【課題】電流値を精度良く検知する。
【解決手段】磁気抵抗素子１１を備えた電流センサ１０であって、該磁気抵抗素子１１の、磁気抵抗素子１１自体に流すセンス電流に応じた出力変化（センス電流部１２による出力変化）と、磁気抵抗素子の近傍に配置される電気配線（電気配線ｗｄ２等の影響による出力変化）への電流に応じた出力変化と、の２つの出力変化に基づいて測定対象である負荷Ａへの電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、従来技術をさらに改良した装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るホールセンサの代表的な構成は、第１の接続接点および第２の接続接点および第３の接続接点を備える第１のホール素子と、第４の接続接点および第５の接続接点および第６の接続接点を備える第２のホール素子と、第７の接続接点および第８の接続接点および第９の接続接点を備える第３のホール素子と、第１０の接続接点および第１１の接続接点および第１２の接続接点を備える第４のホール素子とを有しており、第１のホール素子および第２のホール素子および第３のホール素子および第４のホール素子は直列につながれている。 （もっと読む）

【課題】 検出感度の異方性を抑えるため、磁気的等方性を有し且つ小型である磁気センサを提供する。
【解決手段】 本発明の磁気センサは、非磁性の中間層を介して２つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子の形状は複数のリングが連なった形状であり、各々のリングが電気的に接続されている状態で通電され、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗が外部磁場に対して変化することを特徴とする。前記検出素子が少なくとも２つ含まれるブリッジ回路で回転角度検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生部の相対回転角度の演算時間を短縮することができる回転センサを実現する。
【解決手段】角度演算部６０はＡＭＲセンサＭ１，Ｍ２から出力される信号を用い永久磁石２に対する相対回転角度θと演算により求めた演算角度φとの偏差が所定値に収束するようにフィードバック制御を行って相対回転角度θを演算する。初期値決定部５３はホール素子Ｈ１，Ｈ２から出力された各検出信号の各信号レベルと閾値との各比較結果を用い相対回転角度θの初期値θ０が含まれる角度範囲を判定し、その判定した角度範囲の中で発生し得る相対回転角度の初期値と前記演算角度の初期値との差の絶対値が９０°未満となるように演算角度の初期値を決定する。初期値決定部は永久磁石２が相対回転を開始する前にのみ演算角度φの初期値φ０を決定し角度演算部６０はその決定された演算角度φの初期値φ０を用いてフィードバック制御を開始し、相対回転角度θを演算する。 （もっと読む）

【課題】 回転角度の検出精度を高めながら小型化することができる回転センサを実現する。
【解決手段】 磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が各磁気抵抗素子の出力信号間に位相差が出るように配置された磁気抵抗素子領域Ｅ１と、ホール素子Ｈ１，Ｈ２が各ホール素子の出力信号間に位相差が出るように配置されたホール素子領域Ｅ２とを有し、かつ、磁気抵抗素子領域およびホール素子領域の少なくとも一部同士が重ねられたセンサチップ５と、各ホール素子の各出力レベルと閾値レベルとの比較結果を出す比較部５３と、各磁気抵抗素子の各出力信号を用いて相対回転角度θに対応する演算角度φを演算する角度演算部６０と、その演算された角度と閾値角度とを比較し、その比較結果と比較部５３の比較結果とを用い、相対回転角度に対応する信号を出力する出力部７０とを備える。 （もっと読む）

略平坦な基板の上面と称される一表面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であって、基板の前記上面は複数の傾斜面を備えた少なくとも１つの空洞または隆起を有することと、４つの前記傾斜面上には異なる、かつ対で互いに反対の方向性を有する少なくとも４つの前記磁気抵抗センサが配置され、各センサはそのセンサが配置される面に対して平行な外部磁場の一成分に感応することを特徴とする集積磁力計。このような磁力計の製造プロセス。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ比を大きくすることができるＴＭＲ素子およびそれを用いたセンサを実現する。
【解決手段】 ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。第１および第２の積層体２０，３０はピニング層４２上に配列されており、かつ、ピンド層４３およびピニング層４２によって電気的に直列接続されている。 （もっと読む）

本発明は、ホールセンサ素子に関する。当該基板は、主要表面を備えた基板と、前記主要表面から前記基板内まで延在している、導電性のアクティブ領域と、前記アクティブ領域と、第１の下方のコンタクト面で接触している、基板内の導電性の第１埋設層とを有している。別の観点では、本発明は、上記のホールセンサ素子を用いた磁界の測定方法を実現する。ここでは、電気的な測定電流は主要表面での第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で、アクティブ領域を通って導かれる。第１の下方コンタクト面と第１の上方コンタクト電極との間の接続線に対して傾斜して延在する区間に沿って、アクティブ領域でホール電圧が検出される。択一的に、測定電流が上記の区間に亘って、アクティブ領域を通って導かれ、ホール電圧が第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で検出される。
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【課題】コストが低減された回転検出装置を提供する。
【解決手段】回転体の回転に伴う磁束の変化に応じた電気信号を出力するホール素子が表面側に形成された半導体チップと、回転体及びホール素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石と、半導体チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されるターミナルと、ターミナルが一体的に鋳込まれ、少なくとも半導体チップを搭載するベース部材と、を備える回転検出装置であって、ホール素子は、半導体チップの厚さ方向に電流が流れる縦型ホール素子であり、半導体チップは、表面側に縦型ホール素子の出力信号を処理する処理回路が形成され、表面の裏面を搭載面として、ベース部材上に配置されており、ベース部材における半導体チップ搭載面側から、ターミナルにおけるボンディングワイヤが接続される接続面が露出され、該接続面と表面とが略平行とされている。 （もっと読む）

