【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極７と、バイアス電極７を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、前記発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極７と記録用光導電層５との間に、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層であって、かつ前記特定物質の濃度が０．００３〜０．０３モル％である中間層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線材料に銅を用いた場合においても、好適な水素終端化処理を行なうことが可能な光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板上に多層配線構造が配された光電変換装置の製造方法であって、層間絶縁膜の、前記トランジスタの電極に対応する領域にホールを形成する工程と、前記ホールに導電体を埋め込む工程と、水素供給膜を形成する工程と、第一の温度で熱処理し前記水素供給膜から前記半導体基板へ水素を供給する工程と、配線材料に銅を用いて前記多層配線構造を形成する工程と、前記多層配線構造を覆って保護膜を形成する工程と、を有し、多層配線構造を形成する工程及び保護膜を形成する工程は第１の温度よりも低い温度で行なう。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、可視域から遠赤外域の画像をリアルタイムで同時取得する場合において、同一光軸で可視画像と赤外画像を撮像し、かつ、高感度の赤外画像を取得できる撮像素子を提供する目的とする。
【解決手段】 可視光検出器と熱型赤外線検出器を同一基板上に配列配置し、可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は前記支持脚のみによって半導体基板と接続される構造であり、赤外線吸収部が可視光検出器の上部を覆う構造を特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置１は、量子ドット２０が積層する構造を有した半導体装置であり、半導体層１１上に成長させた量子ドット２０と、量子ドット２０を被覆し巨大な量子ドットを被覆しない、半導体層１１上に形成させた半導体層１２と、半導体層１２上、及び巨大な量子ドットを除去して半導体層１２に発生した除去部分２２に形成させた半導体層１３と、を備えている。これにより、量子ドット２０の密度、形状が均一に形成された半導体装置１が実現される。その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット構造の積層数を多くせずとも高い感度を得ることができる赤外線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層２上に、コンタクト層３及び障壁層４が形成されている。コンタクト層３及び障壁層４の表面に、バッファ層２のステップを反映するステップが存在する。障壁層４の各ステップの側面に沿って延びる量子細線５が形成されている。量子細線５は、例えばＩｎ_XＧａ_1-XＡｓ（０＜Ｘ≦１）からなる。そして、各量子細線５上に複数の量子ドット６が形成されている。量子ドット６は、その成長特性より、量子細線５の縁に近い位置に形成されている。更に、これらの障壁層４、量子細線５及び量子ドット６を覆う別の障壁層４が形成されている。量子細線５は、高さ方向だけでなく幅方向にも閉じ込め成分を持つ。このため、励起元と遷移先との波動関数の重なりが２成分となり、高い感度が得られる。 （もっと読む）

【課題】波長可変カーボンナノチューブ素子に関し、一本のカーボンナノチューブに対して純粋な引っ張り応力の印加が可能な数ｍｍ以下のサイズの小型デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一方の端部が開放された間隙４を介して対向するとともに、間隙４を架橋する孤立したカーボンナノチューブ６を設けた１対の支持要素部材２からなる支持部材１を圧電素子１０の伸縮方向に沿った面に支持する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体多層膜による光フィルムの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルムに斜め入射した光と受光素子の受光部との光結合を防止する。
【解決手段】 受光素子１自体に遮光膜層７を形成する。すなわち、受光素子１の入射面側に遮光膜層７を形成し、この遮光膜層７のｐ領域４に相当する位置に開口部８を設ける。この開口部８の大きさは、入射面から受光部領域のｐ領域４に至るまでの距離に基づいて、ｐ領域４に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。 （もっと読む）

本願が記載するのは、集積回路の設計、及び、その集積回路を製造するための方法である。この集積回路は、効率が高く、雑音が低く、位置に敏感な、Ｘ線検出器のための、集積回路である。このＸ線検出器を、とりわけ医療で応用する。Ｘ線検出集積回路素子３５０は、深い凹部３５４に基づく。深い凹部３５４を、Ｘ線を検出するシンチレーター材料で満たす。浅い第１の電極３６０を、基板３５２の側壁の面に形成する。側壁は、２つの隣り合う凹部３５４を分離する。この側壁の電極３６０を、ウエハーの表面の特定の電極３６３の構造と組み合わせる。この組み合わせにより、素子３５０の側壁を完全に空乏化することになる。これにより、信号の電荷が、低容量の読み出し電極３６３に向けて移動することになる。記載の集積回路素子３５０は、効率が高い光の収集及び深さに依存しない光の収集を、確実にする。
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【課題】 検出素子の支持体としてマイクロエアブリッジ構造体を有し、感度の向上、特性劣化の改善、チッピング不良の改善を図った熱型赤外線検出装置、およびその製造方法を得る。
【解決手段】 熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。前記金属反射膜１５は、ｐｎ接合ダイオードの特性劣化の改善のためのアニール時の発熱体として用いると共に、照射赤外線を前記赤外線吸収層１３に集光して感度を高める反射膜としても使用する。また前記センサ部を有するウェハの切断線上の配線には基板内部に設けた拡散抵抗配線３３、３４を用い、金属薄膜による配線を追放することで切断時のチッピング不良を解決する。 （もっと読む）

