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Fターム[5F088DA20]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 素子構造一般 (560) | その他、本項に関する事項 (85)

Fターム[5F088DA20]に分類される特許

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赤外線エミッタはフォトニック結晶(PC)構造を利用して、狭帯域の波長を有する電磁放射を生成する。PC構造は、電磁波の伝搬がバンド構造類似散乱によって制御される、人工的に設計された周期的な誘電体アレイである。この構造は、電子エネルギー・バンドの許容伝搬、及び禁制伝搬を示す。この構造の内面の電磁波の許容伝搬の欠如は、フォトニック・バンド・ギャップと呼ばれる波長の範囲で、自然放射の抑制、高反射率の全方向性ミラー、低損失導波管、等のような別個の光学現象を引き起こす。
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【課題】シリコン・オン・インシュレータ技術を使用して形成した放射線検出器を提供すること。
【解決手段】この放射線検出器は、絶縁基板上に形成され、PNPN構造を有するシリコン層と、このPNPN構造上に形成され、PNゲートを有するゲート層とを備える。放射線検出器内の入射放射線に応答してのみ、ラッチアップが生じる。第2の態様は、シリコン・オン・インシュレータPNPNダイオード構造を備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、放射線検出器である。第3の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、PNPN構造とPNPN構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がPNゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 (もっと読む)


電磁ビーム(17)の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン(7,8,9)を有する半導体チップ(2)を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン(7,8,9)内の電磁ビーム(17)のフォーカシングが、回折素子(1)によって行われ、この回折素子(1)は、有利には、半導体チップ(2)内に集積化されている。回折素子(1)は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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本発明はインターポーザを介して半導体チッブを実装基板に電気的に接続する構成とされた半導体装置及びその製造方法に関し、電子素子と、前記電子素子が接合されるインターポーザ基材と、前記電子素子の電極と接続される複数のポスト電極とを有するインターポーザとを具備する電子装置において、前記電子素子と前記インターポーザ基材とを直接接触させることにより一体化すると共に、前記ポスト電極を前記電子素子の電極上に直接形成した構成とする。 (もっと読む)


【課題】 感度が高く、色分離能に優れ、偽色のない撮像素子及び受光素子を提供する。
【解決手段】 第1の波長域の光を検出する第1の受光部101と第2の波長域の光を検出する第2の受光部102を有した撮像素子であって、入射光の内の少なくとも一部の光が第1の受光部101を透過後に第2の受光部102で受光されるように構成されており、第1の波長域の中心波長が第2の中心波長よりも長いことを特徴とする。 (もっと読む)


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