【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子の機能低下を抑制することのできる磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、磁化状態に基づいたデータを保持可能な磁気記憶素子ＭＭと、発生する磁界により磁気記憶素子の磁化状態を変化させることが可能なディジット線ＤＬおよびビット線ＢＬとを備えている。磁気記憶素子ＭＭは、ディジット線ＤＬとビット線ＢＬとの交差部分において、ディジット線ＤＬの上であってビット線ＢＬの下に配置されている。ディジット線ＤＬはこの交差部分において幅ＷＤＬを有しており、かつビット線ＢＬはこの交差部分において幅ＷＢＬを有している。幅ＷＤＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ１よりも大きく、かつ幅ＷＢＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】最適な書き込み電流を磁気抵抗素子に供給する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた選択トランジスタ１３と、半導体基板１１の上方に設けられ、かつ第１の方向に延在する第１の配線層ＢＬと、磁化の方向が固定された固定層２２Ａと、固定層２２Ａ上に設けられた非磁性層２２Ｂと、非磁性層２２Ｂ上に設けられかつ磁化の方向が可変である記録層２２Ｃとを有し、かつ第１の配線層ＢＬの上方に設けられ磁気抵抗素子２２と、第１の方向に延在し、かつ選択トランジスタ１３の拡散領域１７に電気的に接続された第２の配線層ｂＢＬとを含む。固定層２２Ａは第１の配線層ＢＬに電気的に接続され、記録層２２Ｃは選択トランジスタ１３の拡散領域１６に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れたスピンメモリの実現。
【解決手段】 強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。読み出し動作時には、非磁性ビット線と配線との間に電流を流し、磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性を向上させ、かつ磁化反転の際の反転電流密度をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化し、かつ（００１）面が配向したｆｃｔ型の結晶構造を有する磁化自由層１２と、磁化自由層１２を挟むように設けられ、かつ正方晶型或いは立方晶型の結晶構造を有する第１および第２の非磁性層１３，１４と、磁化自由層１２の一方の側のみに設けられ、かつ第１の非磁性層１３の磁化自由層１２が設けられた面と反対面に設けられ、かつ磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつ磁化の方向が固着された磁化固着層１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。ＣｏＦｅＡｌの組成は、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（５５，１０，３５）、点Ｂ（５０，１５，３５）、点Ｃ（５０，２０，３０）、点Ｄ（５５，２５，２０）、点Ｅ（６０，２５，１５）、点Ｆ（７０，１５，１５）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域内に設定されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子におけるスペーサ層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇからなる群から選択される元素を主成分とした第１の金属層を形成し、この第１の金属層上にＳｉ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｃｒ，およびＺｒからなる群から選択される元素を主成分とする機能層を形成し、この機能層上にＡｌを主成分とする第２の金属層を形成し、この第２の金属層に対して、酸化・窒化・酸窒化を行い、絶縁層、及びこの絶縁層の層方向に電流を通過させる導電体を有する電流狭窄層を形成することによって構成する。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴのスピン注入書き込み時に消費する電流を低減する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される第１強磁性層１３と、スピン注入電流により磁化方向が変化する第２強磁性層１４と、第１及び第２強磁性層１３，１４の間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１７を介して形成されるゲート電極１８と、スピン注入電流を第２強磁性層１４に供給する経路になると共に、スピン注入電流により発生する磁場Ｈａが第２強磁性層１４の磁化困難軸方向に作用するようにレイアウトされる導電線２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のコア幅方向のサイズが小さくなった場合でも、バルクハウゼンノイズを抑え、出力を確保できる磁気抵抗効果素子および磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】導電材からなる非磁性層２２を中間層として固定磁性層２０と自由磁性層２４とを積層して形成されたセンス部３０と、前記自由磁性層２４に縦方向のバイアス磁界を作用させる強磁性層２６と、前記非磁性層に電気的に接続する電極２７ａ、２７ｂとを備える磁気抵抗効果素子であって、前記センス部３０のコア幅方向の一方側に、前記強磁性層２６が配置され、前記センス部３０の、コア幅方向の他方側に、磁性材からなるシールド層２８が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３値以上の多値記録が可能であり、かつ製造の容易なスピン注入磁化反転素子を提供することにある。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子において、磁化が第１の方向に実質的に固定された強磁性固定層１３と、非磁性の分離層１４と、磁化の方向が可変の２以上の強磁性フリー層１５、１６、１７を備え、強磁性固定層１３は分離層１４の一方の主面に配置され、前記各強磁性フリー層１５、１６、１７はそれぞれが分離層１４の他方の主面に接して配置する。 各強磁性フリー層１５、１６、１７は、膜厚、磁化反転臨界電流密度または保磁力が全て異なることが好ましい。 また、スピン注入磁化反転素子を用いて磁気記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。
【解決手段】１層以上の強磁性層と非磁性層で構成された磁化自由層４Ｃ及び積層フェリピン構造の磁化固定層４Ａの間にＧＭＲ型の場合は非磁性金属層４Ｂが介在し且つ磁化自由層４Ｃ近傍に発熱層４Ｅが設けられてなる磁気抵抗効果素子を備えて動作させることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】 スピン依存バルク散乱抵抗を高く維持したまま、保磁力を低減させた磁性膜を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料を含むピンド層(5A)、非磁性導電材料からなる非磁性中間層(10A)、及び外部磁場の影響を受けて磁化方向を変化させる強磁性材料からなるフリー層(20)がこの順番に積層されてスピンバルブ膜(30)が構成される。一対の電極(2A,2B)が、スピンバルブ膜に、その積層方向の電流を流す。ピンド層及びフリー層の少なくとも一方は、強磁性を示す元素の組成比が第２の層のそれより高い第１の層(8,21)と、非磁性を示す元素の組成比が第１の層のそれよりも高い第２の層(9,22)とが交互に配置され積層部分を含む。この積層部分に、第１の層は少なくとも２層含まれ、第２の層は少なくとも１層含まれる。 （もっと読む）

