【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する第１端面及び第２端面を有し、電子と正孔とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、正常及び異常ホール係数が共にゼロである強磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面にオーミック接続し、電子をスピン流生成領域３０に注入する第１主電極２０と、第２端面にオーミック接続し、正孔をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。第１端面に垂直な面に直交する方向の外部磁場にもとづく正常ホール効果に、磁場誘起磁化もしくは自発磁化にもとづく異常ホール効果が加わることによって、電子と正孔とを同一方向に輸送されるように偏向して、電子と正孔の電荷を互いに相殺し、スピン流生成領域３０における異常ホール効果によってスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の素子特性の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な第２の磁性層９２と、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な第１の磁性層９１と、第１及び第２の磁性層９１，９２との間に設けられた非磁性層９３と、を具備し、第１の磁性層９２は、Ｔｂ、Ｇｄ及びＤｙからなる第１のグループから選択される少なくとも１つの元素とＣｏ及びＦｅからなる第２のグループから選択される少なくとも１つの元素とを含む磁化膜２１を備え、磁化膜２１は、アモルファス相２９と粒径が１ｎｍ以下の結晶２８とを含む。 （もっと読む）

【課題】新規な金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び、これを含むナノグラニュラー複合薄膜、並びに、これらを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】Ｃｏ₂Ｆｅ(Ａｌ_1-xＳｉ_x)（但し、０＜ｘ＜１）で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填された絶縁材料からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜。ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃からなるバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜とを備えたナノグラニュラー複合薄膜。本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜又はナノグラニュラー複合薄膜を備えた薄膜磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ）素子を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子は、ホイスラー合金薄膜４，６間にスペーサ層５を配した構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲ素子であって、前記ホイスラー合金薄膜４，６が、Ｂ２規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層５がＢ２規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、ＣｏＦｅＡｌＳｉホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物である。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】狭リードギャップ長化を図り、所要の特性を備える磁気抵抗効果膜及びトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】スペーサ層２７と、硬磁性層２３と、磁化自由層２８とを備える磁気抵抗効果膜であって、前記硬磁性層２３が、m-D0₁₉型CoPt規則合金相、またはL1₁型CoPt規則合金相として形成され、該硬磁性層２３の磁化容易軸方向が硬磁性層の面内に向いている。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来不可能とされていた電気抵抗×面積が０．３Ω・μｍ^２、かつ磁気抵抗変化率が５％以上となる磁性薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L1₁型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金（前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。）を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが１０〜３５（ａｔ％）、Niが２０〜５５（ａｔ％）、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ＭＥＭＳデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 （もっと読む）

【課題】リード特性を損なうことなく磁気抵抗効果膜の薄膜化を可能とし、これによってリードギャップを狭くし、記録媒体の高記録密度化を可能にする。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜は、反強磁性層１２と、該反強磁性層１２に積層された固定磁化層１３ａとを備え、前記反強磁性層１２が、多結晶構造を備えるL1₂型規則合金であるMn₃Irからなる。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性の安定した磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は記録層３を有する。記録層３の平面形状は、磁化容易軸９１に沿った一の直線６３上で磁化容易軸９１の方向における最大の長さＬを有し、磁化容易軸９１と垂直な方向に最大の長さＬの半分より小さい長さＷに渡って位置し、一の直線６３の一方側および他方側のそれぞれにおいて、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａに渡って位置する第１の部分３ａと、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａより小さい長さｂに渡って位置する第２の部分３ｂとを有している。第１の部分３ａの外縁は、外縁の外側に向かって凸の滑らかな曲線のみからなる。 （もっと読む）

【課題】反強磁性層とその上に積層された固定層とを備えた交換結合膜において、反強磁性層と固定層との間で発生する交換結合磁界を大きくし、且つ固定層の保磁力を小さくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、積層された反強磁性層５２、固定層５３、スペーサ層５４および自由層５５を備えている。反強磁性層５２は、順に積層された第１層５２１、第２層５２２および第３層５２３を含んでいる。第３層５２３は固定層５３に接している。第１層および第３層は、γ相を有するＦｅＭｎ合金によって構成され、第２層５２２は、γ相を有するＩｒＭｎ合金によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の交換結合素子と比較してより大きな磁化の一方向異方性を備えた新規な構成の交換結合素子およびこの交換結合素子を用いた磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】規則型の反強磁性層１２と、前記反強磁性層１２と交換結合し、磁化が一方向異方性を有する磁化固定層１３とを有し、前記磁化固定層１３は、面心立方格子となる組成の第１の磁化固定層１３ａと、体心立方格子となる組成の第２の磁化固定層１３ｂとから構成されている。前記規則型の反強磁性層１２としては、L12型規則合金Mn3Irが使用でき、前記第１の磁化固定層１３ａとしては、Co_xFe_1-x(ｘ＝1〜0.7)、前記第２の磁化固定層１３ｂとしては体心立方格子となる組成のCoFeが用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】アニール処理の温度を比較的低く抑えても高いスピン分極率が得られるホイスラー合金層を、その磁歪を小さく抑えることによってフリー層中に採用可能にし、それによって高いＭＲ比を達成することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５と、ピンド層４３とフリー層４５との間に設けられている非磁性のスペーサ層４４とを含み、フリー層４５は、ホイスラー合金層４５ｃと、４族元素、５族元素、または６族元素からなる磁歪低減層４５ｂとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転磁界のばらつきを低減できるように固着層からの漏れ磁界の影響を受けにくく安定に動作する磁気記憶装置を実現する。
【解決手段】磁気記憶装置における磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固着層１と、少なくとも磁化容易軸を有し外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含んでいる。記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 （もっと読む）

【課題】積層構造を有さないでトンネル接合を形成した新規な構造のトンネル接合磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】強磁性体からなる第１の電極１２と強磁性体からなる第２の電極１３と第１の電極１２及び第２の電極１３の間に配置されるナノ粒子１４とを備え、ナノ粒子１４が強磁性金属ナノ粒子１４ａの外周に絶縁性を有する保護基１４ｂを有する。強磁性金属ナノ粒子１４ａと第１の電極１２との間に第１のトンネル接合１５ａが形成され、強磁性金属ナノ粒子１４ａと第２の電極１３との間に第２のトンネル接合１５ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層をＴｉ−Ｏで形成した構造において、低いＲＡを維持したまま、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来、また、フリー磁性層の保磁力を従来と同様に低い状態に保ち、さらには、層間結合磁界Ｈｉｎを従来より小さくできるトンネル型磁気検出素子及びその製造方法に係る。
【解決手段】 絶縁障壁層５はＴｉ−Ｏで形成される。前記絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層８は、下からＣｏＦｅ合金で形成されたエンハンス層６、Ｐｔ層１０及びＮｉＦｅ合金で形成された軟磁性層７の積層構造で形成される。これにより、低いＲＡを維持したまま、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来、また、フリー磁性層８の保磁力を従来と同様に低い状態に保ち、さらには、層間結合磁界Ｈｉｎを従来より小さくできる。 （もっと読む）