【課題】 放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１の製造方法においては、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７を厚さ１００μｍ以上に結晶構造を有するように成膜した後、光導電層１７の内層部の結晶構造を維持しつつ、光導電層１７の表層部を平坦化し、平坦化された表層部上に、ＤＬＣからなる接触補助層３０を介して共通電極１８を形成する。これにより、光導電層１７の表層部における凹凸の度合いが緩和されて、共通電極１８の不連続化・電気的高抵抗化が防止されるばかりか、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７が１００μｍ以上と十分な厚さを有し、且つ光導電層１７の内層部の結晶構造が維持されるので、Ｘ線の検出感度が向上した放射線検出器１を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層によって光電変換層が形成された量子ドット型赤外線検知素子の量子効率を大きくすること。
【解決手段】半導体基板と、同一平面上に形成された複数の量子ドットと前記量子ドットを覆う中間層を有する複数の量子ドット層が、前記半導体基板上に積層された複数の光電変換層と、前記半導体基板に整合した、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が積層された歪緩衝層を具備し、前記歪緩衝層を介して複数の前記光電変換層が積層されていること。 （もっと読む）

【課題】紫外線センサにおいて、より高い感度を得られるとともに、より高い波長選択性を得られるようにする。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成されるたとえばＺｎＯを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と薄膜材料層４との接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、上記接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２および薄膜材料層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】検出回路規模を低減し、１画素当たりの分割画素数を大きくできるＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線を電荷信号に変換する変換層１と、１画素領域をｍ個（ｍは２以上の整数）に分割したサブ画素領域４にそれぞれ対応するように設けられた第１〜第ｍのサブ画素電極５と、前記第ｋのサブ画素電極（ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）を介して与えられた前記電荷信号を電圧信号に変換して出力する第ｋの増幅器１０と、前記第ｋの増幅器から出力される前記電圧信号と基準電圧信号Ｖｔｈとの電圧値を比較し、比較結果を出力する第ｋの比較器１１と、前記第ｋの比較器から出力される前記比較結果を保持して出力する第ｋのフリップフロップ１２と、前記第１〜第ｍのフリップフロップから出力される前記比較結果を加算してカウントする算出部８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、食品品質検査装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧で作動し、厚さあたりの光増幅率を向上させることにより厚みを薄くすることが可能となる光検出素子及び光検出方法、撮像素子及び撮像方法を提供する。
【解決手段】光増幅部と光電変換部からなる光検出素子であって、
前記光増幅部が光滞留構造とゲイン媒質からなり、該光滞留構造とゲイン媒質が近接して配置されている構成とする。
その際、前記光滞留構造を、プラズモン共鳴体、導波モード共鳴体、ウィスパリングギャラリーモード共鳴体、等で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器１は、ｎ型のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の検出面５ａ側の面にバッファ層３、４を介して設けられ、バッファ層４に接していない面が検出面５ａであるアンドープのＧａＮ層５と、ＧａＮ層５の検出面５ａに設けられ、ＧａＮ層５とショットキー接触する第１金属電極６と、ＳｉＣ基板２の、バッファ層３に接していない面に設けられ、ＳｉＣ基板２とオーミック接触する第２金属電極８とを備える。また、ＧａＮ層５の厚さは、９００ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で紫外光を選択的に検出できるようにし、装置コストの低減及び装置の小型化を可能にし、最も簡素化した場合には、携帯することもできる紫外検出装置を提供する。
【解決手段】紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。このように、半導体ベースの光電変換素子で紫外検出装置を構成できるので、軽量で携帯性に優れた検出装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】積層膜の剥離の発生を防止ししつつ所望の中空構造を容易に形成することができる赤外線センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＯＩ基板準備工程と、ＳＯＩ基板に熱検出部及びこれ電気的に接続される配線を形成する熱検出構造形成工程と、少なくとも窒化シリコン膜を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上にガス流入開口を含む赤外線受光部形成する受光部形成工程と、ＳＯＩ基板に到達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔を介してエッチングを施すことによって半導体基板に空隙を形成する空隙形成工程と、を有し、貫通孔形成工程において窒化シリコン膜を露出することなく貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームを出射する電子銃１１と、電子ビームが走査され、入射される光の像を電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２と、光導電膜１２の光入射側に形成された波長フィルタ４とを備え、波長フィルタ４は、基板４１内に形成され、入射される３００ｎｍ以下の光の波長に応じて励起子が励起される第１のエネルギー準位を有する第１の量子ドット４２と、第１の量子ドット４２より大体積で形成され、第１のエネルギー準位との共鳴に応じて第１の量子ドット１２から励起子が注入される第２のエネルギー準位と、当該第２のエネルギー準位から励起子の遷移が複数段に亘って生じるように設定された複数段の下位準位とを有する第２の量子ドット４４とを備える。 （もっと読む）

【課題】フィルファクタの低下を抑えつつ、信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１、信号配線３、及び蓄積容量配線１０２をセンサ部１０３よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成しており、信号配線３を下層に形成する。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームが走査され、入射した光の像を内部光電効果に基づいて電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２の光入射側に、直径５０ｎｍ以下のナノ微粒子２１を含む基板１３を配設することにより、そのナノ微粒子２１に光を吸収させ、この吸収させた光に基づいて近接場光を少なくとも光導電膜１２へ滲出させ、この滲出させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて光導電膜１２における内部光電効果の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高い受光効率を有し小型化の可能な反射集光型受光器を提供すること、反射集光型受光器を用いて高感度で高速応答性を備えた空間光通信用受光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】情報信号を重畳した空間光を、凹面鏡２を介し反射集光して受光する受光素子３を有した反射集光型受光器１である。凹面鏡２の内側の略中央に、受光素子３がその受光面３ａを凹面鏡２の反射面２ａ側に向けて配置される。受光素子３の両電極に接続された１対の電極リード４，５は、凹面鏡２の前面中央部から両側に開くように延設され、凹面鏡２の外側面を経て受光回路８に接続される。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法において、緻密で、膜質の良好な半導体層を有する電子写真感光体の形成が可能な堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された触媒体と、を備えた触媒ＣＶＤ装置を用いて、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する堆積膜形成方法であって、前記原料ガスのうち、シリコン原子を含んだガス状の分子が前記真空容器内に導入されてから排出されるまでの間に、前記触媒体に衝突する回数が１回以上、４回以下となる条件下で堆積膜形成を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臭化タリウム放射線検出器を用いた放射線検出装置における同時計数の時間分解能を上げることができる放射線検出方法及び放射線検出装置、並びにこれを有する陽電子断層撮影装置を提供する。
【解決手段】ガンマ線を検出する臭化タリウム放射線検出器の電極面に発生した誘導電荷の信号を電流増幅型前置増幅器に入力して得た立ち上がり信号を、同時計数のためのタイミング信号として利用する放射線検出方法及びガンマ線を検出する臭化タリウム放射線検出器と該臭化タリウム放射線検出器の電極面に発生した誘導電荷の信号を入力して得た立ち上がり信号を出力する電流増幅型前置増幅器、該立ち上がり信号をタイミング信号として利用する同時計数回路、該電流増幅型前置増幅器からの信号を積分型増幅器で受けてその出力信号をエネルギー弁別に使用する回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波が照射されることにより電荷を発生し、電磁波の照射面側に上部電極７が形成され、電磁波の非照射面側に下部電極１４が形成された半導体層６を備えたセンサ部１０３を走査配線１０１と信号配線３の各交差部に対応して設けており、半導体層６よりも電磁波の下流側に形成された共通電極配線２５によって、各々コンタクトホール２２Ａ、２２Ｂを介して各上部電極７にバイアス電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ファイバで構成した小型でかつ低挿入損失でかつ高受光効率な双方向通信向けの光モニタ並びにこれを用いた光モニタアレイ及び光システムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、光ファイバのコアを一方向に伝搬する第１の光の一部を第一の光検出器で、前記コアを前記第１の光と逆方向に伝播する第２の光の一部を第二の光検出器で受光する光モニタにおいて、光ファイバのクラッドの一部がコアの屈折率以上の屈折率を有する置換材料で切り欠き状に置換された置換領域を有し、前記第一の光検出器の受光素子の中心が、前記置換領域の光ファイバ長手方向の中心よりもコアを伝搬する第１の光の進行方向前方側に位置し、前記第二の光検出器の受光素子の中心が、前記置換領域の光ファイバ長手方向の中心よりもコアを伝搬する第２の光の進行方向前方側に位置することを特徴とする光モニタである。 （もっと読む）