【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第１電極層12aと第１光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第１電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な感度と良好な空間分解能を得ることが可能な積層構造の検出装置を提供する。
【解決手段】 基板１００上に、複数の変換素子と、基板と複数の変換素子との間に配置された複数のスイッチ素子２と、複数の変換素子と複数のスイッチ素子との間に配置された絶縁体１０６，１０８と、を有し、複数の変換素子が、互いに離間した複数の第１電極１と、複数の変換素子に渡って設けられた第２電極１１３と、複数の第１電極と第２電極との間に複数の変換素子に渡って配置された半導体層１１１と、を含み、絶縁体が、複数の第１電極の直下に位置する複数の第１領域と、複数の第１領域の間に位置する第２領域と、を含む検出装置であって、絶縁体の第２領域と半導体層とが接する部分の電位を第２電極の電位と第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が絶縁体の第２領域の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】互いに直交する方向に電界成分を持つ波長の光に対して、共に電界成分の大きさを変えることなく、総じて光検知効率を大幅に向上させることのできる信頼性の高い光検知素子を実現する。
【解決手段】障壁層１２内に量子ドット１１が埋め込まれた層が積層されてなる第１の量子ドット層１と、第１の量子ドット層１を挟み込む一対の電極層２，３と、障壁層１４内に量子ドット１３が埋め込まれた層が積層されてなる第２の量子ドット層４と、第２の量子ドット層４を透過した赤外線を反射させる赤外線反射層５とを有するように、赤外線検知素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７の一方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された一方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備え、前記電界緩和層２３の厚みが、前記透光性電極２１と前記正孔注入阻止層２２とからなる層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】エネルギー高分解能でかつ放射線の撮像を可能とすると同時に高検出効率で高速の超伝導体放射線センサーを提供することである。
【解決手段】超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない７個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の４つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】量子井戸型光検知器において、光吸収効率を向上させ、十分な感度が得られるようにする。
【解決手段】量子井戸型光検知器を、多重量子井戸層５，６と、多重量子井戸層を挟むコンタクト層７〜９とを備える複数の光検知素子３を備え、各光検知素子が、一方の表面が多重量子井戸層に対して平行な面になっており、一方の表面に対して多重量子井戸層及びコンタクト層を挟んで反対側の他方の表面が多重量子井戸層に対して傾斜した傾斜面２０になっており、一方の表面及び傾斜面に入射する入射光が屈折する側の側面に反射膜１０を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】トリガー光の光子エネルギーが光伝導アンテナを構成している半導体基板のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合でもテラヘルツ波の検出感度を向上させる。
【解決手段】テラヘルツ波検出装置は、トリガー光が照射されるとキャリアを発生させる基板と、前記基板上に所定のギャップを有するように形成された１対の金属パターンからなり、前記基板にテラヘルツ波が照射されることにより生じる前記キャリアに基づく電流を検出するアンテナと、を備え、前記基板のバンドギャップエネルギーは前記トリガー光の光子エネルギーよりも大きく、前記アンテナの所定のギャップが５μｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。
【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。 （もっと読む）

【課題】長距離系であっても受光パワーを補償し、小型化を図ることができる多チャネル光受信器を提供することにある。
【解決手段】入力された光をチャネル数分に分波する分波器１６と、分波器１６で分波された光を各々増幅する前記チャネル数分の半導体光増幅器１３と、半導体光増幅器１３各々から出力された光を反射する前記チャネル数分のミラー１５とを集積した基板１４と、ミラー各々から導かれた光を検出する前記チャネル数分のフォトディテクタを集積したフォトディテクタアレイ１２とを有し、分波器１６からの光がミラー１５を介してフォトディテクタに各々入射するように、フォトディテクタアレイ１２を基板１４の表面に各々フリップチップ実装するようにした。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるチアゾール系アゾ部位を有する化合物から成る。
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【課題】 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置に関し、量子ドット層の層数が制限される制約のなかで光電流を増加させる。
【解決手段】 複数の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広い中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と上下の電極形成層との間にスペーサ層を設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する検出領域に、放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを含む複数の画素２０をマトリクス状に設け、画素２０Ｂに備えられたスイッチング素子に接続する信号配線３によって画素２０Ｂに発生した電荷を検出することで、放射線検出が可能となり、放射線の照射開始を検知することができる。 （もっと読む）