【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線イメージングにおける解像度を改善する技術を提供すること。
【解決手段】Ｘ線撮像装置１は、スピン固定層１１と、非磁性中間層１２と、スピンフリー層１３とが積層されたスピン注入磁化反転素子６を画素として備え、２次元アレイ上に設けられた複数の画素と、上部電極９と、下部電極８とを有して、スピンフリー層１３側から単色円偏光Ｘ線ビームを受光する受光画素部２と、磁化反転させるスピン注入磁化反転素子６を選択すると共に、受光画素部２の受光面に亘って画素を走査する画素選択手段と、上部電極９および下部電極８を介してスピン注入磁化反転素子６に流れる電流の方向とその大きさを制御して、スピンフリー層１３にスピン注入することで、スピンフリー層１３の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段と、選択されたスピン注入磁化反転素子６がＸ線を吸収することによって発生する電流の値を検出する信号電流検出処理部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】短絡などを生じた欠陥画素が存在したとしても、その周囲に異常な出力電流が出力される領域が拡がらないようにして、イメージセンサの生産性を向上させる。
【解決手段】イメージセンサを、第１光伝導体型素子６と第２光伝導体型素子８とを含む複数の画素１と、第１光導電体型素子６及び第２光導電体型素子８に接続された出力電極１２Ｂと、複数の画素１のそれぞれに含まれる第１光導電体型素子６に接続された共通電極１２Ｃと、出力電極１２Ｂと共通電極１２Ｃとの間に設けられ、動作時に流れる電流の方向と逆向きの電流が流れるのを阻止する整流素子７Ａ，７Ｂとを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】特定の電磁波波長のみを選択的に取り出す技術を、化学的に安定、低コスト、低背化構造で実現することができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子３１の画素部分においては、底面にフォトセンサ２４が配置され、その上部に４層の平滑化層２２と３層の金属配線２３とが、記載の順に交互に積層されている。最も上面の平滑化層２２の上部には、金属光学フィルタ４１Ｌ、４１Ｓ、およびオンチップ集光素子２１が記載の順に下から積層されている。金属光学フィルタ４１Ｓと金属光学フィルタ４１Ｌとを積層することにより、バンドパスフィルタが容易に実現化される。本発明は、固体撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、断線箇所を直接修復することによる画像欠陥を生じることなく、断線による画像への影響を抑制する。
【解決手段】電極層の所定の線状電極に断線箇所Ｃ１がある場合、その断線箇所Ｃ１が存在する線状電極５ａの端部と断線箇所が存在する線状電極５ａに隣接する線状電極５ｂとを接続部材２０を介して接続し、その接続後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層によって光電変換層が形成された量子ドット型赤外線検知素子の量子効率を大きくすること。
【解決手段】半導体基板と、同一平面上に形成された複数の量子ドットと前記量子ドットを覆う中間層を有する複数の量子ドット層が、前記半導体基板上に積層された複数の光電変換層と、前記半導体基板に整合した、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が積層された歪緩衝層を具備し、前記歪緩衝層を介して複数の前記光電変換層が積層されていること。 （もっと読む）

検出を行ういくつかの双安定吸収体素子（２）に結合された一次元導波路（１）に基づく光子検出／計数装置の設計であって、前記装置はマイクロ波放射（３）の検出および特性化に応用される。前記検出は、誘起された放射から生じる吸収された光子の通過時に、その状態が不可逆的に変化されるキュービットを用いて行われる。
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【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

本発明は、画素１のアレイを有する放射線検出器１０に関し、各画素１は、入射放射線を電気信号に変換する半導体材料４の変換層を有し、各画素１は、前記入射放射線により生成される光子の少なくとも一部を吸収するバリア材料で少なくとも部分的に充填されるトレンチ３により囲まれる。本発明は、このような放射線検出器１０を製造する方法にも関する。
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【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびに光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材と、を備え、集光部材が光電変換層に隣り合う位置に設置されている光センサ、その光センサを含む光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびにその光センサの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光スイッチをアレイ化してもスクリーニング効果により、十分なテラヘルツ波の出力が得られない。
【解決手段】テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波エミッタ装置であって、半導体テンプレート１４と、その上に形成されたアンテナパターンとを備え、前記アンテナパターンは、ダイポールアンテナを構成する第１のアンテナ電極と第２のアンテナ電極とからなる光スイッチ１２が複数並べられた光スイッチアレイと、複数の光スイッチ１２の第１のアンテナ電極同士を接続する第１の伝送線路１１と、複数の光スイッチの第２のアンテナ電極同士を接続する第２の伝送線路１１とを有し、複数の光スイッチ１２は、前記第１のアンテナ電極の先端部と前記第２のアンテナ電極の先端部とがギャップ１３を介して対向し、それぞれのアンテナ電極の先端部が、ギャップ１３に向けて漸次幅狭に形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線を検出する検出感度をより向上させた量子ドット型赤外線検知器を提供する。
【解決手段】中間層１と、中間層１に挟まれ、且つ、キャリアに対するエネルギーポテンシャルが低い量子ドット４を含む量子ドット層２により形成される量子ドット構造７を有する量子ドット型赤外線検出器である。中間層１と量子ドット４が、Ｖ族元素がＡｓであるIII-Ｖ族化合物半導体からなり、中間層１と量子ドット４を含む量子ドット層２との界面の一方で、且つ、少なくとも量子ドットを覆うようにＡｌＡｓ層５が設けられている。量子ドット３と中間層１を構成する元素の相互拡散を防止して量子ドット／中間層界面を急峻にし、それによって検出感度を向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、装置構成を簡略化でき、小型の光受信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光受信装置は、信号光を受信するフォトダイオードと、給電光を受光するフォトセルと、キャパシタと、を備える光受信装置であって、前記フォトダイオード及び前記フォトセルは、いずれか一方のアノードと他方のカソードとを接続することで直列に接続されて同一の半導体チップに形成されており、前記キャパシタは、一端が前記フォトダイオードと前記フォトセルとの接続点に接続され、前記フォトダイオードからの電気信号をグランドに結合することを特徴とする。 （もっと読む）