従来のＣＭＯＳ製造技術を使用して、受動光デバイスおよび能動電気光デバイスの形成を標準ＣＭＯＳ電気デバイスと共に共通ＳＯＩ構造に集積化する。電気デバイスおよび光デバイスは、同じ表面ＳＯＩ層（比較的薄い単結晶シリコン層）を共有し、そして様々な必要な半導体層がこのＳＯＩ層の上に形成される。いくつかの例では、一組のプロセス・ステップを使用して、電気デバイスと光デバイスの両方の領域を同時に形成することができる。有利なことには、同じ金属化プロセスを使用して、電気デバイスおよび能動電気光デバイスの電気接続を実現することができる。
（もっと読む）

【課題】 内部応力による検出部等の傾きが発生しない赤外線検出器およびそれを含む赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
検出部の温度変化を検知膜で検出する略矩形の赤外線検出器が、基板と、検知膜が設けられた検出部と、検出部を基板上に支持する支持脚と、支持脚に設けられ、検知膜と接続された配線層とを含む。赤外線検出器の対角線の交点における、基板表面に対する法線に対して、支持脚が線対称となるような構造を有する。赤外線固体撮像装置は、マトリックス状に配置された赤外線検出器を含む。 （もっと読む）

【課題】 光導電性焼結体の記録用光導電層と読取層とを別個に作成し、導電性接着剤により接着して形成する放射線画像検出器において、良好な解像度の放射線画像を取得する。
【解決手段】 平板上のＢｉ₁₂ＭＯ₂₀焼結体を形成後、線状のマスクを形成し、その後強酸によりエッチングを行い、終了後にマスクを除去する。エッチングにより記録用光導電層１２に多数の線状の溝１２ａが形成され、マスクが設けられた部分は、多数の線状の凸部１２ｂとなる。その後記録用光導電層１２と読取層１９とを導電性接着剤１７により接着する。記録用光導電層１２の読取層１９と相対する面に、線状の溝１２ａが、第２の電極層１５の読出線状電極１５ｂと略平行にかつ１対１に対応して配置されているため、放射線画像の記録あるいは読出の際に、接着面内における電荷の移動が抑制され、各読出線状電極１5ｂにより読み出される信号間のクロストークが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の深さ方向に複数のフォトダイオードを設け半導体の光吸収係数の波長依存性を利用してカラー信号を分離して検出する撮像素子で、暗電流を低減する。
【解決手段】 信号読出回路１１７，１１８に接続される高濃度不純物領域１０７，１０８が表面部に形成された半導体基板１０１と、半導体基板１０１の浅部に形成された青色光検出用のフォトダイオード１０２，１０３，１０４と、半導体基板１０１の深部に形成された赤色光検出用のフォトダイオード１０４，１０５，１０６とを備える単板式カラー固体撮像素子１００において、各フォトダイオードの夫々に連設され半導体基板の表面に露出する接続領域であってフォトダイオードの蓄積電荷を対応の前記高濃度不純物領域１０７，１０８に移動させる接続領域１０３ａ，１０５ａを、高濃度不純物領域１０７，１０８に接する部分にのみ形成する。 （もっと読む）

入力繰返し光パルス信号の極短光パルスのパルス幅を決定する装置は、上面分布ブラッグ反射器と下面分布ブラッグ反射器(5、6)の間に位置する活性領域(4)を有するマイクロキャビティ(3)の形態の2光子吸収検出器(2)を含む。光ファイバケーブル16が、基準繰返し光パルス信号と結合された入力光パルス信号を、検出器(2)の入射面(8)に対して垂直に誘導する。この入力光パルス信号は、偏光スプリッタ(19)で分割されて基準光パルス信号を形成し、この基準光パルス信号は、遅延線(23)を通して偏光光結合器(20)に送られて入力光パルス信号と結合され、光ファイバケーブル(16)によって入射面(8)に誘導される。遅延線(23)は、マイクロキャビティ(3)内でパルス光電流を生み出すために、入力光パルス信号と基準光パルス信号のそれぞれの光パルスを交互に互いに同相および位相外れとするように操作される。モニタリング回路 (14)がこのパルス光電流を監視し、光パルスのパルス幅が、パルス光電流トレースの半値全幅として決定される。入力および基準光パルス信号が入射面(8)に入射するときの入射角を変化させることによって、所定の波長範囲内のさまざまな波長の入力光パルス信号に合わせて装置を調整することができる。
（もっと読む）

【課題】 既存の材料で光電変換膜を形成できる光電変換膜積層型カラー固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０１の上層に緑色光を吸収して光電荷を発生させる光電変換膜１０を積層すると共にシリコン基板１０１の深さ方向の浅部と深部とに夫々フォトダイオードを形成し、シリコンの光吸収係数の波長依存性により該シリコン基板に浸入する光を青色光と赤色光の２色に分離し、シリコン基板１０１の浅部で発生した光電荷を浅部のフォトダイオードで検出してこれを青色光による信号とし、シリコン基板１０１の深部で発生した光電荷を深部のフォトダイオードで検出してこれを赤色光による信号とする光電変換膜積層型カラー固体撮像素子において、光電変換膜１０とシリコン基板１０１との間に、光電変換膜１０を透過しフォトダイオードに入射する光の各色光強度を調整するトリミング層１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 簡易な製膜プロセスで作成できる信頼性の高い放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 放射線画像検出器１０は、放射線を透過する第１の電極層１１、ブロッキング用光導電層１２、第１の電極層１１を透過した放射線の照射を受けることにより該放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１３、記録用光導電層１３において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用し、かつ読取光Ｌ２の照射により電荷を発生する読取用電荷輸送性光導電層１４、ブロッキング用光導電層１５、および読取光Ｌ２を透過する第２の電極層１６をこの順に積層してなるものである。蓄電部１７には、記録用光導電層１３内で発生した潜像電荷が蓄積され、読取光Ｌ２の照射により読み出される。従来必要であった、電荷輸送層の上に記録用光導電層を積層する製膜プロセスが不要になる。 （もっと読む）

