【課題】記録層に作用する参照層からの漏洩磁界を低減しつつ、トンネルバリア層の絶縁不良を低減する。
【解決手段】実施形態による磁気ランダムアクセスメモリは、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１８と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１６と、記録層及び参照層間に設けられた第１の非磁性層１５と、をそれぞれ具備する複数の磁気抵抗素子１０を備え、記録層は、複数の磁気抵抗素子毎に物理的に分離され、参照層及び第１の非磁性層は、複数の磁気抵抗素子を跨いで連続的に延在する。 （もっと読む）

【課題】従来物質固有の特性として取り扱われてきたスピン偏極率を制御する手法とその素子構造を提案し、従来にない新しい機能性デバイスの基本要素技術を提供する。
【解決手段】強誘電体（Ａ）層上に、該強誘電体（Ａ）と格子不整合率が８％以下である強磁性体（Ｂ）層をヘテロ接合してなり、該強誘電体（Ａ）に電圧を印加させて、強誘電体（Ａ）と強磁性体（Ｂ）の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体（Ｂ）のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。 （もっと読む）

【課題】室温以上においても大きなＣＭＲ効果を発現するペロブスカイト型Ｍｎ酸化物および巨大磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】組成式Ｒ（Ｂａ_１−ｘＲ_ｘ）Ｍｎ_２Ｏ_６で表され、Ｒと（Ｂａ_１−ｘＲ_ｘ）とが層状に交互に配列した構造を有し、Ｒが、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１種類から選択される元素であって、ｘが、０＜ｘ≦０．１を満たす任意の数であることを特徴とするペロブスカイト型Ｍｎ酸化物は、Ａサイトの規則構造が維持されつつ、強磁性金属相と電荷・軌道整列絶縁体相とが二重臨界的に競合している。よって、室温以上においても大きなＣＭＲ効果を発現することができる。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層１２と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１の磁性層１３と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層１５と、第１の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第２の磁性層１７と、を備え、第１の磁性層は、ＤＯ_２２構造またはＬ１_０構造を有しｃ軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第１の磁性層と第１の非磁性層と第２の磁性層とを貫く双方向電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】非対称メモリセルおよび非対称メモリセルを形成する方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。いくつかの局面において、第２の面積は、第１の面積よりも少なくとも約２０％狭い。ＥＰＶＲは、超巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）材料、高温超伝導（ＨＴＳＣ）材料、またはペロブスカイト酸化金属材料などの材料である。この方法は、さらに、電極間に電界を誘導するステップと、上部電極に隣接するＥＰＶＲに電流を誘導するステップと、上部電極に隣接するＥＰＶＲに電流を誘導するステップに応答して、ＥＰＶＲの抵抗を調節するステップとをさらに含む。通常、抵抗は、１００オーム〜１０メガオームの範囲内で調節される。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第１の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】記録層が磁化反転する際の反転電流を低減することを可能にする。
【解決手段】電圧を印加することによって格子が伸縮する圧電層１１と、圧電層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記録層１２と、記録層上に設けられた第１の非磁性層１３と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層１４と、を備え、記録層は、読み出し時の電圧印加時での熱擾乱耐性が書き込み時の電圧印加時での熱擾乱耐性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】微小な磁場の印加でも、高い磁気抵抗変化率を得ることができる、強磁性セラミック組成物を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１の磁気抵抗素体２として有利に用いられるものであって、Ｓｒ_２Ｃａ_ｘＦｅ_ｙＭｏＯ_６で示される強磁性セラミック組成物。低温（たとえば液体窒素温度）で用いられる場合には、０．０３≦ｘ≦０．２、０．８≦ｙ≦０．９９、およびｘ＋１．４ｙ≧１．２２の各条件を満たし、常温で用いられる場合には、０．０５≦ｘ≦０．２、０．９５≦ｙ≦０．９９、およびｘ−２．５ｙ≧−２．２２５の各条件を満たすようにされる。この強磁性セラミック組成物は、Ｓｒ_２ＦｅＭｏＯ_６のダブルペロブスカイト構造の基本組成に対して、ＢサイトのＦｅを理論組成値よりも所定の範囲減らしながら、Ｃａを添加することにより、このＣａをＢサイトに導入しながら、Ｃａの一部を結晶粒界に析出させたものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＭＲＡＭメモリ・セルの欠点を克服し、とりわけ、従来技術のＭＲＡＭメモリ・セルと比較して「書き込み」動作を改良可能とした、ＭＲＡＭメモリ・セルを提供する。
【解決手段】 本発明に従ったメモリ・セルは、その磁化の相対配向がデータ・ビットを定義する、第１および第２の強磁性層（１１、１２）を含む磁気素子を備え、第１および第２の強磁性層は、非強磁性の、好ましくは電気的に絶縁の、スペーサ層（１３）によって分離されている。データ・ビットは、磁気ＲＡＭの分野で知られているように、たとえば、磁気素子全体にわたる、好ましくは層面に垂直の電気抵抗を測定することによって、読み出しが可能である。磁気素子に加えて、メモリ・セルは、その磁化方向が明確である、他の第３の強磁性層（１５）と、印加される電気的電圧信号によってイオン濃度を変化させることにより、そのキャリア密度が変更可能である、抵抗切り替え材料（１４）と、を備える。これにより、キャリア密度を、第１の状態と第２の状態との間で切り替えることが可能であり、第２と第３の強磁性層の間の有効交換カップリングは、第２および第３の強磁性層の磁化間で磁気カップリング全体の方向が変化するように、すなわち、磁気カップリング全体が第２および第３の強磁性層の磁化方向の異なる相対配向を好むように、影響を受ける。 （もっと読む）

【課題】製造工程が削減可能な不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】本発明は、第１配線層１２表面に設けられた可変抵抗層１４と、第１配線層１２上に設けられた層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜２０内に設けられ可変抵抗層１４に接続するプラグ金属２３と、を具備する不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリである。本発明によれば、層間絶縁膜を１層で可変抵抗が形成できる。よって、製造工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極キャリア注入層とスピンフィルタ層の磁化の向きが平行の場合と反平行の場合における、ソース・ドレイン電極間の抵抗変化率が十分に大きなスピントランジスタ、及びこのようなスピントランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピントランジスタ３０は、固定層３、フリー層５、及び固定層３とフリー層５との間に設けられた半導体層４とを有する磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４の積層方向の一方の端面１４Ｔ１に電気的に接続されたソース電極層１２と、磁気抵抗効果素子１４の積層方向の他方の端面１４Ｔ２に電気的に接続されたドレイン電極層２０と、半導体層４の側面４Ｌに設けられたゲート絶縁層１６を介して半導体層４の横方向に隣接するゲート電極層１８とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】
式Ａ_１−ｘＢ_ｘＭｎＯ_３ （ここでＡはＬａ、Ｎｄ又はＰｒであり、ＢはＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はＰｂであり、ｘは０．２〜０．５の範囲内である）で表されるドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶から小片を切り出し、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）素子をつくる。本発明の素子は、いろいろな磁気センサーに有益に応用される。
【効果】
本発明の素子におけるＡＭＲは、従来の強磁性物質又は合金からつくられる素子（室温で約１−２％）に比べて、非常に大きい（２２０Ｋで約９０％）。したがって、本発明のＡＭＲ素子は、磁気センサーの感度を改善する。 （もっと読む）