【課題】光デバイスの小型化及び薄型化を図り、光デバイスを実装した各種光通信機器等の小型化を促進させる。
【解決手段】光デバイス１０は、基台１２と、該基台１２上に実装され、少なくとも１つの光素子を有する光部品１４と、基台１２上に光部品１４を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材１６とを有する。そして、凹部２２の底部２２ａと側壁２２ｂとのなす角θを９０°未満とし、さらに、凹部２２の底部２２ａと側壁２２ｂとの境界部分２２ｃを湾曲形状としている。また、凹部２２の深さｈは１．０ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 不要な波長域の光に対応する光キャリヤの発生をおさえ、混色の発生を抑える。
【解決手段】 複数のフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤの受光部を画する遮光層１１１と、少なくともフォトダイオードＰＤの受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、基板端部１１３側に配置された一のフォトダイオードの受光部上に設けられたカラーフィルタ１１２を、一のフォトダイオードの受光部を画する遮光層１１１から基板端部１１３側へ延び、且つ遮光層１１１と基板端部１１３との間の少なくとも一部を覆うように、配置した。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体に対する蓋体の平行度が良好になり、気密封止の信頼性に優れるとともに、例えば光半導体素子を収容されて成る場合でも、工程内での異物の付着を極力防ぐことができるとともに、蓋体が透光性蓋体の場合に透光性蓋体のキズやカケの発生を防ぐことができ、正確な受光が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体素子３が収容される凹部１ａを形成するとともに凹部１ａの周囲に凹部１ａの内側から外側に向かって漸次高さが高くなるように、第1の段差部１ｂおよび第２の段差部１ｃが順次形成されている絶縁基体１と、凹部１ａの内面から絶縁基体１の側面および下面の少なくとも一方にかけて形成された配線導体２と、凹部１ａの底面に載置され、配線導体２に電気的に接続される電極４を有した半導体素子３と、第１の段差部１ｂ上に配置される蓋体５とを具備した半導体装置９であって、絶縁基体１及び蓋体５を、第２の段差部１ｃと蓋体５の側面との間に充填される接合材７を介して接合する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで大きな電流出力の得られるセンサを実現する。
【解決手段】誘電体による光起電力材料の多結晶焼成体、単結晶のバルク薄片又は薄膜若しくは厚膜による膜構造体２６を用いた光起電力部と、この光起電力部を挟んで設けられた一対の電極とを設ける。一対の電極は、チタン（Ｔｉ）膜２４と白金（Ｐｔ）膜２５からなる下部電極、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜から成る上部電極２７である。このような構成により、光起電力部である膜構造体２６に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出する。 （もっと読む）

【課題】 長方形状の光半導体素子が搭載された場合に、光半導体素子の短辺側における接合強度を向上させることにより、画像の精細化および光検知の高精度化の要求に応じた信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体素子１０１の搭載部が形成された絶縁基体１０２と、配線導体１０４と、搭載部に第１の接合材１０３を介して接合されて搭載されるとともに電極１０６が配線導体１０４に電気的に接続された長方形状の光半導体素子１０１と、搭載部の光半導体素子１０１の短辺側の側面の外側の部位に、短辺側の側面に沿って突条に設けられた第２の接合材１０９と、絶縁基体１０２の上面に凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体１０５とを具備しており、第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１の短辺側の側面を被覆するとともに第２の接合材１０９の光半導体素子１０１側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出している。 （もっと読む）

【課題】 透光性蓋体の平行度を高精度化し、また透光性蓋体と絶縁基体とが強固に接合されて光半導体素子を収納する密閉空間の気密性に優れ、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子等に送ることが可能な小型化及び薄型化された光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、凹部１ａの底面に接合されて搭載されるとともに電極が配線導体２に電気的に接続された光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐように接合材７を介して取着された透光性蓋体５とを具備し、絶縁基体１は、その上面の外周部に溝１ｂに充填された接合材７を介して透光性蓋体５が接合される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体の凹部と透光性蓋体との密閉空間に内在した異物が、浮遊異物として光半導体素子の受光部に付着し固着することがなくなり、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された、上面の中央部に受光部３ａを有する光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐようにして取着された、受光部３ａに対向する下面に凸部５ａが形成されている透光性蓋体５とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と透光性蓋体とを接合する接合材の紫外線の照射が適切に行われたものか否かを適切に識別することができ、所定の品質を確保、維持することのできる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１aを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１aの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に接合されて搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１aを塞ぐようにして接合材７を介して取着された透光性蓋体５とを具備し、接合材７は紫外線によって変色する色素を含有している。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも２つの垂直積層感光性センサーとセンサー群アレイを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群の少なくとも１つのセンサーのキャリア収集要素は、センサー群の各々の最小サイズのキャリア収集要素よりも、最上部センサーの最上部面によって定義される法線軸に対して垂直な面に投影された、実質的に大きな面積を持つ。センサー群アレイは、少なくとも１つのキャリア収集要素を共有する少なくとも２つのセンサー群を含む。またセンサー群は、フィルターを通して伝播したか又はフィルターから反射した放射線がセンサー群の少なくとも１つのセンサーへ伝播するように、センサーに対して配置された少なくとも１つのフィルターを含む。 （もっと読む）

光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板、基板に結合された一つ以上の光感知半導体台、及び基板の光収容表面上に形成されたパターニングされた層を含む。基板は、所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成される。半導体台は基板背面の表面に衝突する光を収容するために基板の前面表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する。パターニングされた層は、背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために基板のその背面の表面上に形成され、基板を通じる光学的疎通のために光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を有するように形成される。 （もっと読む）

電磁ビーム（１７）の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン（７，８，９）を有する半導体チップ（２）を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン（７，８，９）内の電磁ビーム（１７）のフォーカシングが、回折素子（１）によって行われ、この回折素子（１）は、有利には、半導体チップ（２）内に集積化されている。回折素子（１）は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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光検出用装置パッケージおよびこのような装置をパッケージングする方法が提供される。前記パッケージは、所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から成る基板を持つアセンブリ部、光を前記所定範囲の波長に光電子的に変換する少なくとも１つの光検出用ダイを含む検出部、および、前記検出部とアセンブリ部とを結合させる複数の第１のソルダージョイントを含む。前記アセンブリ部は、基板の上部の表面領域に周りの基板上に配置された少なくとも１つの第１の金属層、および、前記第１の金属層上に延長されるように形成された少なくとも１つのパッシベーション層から構成される。このパッケージは、安く、コンパクトであり、簡単に組み立てられる。 （もっと読む）

【課題】 従来の密着型イメージセンサにおいては、各受光素子について画素ずれが１画素未満に抑えられてはいるが、本来的に必ず画素ずれが生じているために、読み取り対象の画像に係る再現性能が制限されるという課題があった。
【解決手段】 密着型イメージセンサにおいて、基板と、基板上において主走査方向に直線状に配列された複数のイメージセンサチップ１とを備え、イメージセンサチップ１間の間隙に仮想の受光素子３を配置することを前提として、イメージセンサチップ１上において所定の規格に基づく解像度に応じた画素間隔ａで受光素子２が配列される。 （もっと読む）