【課題】 光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することのできる光学素子の製造方法、およびそれに用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 受光基板１１を準備し、受光基板１１の受光面１２および、受光基板１１の一表面のうちで受光面１２以外の部分の少なくとも一部分を覆うように透光部１３を形成する。透光部１３のうちで受光基板１１の受光面１２以外の部分を覆う部分、たとえば電極被覆部１３ａにレーザ光を照射し、孔部２４に孔を形成する。この孔部２４の孔にエッチング液を充填して透光部１３をエッチングする。これによって、ドライエッチング法を用いることなく透光部１３を精度良くエッチングすることができるので、光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】湿式成膜可能で製造が容易であり、安定性がよく、かつ高い変換効率を与える有機光起電力素子、およびそれを備えた、分光器やフィルターが要らず、色素の選択により検出波長が可変であり、かつ特定波長以下の光に対してのみ検出が可能である光センサーを提供することを課題とする。
【解決手段】透明電極と背面電極との間に光起電力層としてＪ会合色素、導電性高分子および任意に高分子電解質を介在させてなることを特徴とする有機光起電力素子により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】色分離性能が高いハイブリッド型の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、基板２１の上層に積層され３原色のうちの緑色光を吸収して光電荷を発生させる光電変換膜３０と、基板２１の表面部に配列形成され光電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部２５と、基板２１の表面部に配列形成され光電変換膜３０を透過した赤色及び青色の混色光を受光し発生した光電荷を蓄積する第１画素１２ｂのｎ領域２３と、基板２１の表面部に配列形成され光電変換膜３０を透過した混色光のうち赤色光を受光し発生した光電荷を蓄積する第２画素１２ａのｎ領域２３と、第２画素１２ａのｎ領域２３の上部に設けられ青色光を遮光するカラーフィルタ層３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＳｉＣ、または、ＧａＡｓなどの他のバンドギャップの大きい基板素材と、電界を段階的に変化させるために電極外周に隣接して或いは基板外周に隣接して、基板上に形成された好ましくはＳｉＮから成る電界変化ライナとを有する改良された光伝導スイッチ。 （もっと読む）

【課題】量子ドット赤外線検知器に関し、電流ブロック層を成す結晶の成長が容易であること、及び、同じく暗電流に対する電位障壁高さが高いことを両立させ、特性良好な量子ドット型赤外線検知器を実現しようとする。
【解決手段】ＧａＡｓからなる埋め込み層１の上に形成され且つＧａＡｓに比較して禁制帯幅が小さいＩｎＧａＡｓからなる電流捕獲層２と、電流捕獲層２の上に形成された量子ドット５と、量子ドット５が形成された面内に於ける量子ドット５が存在しない領域に形成され且つ少なくともＧａＡｓに比較して禁制帯幅が大きいＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層３とを備えること、及び、量子ドット５を作製するには、ストランスキー・クラスタノフ成長モードに依ることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】高度な量子効果により高感度で赤外線を検知することができ、室温近くの温度条件下においても動作させることが可能な量子型赤外線センサを提供すること。
【解決手段】中心細孔直径が１．５〜５．０ｎｍであるメソ多孔体１１と、メソ多孔体１１の細孔内に配列された波長３〜１５μｍの光に対する屈折率が１．７〜２．１の範囲にある金属酸化物１２と、金属酸化物１２に電気的に接続されている電極１３とを備えること特徴とする量子型赤外線センサ。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ系材料を用いた放射線検出器の安定性および信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶を検出層に有する構造とする。或いは、Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶、またはＢｅを含むII−VI族材料でＣｄＴｅ系結晶からなるＸ線検出層表面が保護された構造とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法において、簡易な電極構造によって平面化・小型化が容易であると共に、より簡便な構造で低コストなセンサ構造を得ること。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成され溝部２で少なくとも２つに分離された誘電体層３と、分離された各誘電体層３上に形成された電極４と、を備えている。この簡易な構成により、入射光の強度、ガス濃度、温度及び湿度のいずれの変動に対しても電極４間で電気的特性の変化を得ることができ、低コストなセンサとして対応することができる。 （もっと読む）

【課題】検出した画像の画質を向上し、製造歩留まりの高い放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、ＴＦＴ回路基板５の上部に画素電極５７を置き、下部光電変換膜３７、導電性中間膜３５、上部光電変換膜３３とを含む光導電層３を形成する。下部光電変換膜３７は、実質的にはＴＦＴ６３および画素電極５７の全域を覆う。下部光電変換膜３７は上部光電変換膜３３を形成する種結晶膜として機能するとともに、画素電極５７との界面で生じるショットキー障壁の大きさを小さくし、また、画素電極５７の表面の凹凸を埋めている。 （もっと読む）