラッド部４６は、コア部４５の外周に配される。クラッド部４６は、コア部４５の外周面の屈折率と同一の屈折率を備える。この光結合素子１９が、（式１）光路長Ｌ１＝２π／Ａ^０．５、（式２）Ａ＝２（Ｎ１−Ｎ２）／（Ｎ１×Ｒ１^２）を満足する。入射面４８から入射した光は、コア部４５内で集光される。コア部４５内で集光された光は、出射面４９から出射する。この光結合素子１９は、優れた光結合効率を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】高度な量子効果により高感度で赤外線を検知することができ、室温近くの温度条件下においても動作させることが可能な量子型赤外線センサを提供すること。
【解決手段】中心細孔直径が１．５〜５．０ｎｍであるメソ多孔体１１と、メソ多孔体１１の細孔内に配列された波長３〜１５μｍの光に対する屈折率が１．７〜２．１の範囲にある金属酸化物１２と、金属酸化物１２に電気的に接続されている電極１３とを備えること特徴とする量子型赤外線センサ。 （もっと読む）

【課題】レンズ媒体の外周部に反射鏡を用いることなく、有効にＬＥＤ等の光源の迷光成分等を集光し、所望の照度を得ることが可能な非球面レンズを提供する。
【解決手段】外側頂部３、底部及び光軸に平行方向の側面からなる外周部を有するバルク型のレンズ媒体４と、この底部から外側頂部３に向かってレンズ媒体４の内部に設けられた収納部６とから構成された砲弾型や卵型等のバルク型レンズ２０である。レンズ媒体４の内部に設けられた収納部６の凹部天井部２と凹部側壁部５とが第１のレンズ面（２，５）、レンズ媒体４の外側頂部３が第２のレンズ面３として機能する。収納部６の内部に光源１若しくは光検出器が収納される。 （もっと読む）

【課題】 Ｒ、Ｇ、Ｂ各々異なる波長の光であっても、発生するキャリアの数を増やして、高い光電効率を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 平面に整列配置され、入射された光の光電変換を行う複数の素子部１１_B、１１_G、１１_Rと、素子部１１_B、１１_G、１１_Rの表面を保護する保護膜１２とを有し、各々の素子部１１_B、１１_G、１１_Rへの光の入射強度が最大となるように、光電変換を行う光の波長に応じて、保護膜１２を各々異なる膜厚に形成した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高いバイアス電圧を印加することなく、応答速度の低下を回避しつつ光感度の向上が図れる光検出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】表面Ｓ１ａと入射光を検出する光検出領域１４ａとを有しており光検出領域１４ａが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ａの中央部に設けられたフォトダイオード１ａと、表面Ｓ１ｂと入射光を検出する光検出領域１４ｂとを有しており光検出領域１４ｂが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ｂの中央部に設けられたフォトダイオード１ｂと、光を反射する反射面３９ａを有する反射部３９とを備え、フォトダイオード１ａ、フォトダイオード１ｂ及び反射部３９は、光検出領域１４ａ、光検出領域１４ｂ及び反射面３９ａが所定の光入射方向に対し重なるように順に配置され、フォトダイオード１ａとフォトダイオード１ｂとは、電気的に並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】高感度の光センサを構成する。
【解決手段】透明基板２３と、前記透明基板に形成されて前記透明基板の受光側面を介し
て入射された光を受光するＰＩＮ型ダイオード１７と、前記透明基板の受光側面とは反対
側の面側に設けられて、前記透明基板を通過した光を前記ＰＩＮ型ダイオードに反射させ
る反射部１８と、を具備し、透明基板の受光側面から入射する光の大部分をＰＩＮ型ダイ
オードに入射させて、高感度の外光検出が可能にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】損失を低減して結合効率を向上させることができる光電気複合基板、及び当該光電気複合基板を備える電子機器を提供する。
【解決手段】光電気複合基板１０は、内部に光導波路１６が形成された基板１１と、基板１１の表面１１ａ側に形成されたプリント配線１２及び薄型光素子１３とを備える。薄型光素子１３は、表面に電極が形成されており、少なくとも裏面から光の入出力が可能であって、裏面を基板１１の表面１１ａに密着させて基板１１上に搭載されている。プリント配線１２は、薄型光素子１３の厚みと同程度の厚みの第１配線１８と、第１配線１８よりも厚みのある第２配線１９とからなり、第１配線１８と薄型光素子１３の電極とが金属配線２０により接続されている。 （もっと読む）