【課題】磁気抵抗センサの小型化に起因して生じる問題としては、固定層モーメントが不安定になることである。従来のＡＦＭ固定化やＡＰ接続のような固定化機構のみでは、固定層の磁気モーメントの固定化を維持するには不十分である。
【解決手段】固定層構造３０８は、表面を異方的に粗くしたシード層３２６上に形成される。この異方的な粗さにより、固定層３１６，３１８において磁気異方性が生じる。処理されたシード層３２６により、厚いＡＦＭ層を必要とせずに、固定層の頑丈な固定を維持することができ、空隙の大きさも減少する。異方的な粗さは、シード層４０２の表面の法線に対して傾斜角度で施される低電圧イオンミル４０４により、シード層の表面に形成可能である。イオンミルは、９領域イオン抽出グリッドを用いて、２０から１００ボルトで施すことができる。イオンミルの角度は、シード層の表面の法線に対して２０〜８０°である。 （もっと読む）

【課題】磁界検出素子において、トンネルバリア層をより平坦に形成する。
【解決手段】磁界検出素子は、下部層７と、非磁性・非導電性のトンネルバリア層８と、上部層９とを有している。下部層７、トンネルバリア層８、および上部層９はこの順で互いに隣接して積層されている。センス電流２２に対する抵抗値が外部磁界に応じて変化することによって外部磁界の大きさを検知するように、下部層７と上部層９のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】差動動作などを行う場合に、記録、読み出しの条件のばらつきの影響が少ない磁気メモリを提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の配線の上下に形成された第１及び第２の磁気抵抗効果素子と、前記第１の配線の上側及び下側において、前記第１の方向とそれぞれ交差する方向に延在する第２及び第３の配線と、を備え、前記第１の配線に電流を流しつつ前記第２及び第３の配線の少なくともいずれかに電流を流して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子の少なくともいずれかの記録層に対して電流磁界を印加することにより多値情報のいずれかを記録し、前記第１の配線を介して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すことにより得られるこれら磁気抵抗効果素子からの出力信号の差分を検出することにより、多値情報のいずれかとして読み出す。 （もっと読む）

【課題】 狭トラック化においても適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フリー磁性層２６上にはＲｕなどで形成された非磁性層２７が形成され、前記非磁性層２７の両側端部２７ａ上には強磁性層２８及び第２反強磁性層２９が設けられている。前記強磁性層２８とフリー磁性層２６の両側端部Ｓ間には効果的に強磁性的な結合が生じている。本発明では、前記フリー磁性層２６の両側端部Ｓにイオンミリングによるダメージが与えられず、上記の強磁性的な結合により前記フリー磁性層２６の磁化制御を適切に行うことができ、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。
【解決手段】強磁性自由層７２２は、自由層の蒸着平面およびＡＢＳ平面の交点として画定される長手方向軸に対して角度θ_ｆｂの第１の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。強磁性の基準層７１６は、前記第１の方向に直交しない前記長手方向に対して角度θ_ｒｂの第２の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。 （もっと読む）

【課題】低保持力（Ｈｃ＜５×１０³ ／（４π）Ａ／ｍ）、低磁歪（λｓ＜５×１０^-6）および高ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ≧１０％）が得られる磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ磁気再生ヘッドに適用されるスピンバルブ構造体１のフリー層２７が、組成Ｃｏ_v Ｆｅ_(100-v) （ｖ＝２０原子％〜７０原子％）で表される高Ｆｅ含有量の下部ＦｅＣｏ層２５と、組成Ｎｉ_w Ｆｅ_(100-w) （ｗ＝８５原子％〜１００原子％）で表される高Ｎｉ含有量の上部ＮｉＦｅ層２６とを含んでいる。ｖ＝２０原子％未満およびｗ＝８５原子％未満である場合と比較して、保持力が低く維持されたまま、磁歪が低くなると共に、ＭＲ比が高くなる。 （もっと読む）