【課題】 高集積度を実現可能なスピン注入書き込み方式の磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。選択線１３は、第１方向に延在し、選択トランジスタのゲート電極に接続される。第１配線１２は、第２方向に延在し、第１ノードに接続される。第２配線１１は、第２方向に延在し、第２ノードに接続される。第１方向に隣り合うメモリセル同士で、第１ノードを共有し、第２方向に隣り合うメモリセル同士で、第２ノードを共有する。 （もっと読む）

【目的】 特に、絶縁障壁層の表面粗さを安定して小さくでき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表されるＭＲ特性の向上を適切に図ることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【構成】 シード層６は、ＮｉＦｅＣｒ層１６／Ａｌ層１７の積層構造で形成される。これにより、シード層をＮｉＦｅＣｒ層の単層で形成していた従来よりも、絶縁障壁層９の表面粗さを安定して小さくでき、したがって本実施形態のトンネル型磁気検出素子４によれば、安定して優れた抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表されるＭＲ特性を得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 少ない電流で選択的にセルを書き込むトグル方式ＭＲＡＭの提供。
【解決手段】 トグル方式のＭＲＡＭは、ＭＲＡＭ基板上のＸ−Ｙ平面内に配置されたメモリスタックを有し、各メモリスタックは、Ｚ軸に沿って積層された複数のトグルメモリセルを有する。各スタックは、２つの直交する書込み線同士の間の交差領域に配置される。セルは対で積層され、各対のセルは、その磁化容易軸が互いに対して略平行に位置合わせされると共にＸ，Ｙ軸と非平行である。各対のセルは、そのフリー層が反対方向で磁気的にバイアスされる。ある対の各セルのフリー層は、他のセルのフリー層のバイアス方向と反対方向でバイアスされるため、ある対の１つのセルを、他のセルをトルグ切換えすることなく、トグル切換えできる。フリー層に対するバイアス磁場は、各セルのために必要なスイッチング磁場を減少させるので、低書込み電流で、低電力のトグル方式ＭＲＡＭが得られる。 （もっと読む）

本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）

本発明は、一般に、不揮発性メモリとして機能し得るようなメモリセルのための磁気的な分野に関するものである。より詳細には、本発明は、スピン分極電流を使用することによってメモリデバイス内の磁気領域の磁化方向を制御してスイッチングし得るような、高速でありかつ低消費電力の方法を開示している。磁気デバイスは、固定磁化方向を有したピン止めされた磁化層と；自由な磁化方向を有した自由磁化層と；固定磁化方向を有した読出磁化層と；を具備している。ピン止めされた磁化層と自由磁化層とは、非磁性層によって分離されており、自由磁化層と読出磁化層とは、他の磁性層によって分離されている。ピン止めされた磁化層の磁化方向と自由磁化層の磁化方向とは、一般に、同じ向きとはされない。非磁性層は、磁化層どうしの間の磁気的相互作用を最小化する。
（もっと読む）