【課題】平面型の光導波路と、この光導波路の導波面から外れて設置された光学素子とを結合させることができ、容易でかつ安価なコストで製造できる光結合器を提供する。
【解決手段】光導波路３０と、光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層４０とを具える。光導波路は、支持基板２０の第１主表面にクラッド３１及びコア３３が順次積層されて構成されている。高屈折率層は、コアの上面３３ａ上に設けられ、かつコアの上面からの離間距離が光の伝播方向１００に沿って連続的に狭まる反射面４０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。窒化ニオブ配線１３は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路１５を介してバイアス源に接続されて、超伝導状態において使用される。基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。光カップリング効率Ｐｃが飽和する基板１０の厚み範囲Ｌ１opt内に、基板１０の厚みＬ１が設定されている。 （もっと読む）

【課題】外部から浸入する水分を抑え、耐湿性、接着性、貯蔵安定性、低温硬化性にすぐれたシール剤を提供し、Ｘ線検出用シンチレータ膜の劣化を防止して長期安定性の高いＸ線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるエポキシ樹脂シール剤は、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂と、下記化学式で示されるジシクロペンタジエンエポキシ樹脂と、からなる混合物と、
【化１】


（上記化学式中、Ｒ１はそれぞれ水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示し、ｎはそれぞれ０〜１０の整数を示す。）
カチオン重合触媒と、無機質充填剤と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】迷光をカットして有効受光領域外への入射を低減させる双方向光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の双方向光モジュール１００は、光ファイバ７３に光を出射し、光ファイバ７３から戻り光が入射されるモジュールであって、光ファイバ７３に入射する光を発する発光素子１１０、１３０と、光ファイバ７３から出射された光を受光する受光素子１９０と、光ファイバ７３から出射された光を受光素子１９０に導く合分岐素子１６０と、を備える。そして、受光素子１９０は、光が入射する境界面１９１ａと光を受光する受光部１９７との間に高屈折率媒体である基板１９１が介在されていることを特徴とする。これにより、基板１９１を進行した戻り光が結合する位置と迷光が結合する位置との距離ｄ’は真空中を進行した場合の距離ｄと比較して大きくなり、受光部１９７に結合する迷光を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体多層膜による光フィルムの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルムに斜め入射した光と受光素子の受光部との光結合を防止する。
【解決手段】 受光素子１自体に遮光膜層７を形成する。すなわち、受光素子１の入射面側に遮光膜層７を形成し、この遮光膜層７のｐ領域４に相当する位置に開口部８を設ける。この開口部８の大きさは、入射面から受光部領域のｐ領域４に至るまでの距離に基づいて、ｐ領域４に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。 （もっと読む）

【課題】複数のレンズ及び複数のミラーを含む光受信器において、受光角を広げるために、レンズ及びミラーの数を増やすことは、コストアップに繋がる。また、光受信器を組み立てる際に、レンズとミラーとの組み合わせ毎に光軸調整を行う必要があるので、光受信器の組立が煩雑であった。
【解決手段】受光素子１２０は、第２レンズ面１０２と、焦点Ｆｐ１との間に配置される。また、受光素子１２０の受光面１２１に直接入射しない光は、ミラー１３０及び反射部１１０によって反射された後に、受光面１２１に入射する。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域の光に対して感度を有する半導体光電陰極を提供すること。
【解決手段】半導体光電陰極１は、透明基板１１と、透明基板１１上に形成され、透明基板１１を透過した光が通過可能な第１の電極１３と、第１の電極１３上に形成され、厚さが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の半導体材料から構成される窓層１４と、窓層１４上に形成され、窓層１４と格子整合する半導体材料で構成されると共に、窓層１４よりもエネルギーバンドギャップが狭く、光の入射に応答して光電子を励起する光吸収層１５と、光吸収層１５上に形成され、光吸収層１５と格子整合する半導体材料で構成されると共に、光吸収層１５で励起された光電子を表面から外部へ放出する電子放出層１６と、電子放出層上に形成された第２の電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 撮像センサ−において色再現、ＳＮ比、さらには経時保存性、微細加工時のプロセス耐性等が向上する手段を提供すること。
【解決手段】 無機光電変換膜１３（２１〜２３）上に有機光電変換膜７，８，９，１０を積層してなる光電変換素子において、無機光電変換膜と有機光電変換膜との間の絶縁膜１１，１２の厚みを１μｍ以上６μｍ以下とすること、有機光電変換膜７，８，９，１０を４層以上の多層構造とすること、有機光電変換膜上に３層以上の多層構造から成る保護膜３，４，５を形成すること、等。 （もっと読む）

【課題】 シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】 基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部と、前記基板の外周部に配置される電極取り出し部を有するセンサーパネルと、前記光電変換部上配置され、且つ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体からなるシンチレータパネルとを有する放射線検出装置であって、シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な機構を有する。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールと実装基板の接着面に充填された接着剤の残留厚さを接着面で均一とすることができ、実装基板に対する光モジュールの傾きの防止及び光伝送路の破断防止をはかる。
【解決手段】 光伝送路２が挿入されて保持される保持穴９を有し、且つ実装基板８に接着される実装面７を有する光伝送路保持部材１であって、保持穴９の一方の開口端を含む光半導体素子搭載面１ａに電気配線４が形成され、電気配線４は光半導体素子搭載面１ａに隣接する面で且つ実装面７とは異なる面まで延長され、実装面７に規則的な凹凸形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体に形成された配線層に熱的影響を与えずに支持基板を貼り合わせることができ、また貼り合わせた後の歪の発生を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体４内に光電変換素子ＰＤを形成する工程と、半導体基体４の表面側に、絶縁層７中に配線層８を有する配線部を形成する工程と、この配線部のさらに表面側に接着剤層９を形成し、熱処理を行うことにより、接着剤層９を介して支持基板３０を貼り合わせる工程と、半導体基体４を裏面側から薄くする工程とを有し、接着剤層９として、有機ケイ素系材料を原料として用いた炭素添加ＳｉＯ_２膜を形成して固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

半導体基板は、ＧａＡｓ基板またはＩｎＰ基板と、該基板上に成長させたＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層（式中、ｘは約０．０１より大きく、約０．５３より小さい）と、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層上面上にキャップ層として成長させたより広いバンドギャップのエピタキシャル層とを含む。
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半導体放射線検出器デバイスが、第１導電型の導電裏面層（１０２）およびバルク層（１０３）を含む。導電裏面層（１０２）の反対面に、第２導電型の改変内部ゲート層（１０４）、第１導電型のバリア層（１０５）、および第２導電型のピクセル・ドーピング（１１０、１１２、５０６、５１０、５１２）がある。ピクセル・ドーピングは、ピクセル電圧に結合されるように適合され、この電圧は、導電裏面層（１０２）の電位に対する電位差として定義され、信号電荷を捕捉するための検出器材料内部に電位極小点を形成する。 （もっと読む）

ｎ型半導体基板５にはその表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。 （もっと読む）