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。
【解決手段】磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性体層と、磁化の方向が可変の第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた第１の中間層と、を備え、磁気記録媒体から前記第２の強磁性体層に電子電流を流入させて前記第２の強磁性体層の前記磁化を前記電子電流のスピン偏極状態に応じた方向とし、前記第１の強磁性体の前記磁化の方向と前記第２の強磁性体の前記磁化の方向の相対的な関係に応じて決定される前記第１及び第２の強磁性体層の間の抵抗の変化を検出することにより前記磁気記録媒体に記録された情報の読みとりを可能としたことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。
【解決手段】センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。電子反射層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物でもよい。スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電気的な短絡を生じることなく安定した磁気情報の書込および読出をおこなうことのできる磁気メモリセルを提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリセルは、ＭＴＪ素子１と、これをその積層方向において挟んで対向するワード線２１およびビット線３１を備える。ＭＴＪ素子１は、最上層にキャップ層１１を含むスタック１０と、このスタック１０の周囲を、端面１０Ｔと接するように取り囲み、かつ、シリコン窒化物からなるスペーサ３３と、このスペーサ３３の周囲を取り囲むシリコン酸化物層５１とを備える。キャップ層１１の上面１１Ｓは、シリコン酸化物層５１の上面５１Ｓよりもワード線２１から離れる方向へ突き出している。スペーサ３３によって短絡を抑制することができる。さらに、上面１１Ｓとビット線３１との確実かつ良好な接続を容易に可能とする構造となっている。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は磁気/非磁気/磁気多層フィルムに用いられるコア複合膜に関し、自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層を包含する。当該コア複合膜はただ隔離層がLB膜層であり、当該隔離層が絶縁性、導電的又は有半導体性質の材料からなる有機LB膜である。当該コア複合膜は前記の自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層がすべてLB膜層であってもよい。その中にピンニングされた磁気層と自由磁気層が磁気のある材料有機膜で構成された。当該コア複合膜が磁気抵抗スピンバルブセンサーに応用され、磁気抵抗スピンバルブセンサーの磁誘導単位を構成でき、磁気抵抗ランダムアクセスメモリに応用され記憶単位とされる。当該コア複合膜が大面積範囲に均一性と一致性を保持し、そのプロセスが簡単で、コスト廉価であり、かつLB有機膜を利用し従来の隔離層と磁気層に代えて、デバイスを更に軽くし、さらに薄くし、更に加工と集積化させることができる。 （もっと読む）

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子構造とＭＴＪ素子構造の製造方法とが提供される。ＭＴＪ素子構造（１０）は、結晶質ピン層（２６）、非晶質固定層（３０）、および前記結晶質ピン層と前記非晶質固定層の間に配置された結合層（２８）を含み得る。非晶質固定層（３０）は結晶質ピン層（２６）に反強磁性的に結合される。前記ＭＴＪ素子は更に、自由層（３４）と、前記非晶質固定層と前記自由層の間に配置されたトンネル障壁層（３２）を含む。別のＭＴＪ素子構造（６０）は、ピン層（２６）、固定層（３０）、およびそれらの間に配置された非磁性結合層（２８）を含み得る。固定層（３０）と自由層（３４）の間にトンネル障壁層（３２）が配置される。トンネル障壁層（３２）と非晶質材料層（３０）に隣接してインタフェース層（６２）が配置される。第１インタフェース層（６２）は、非晶質材料（３０）のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成される。
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本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）

磁気メモリに用い得る磁気素子を作製するための方法及びシステムを開示する。磁気素子には、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層とが含まれる。スペーサ層は固定層と自由層との間にある。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン転移を用いて切換え得る。磁気素子には更に、バリア層と第２固定層とを含み得る。他の選択肢として、第２固定層と第２スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第２自由層とが含まれる。少なくとも１つの自由層が高垂直異方性を有する。高垂直異方性は、面外減磁エネルギの少なくとも２０％であり且つ１００パーセント未満である垂直異方性エネルギを有する。
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