【課題】 ホイスラー合金層の形成に際して、成膜速度（成膜レート）を上げることができ、生産性の向上を図ることができ、しかも素子特性の向上を図ることができるホイスラー合金層の形成方法を提供する。
【解決手段】 フリー層（５０）は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能するとともに、第１のホイスラー合金層を含む積層体から構成され、磁化固定層（３０）は、非磁性中間層（３２）を挟むようにしてインナーピン層（３３）およびアウターピン層（３１）が積層された形態を有しており、インナーピン層（３３）は、第２のホイスラー合金層（３３３）を含む積層体から構成され、第１および第２のホイスラー合金層は、それぞれ、ホイスラー合金層組成を構成するように少なくとも２つ以上に分割された分割ターゲットを用い、同時スパッタ法により成膜されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、非磁性導電層２４と、非磁性導電層２４を挟むように配置された固定層２３およびフリー層２５を備えている。固定層２３とフリー層２５は、それぞれホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈを含んでいる。ホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈは、単位格子の体心位置に磁性金属元素の原子が配置されたホイスラー合金と、ホイスラー合金を構成しない非磁性金属元素である添加元素とを含んでいる。固定層２３とフリー層２５の少なくとも一方は、非磁性導電層２４に隣接する領域であって、非磁性導電層２４に近づくに従って添加元素の濃度が大きくなる領域を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくし、且つ特性のばらつきを少なくする。
【解決手段】ＭＲ素子５において、固定層２３とフリー層２５は、それぞれホイスラー合金層３３２，５２を含んでいる。ホイスラー合金層３３２，５２は、それぞれ、互いに反対側を向く２つの四角形の面を有している。また、ホイスラー合金層３３２，５２は、一方の面における４つの辺に接する１つの結晶粒を含んでいる。ＭＲ素子５の製造方法では、ＭＲ素子５となる積層膜を形成し、この積層膜をパターニングした後、積層膜中のホイスラー合金層となる膜に含まれる結晶粒が成長して、ホイスラー合金層となる膜の一方の面における４つの辺に接する１つの結晶粒が形成されるように、パターニング後の積層膜を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。
【解決手段】ＭＲ素子５の固定層２３は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層３３１と、下地磁性層３３１の上に形成されたホイスラー合金層３３２とを含んでいる。ＭＲ素子５のフリー層２５は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層５１と、下地磁性層５１の上に形成されたホイスラー合金層５２とを含んでいる。ホイスラー合金層３３２，５２は、いずれも、Ｍｎの含有率が２５原子％より多く４０原子％以下であるＣｏＭｎＳｉ合金よりなり、且つ単位格子の体心位置にＣｏ原子が配置され、単位格子の頂点位置にＭｎ原子またはＳｉ原子が不規則に配置されたＢ２構造の主成分を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金の規則化処理温度を低くできる構成を提供する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。フリー層４５は、少なくともスペーサ層４４と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層は、組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金に対して、デバイ温度が３００Ｋ以下の付加元素を添加したものである。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、低いＲＡを保ちつつ、高いＭＲ比を達成する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。フリー層４５は、少なくともスペーサ層４４と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、酸化物４９が海島状に分散して設けられている。ホイスラー合金層は、実質的に化学量論組成を有している。または、酸化物のＲＡは０．１０Ωμｍ²〜０．３６Ωμｍ²の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化チタン等の絶縁酸化物で形成された絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層６のうち前記絶縁障壁層５と接する位置にエンハンス層６ａが形成されている。前記絶縁障壁層５の下には固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃが形成される。前記第２固定磁性層４ｃは、膜面と平行な方向に｛１１１｝面が優先配向する面心立方構造で形成され、前記絶縁障壁層５は、ルチル型構造等で形成され、前記エンハンス層６ａは、膜面と平行な方向に｛１１０｝面が優先配向する体心立方構造で形成される。これにより、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、ホイスラー合金層が特定の結晶構造をとりやすくすることによって高いＭＲ比を達成する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。ピンド層４３の、スペーサ層４４と隣接する層はホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、化合物４９が海島状に分散して設けられている。化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）