【課題】 ３６０°の角度の絶対位置検出を行う絶対位置検出方法及び絶対位置検出構造を提供する。
【解決手段】 ４つのスピンバルブ素子を接続してブリッジ回路を構成し、前記ブリッジ回路に磁界を印加する永久磁石を、前記ブリッジ回路に対して相対的に回転させ、前記永久磁石が相対的に回転することにより生じる回転磁界が前記スピンバルブ素子の膜面に対して水平方向に印加されるように構成し、前記回転磁界を発生させる回転軸と前記スピンバルブ素子の膜面に対する垂線方向とを同方向とし、前記ブリッジ回路からの出力信号を処理して、０〜３６０°の回転角度を検出することを特徴とする絶対位置検出方法。 （もっと読む）

【課題】小型化に優れた回転センサを提供する。
【解決手段】半導体基板１０に縦型ホール素子１１が作り込まれ、半導体基板１０の表面に平行な磁界を検出する。半導体基板１０上に磁気抵抗素子１２，１３が形成され、半導体基板１０の表面に平行な磁界の強さにより抵抗値が変化する。ａｒｃｔａｎ演算器によって、磁気抵抗素子１２により得られる信号と磁気抵抗素子１３により得られる信号をａｒｃｔａｎの演算をする。パルス化回路により、縦型ホール素子１１の出力信号をパルス化する。合成器によりａｒｃｔａｎ演算器による信号と、パルス化回路による信号を合成して０〜３６０°の角度においてリニアな出力が得られる。 （もっと読む）

【課題】高精度化できるとともに組付を容易に行うことができる電流センサを提供する。
【解決手段】センサチップ２０には縦型ホール素子が形成され、コア１０のギャップ１１に配置される。ケース３０は樹脂製ケース本体３１とケースカバー３２とにより構成され、樹脂製ケース本体３１の収容室３３にはコア１０およびセンサチップ２０が、センサチップ２０がベアチップの状態で、かつ、センサチップ２０の縦型ホール素子形成面２０ａが磁界の向きと平行になるように固着されている。センサチップ２０と接続端子３４とがボンディングワイヤー３５により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の好適な補正を可能とし、オフセット電圧等に関する補正回路を備える構成にあっては、その回路規模の縮小化を図ることのできる縦型ホール素子を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面（半導体領域１２）に、対をなしてホール電圧信号を出力する電圧出力端、および対をなして磁気検出部ＨＰに電流を供給する電流供給端を、同一のパターンで３つのパターンをもつ態様で形成する。これら３つの同一パターンは、１つの基準パターン（コンタクト領域１３ｂ〜１７ｂによるパターン）と、これを基準（対称軸）にして互いに対称（線対称）な関係をもつパターン対、すなわちコンタクト領域１３ａ〜１７ａによるパターンとコンタクト領域１３ｃ〜１７ｃによるパターンとによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】当該ホール素子の形成に用いる基板の選択自由度を高めることのできる縦型ホール素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この縦型ホール素子は、Ｐ型のシリコンからなる半導体基板に形成され、同基板の表面に垂直な成分を含む電流がＮ型の半導体領域１２内の磁気検出部ＨＰに供給された状態で、同基板の表面に平行な磁界成分が磁気検出部ＨＰに印加されるとき、その磁界成分に対応するホール電圧信号を出力する。ここでは、半導体領域１２を、基板にＮ型の導電型不純物を添加し、それを拡散させることによって形成することとする。また、半導体領域１２は、深さ方向に濃度変化をもって形成されている。 （もっと読む）

【課題】当該ホール素子を含めたその周辺の電位を固定して、より高い精度での磁気検出を可能とする縦型ホール素子を提供する。
【解決手段】導電型不純物の添加された（ドーピングされた）多結晶シリコンからなる導電性膜材ＣＴを当該ホール素子の半導体基板の内部に形成し、該導電性膜材ＣＴとコンタクトを形成する配線を介して、同基板をグランド電位に固定する。またここでは、導電性膜材ＣＴを、同基板に形成されたトレンチＴ１の内部に絶縁膜ＩＬ１を介して埋設するようにして、これにより、当該半導体基板の内部に磁気検出部ＨＰ１を区画形成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】温度特性に起因するホール電圧の変動を高い精度のもとに補正することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】被検出対象物から発せられる磁界を検出すべく配設された検出用縦型ホール素子１０と、この検出用縦型ホール素子１０と同一の特性を有して同検出用縦型ホール素子１０の近傍に配設される温度モニタ用縦型ホール素子２０とを備えて磁気センサを構成した。そして、検出用縦型ホール素子１０から出力されるホール電圧と、温度モニタ用縦型ホール素子２０の端子Ｓと端子Ｇ１，Ｇ２との間からその端子間電圧として取り出される温度モニタ電圧とによりそれら電圧の温度特性を相殺する演算を減算回路３０にて行い、この減算回路３０の出力電圧Ｖｃをセンサ出力とした。 （もっと読む）