【課題】 １種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。
【解決手段】 量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 （もっと読む）

【課題】 他局から送信される光を精度よく検出することができる電気光学素子、電気光学素子の製造方法、及びその電気光学素子を用いた光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 第１の光の光路の一部を含む領域にある第１の受光素子部１２０ａは、発光素子部１４０ａが発するＧａＡｓ基板１０１に略垂直に発せられる第１の光を受けることにより、第１の光の状態を監視し、一方、第２の受光素子部１２０ｂは、第１の光の光路上に形成されていないことから、ほとんど第１の光を受けず、光ファイバから入射される第２の光だけを受けるようにする。 （もっと読む）

アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間の有機阻止層を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイスであって、前記阻止層はフェナントロリン誘導体を含有し、励起子、電子及び正孔のうち少なくとも一つを、少なくとも部分的に阻止する。
（もっと読む）

【課題】 量子ドット型赤外線検知器に関し、光電流を低減することなく暗電流を低減する。
【解決手段】 中間層６と格子定数が異なり且つ中間層６より電子エネルギーポテンシャルが低い第１の量子ドット１と、中間層６と格子定数が異なり且つ中間層６より電子エネルギーポテンシャルが高い第２の量子ドット４とを互いに異なる部位になるように中間層６中に設けるとともに、第１の量子ドット１と中間層６の格子定数の大小関係を、第２の量子ドット４と前記中間層６の格子定数の大小関係と逆にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体に形成された配線層に熱的影響を与えずに支持基板を貼り合わせることができ、また貼り合わせた後の歪の発生を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体４内に光電変換素子ＰＤを形成する工程と、半導体基体４の表面側に、絶縁層７中に配線層８を有する配線部を形成する工程と、この配線部のさらに表面側に接着剤層９を形成し、熱処理を行うことにより、接着剤層９を介して支持基板３０を貼り合わせる工程と、半導体基体４を裏面側から薄くする工程とを有し、接着剤層９として、有機ケイ素系材料を原料として用いた炭素添加ＳｉＯ_２膜を形成して固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜を用いた光電変換技術に関し、高効率の発電特性を発揮する光電素子及び太陽電池に関する。
【解決手段】 光電素子(31)を構成する複合層(11)が、光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第1光捕集膜(A1)と、この光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第1正孔輸送膜(P1)と、第ｎ−１光捕集膜(An-1)を通過した光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第ｎ光捕集膜(An)と、第ｎ光捕集膜(An)及び第ｎ−１光捕集膜(An-1)に挟持され、励起した前記光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第ｎ正孔輸送膜(Pn)と、第ｎ−1光捕集膜(An-1)及び第ｎ光捕集膜(An)を連結する光捕集膜連結子(41)と、第ｎ−1正孔輸送膜(Pn-1)及び第ｎ正孔輸送膜(Pn)を連結する正孔輸送膜連結子(42)と、を備える。 （もっと読む）

Ｘ線／ガンマ線撮像カメラ用の高電圧スイッチング電源装置（１０）は高電圧スイッチングおよび脱分極能力を与える。電源装置は高電圧分極スイッチングおよび画像検出器電荷ブリード回路（９０）を含み、Ｃｄ−Ｔｅ系検出器基板、特に検出器材料の電荷蓄積は撮像効率を低下するブロックされたコンタクトを有する基板を利用する高エネルギ放射線撮像カメラで特に有用である。
（もっと読む）

【課題】使用中の特性劣化を防止する。
【解決手段】半導体Ｘ線検出素子１０を収容するデュワから出てきたガスがｉ層３やｐ層４に付着するのを防止するための笠状部材８を、ｎ面電極１の周囲に張り出して設ける。
【効果】デュワからに出てきたガスが半導体Ｘ線検出素子１０のｉ層３やｐ層４に到達する前に笠状部材８に付着してしまうので、半導体Ｘ線検出素子１０の汚染が防止されて、特性の劣化を防止することが出来る。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
（もっと読む）

【課題】 高効率な光電変換素子、及び前記光電変換素子を用いた高画質のデジタル放射線画像が得られる放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 透明電極と、前記透明電極を透過した光を吸収し電荷分離を行う光電変換層と、前記光電変換層を挟んで前記透明電極と反対側に設けられた対電極を有する光電変換素子において、光電変換層は、電子受容体および電子供与体を混合した複数の層を有し、前記複数の層は、それぞれ電子受容体と電子供与体の混合比が異なることを特徴とする光電変換素子。また、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光エネルギーを電気エネルギーに変換する第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層と、支持体である第４層を有する放射線画像検出器において、第２層に前記光電変換素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】 複数の受光領域を備える受光面部を有する受光素子の検査方法であって、容易に受光素子と照射位置とを位置決めすることができる受光素子の検査方法を提供する。
【解決手段】 受光素子の検査方法によれば、第１方向Ｘに伸びる長手状の照射領域２１となるように検査用の光１２を照射し、受光部２０の全域にわたって検査用の光１２が照射されるように、第２方向Ｙに検査用の光１２を走査し、走査している期間にわたって各受光領域１９の出力を検出する。照射領域２１が１つの受光領域１９だけではなく、複数の受光領域１９を含む照射領域２１となるように照射されるので、受光領域１９と照射領域２１との位置決めを容易に行うことができる。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
（もっと読む）