本発明は第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって分離されている高感度層である第２のフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは磁気脱共役のために第２分離層（４４０）によって前記高感度層から分離された第２の磁化が固定された磁気層（４５０）を更に備え、前記第１および第２の分離層は前記高感度層の両側に位置し、外部磁場がない場合、前記第１の磁化が固定された磁気層および前記高感度層の各磁化は実質的に垂直である。前記第２ピン層の磁化配向は選択される。 （もっと読む）

本発明は、ピン層である第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と、外部磁場がない場合、前記ピン層の磁化に対して実質的に垂直な磁化を有し、磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって前記ピン層から分離されている高感度層であるフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは、横方向のスピン移動を制御する役割を果たし、前記分離層の反対側で前記高感度層の横に位置する横結合層（４４０）を更に備える。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の磁化自由層の磁歪定数の大きさを、高ＭＲを保ったまま安定的に小さくする。
【解決手段】磁歪定数が正の強磁性層と磁歪定数が負の強磁性層とを非磁性層を介して適切な大きさで強磁性結合させることにより、それらの磁歪定数がキャンセルして全体の磁歪定数がゼロとなるように磁化自由層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層とハードバイアス層間の下地構成を改良して、再生特性の安定化を図るとともに、高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下から絶縁層２３、Ｔａ下地層２４、配向制御層２６、、ハードバイアス層２７及び保護層２８の順に積層された両側部２２とを有する。前記配向制御層２６は、Ｃｒ_{１００−Ｘ}Ｔｉ_Ｘ（ただしＴｉ組成比Ｘは０ａｔ％以上で１３ａｔ％以下）で形成される。これにより、従来に比べて、ポップコーンノイズ発生率を低減でき、再生特性の安定化を図ることができるともに、ＳＮ比を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子の構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比を確保しつつ、許容し得る均一性と良好なＥＭ性能とが得られるスピンバルブ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基体１０の上に、シード層１１、ＡＦＭ層１２、ピンド層２０、複合スペーサ層２１、フリー層２２およびキャップ層２３を順次成膜し、ＣＰＰ−ＧＭＲスピンバルブ構造を形成する。ピンド層２０は、ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層というＳｙＡＰ構造とする。ＡＰ２層は、鉄リッチ合金よりなる中間層をＣｏＦｅからなる上層および下層によって上下から挟み込むＦＣＣ三層構造とする。複合スペーサ層２１は、１層以上の金属層（Ｍ層）と、１層以上の半導体または半金属層（Ｓ層）とを含み、Ｍ／Ｓ、Ｓ／Ｍ、Ｍ／Ｓ／Ｍ、Ｓ／Ｍ／Ｓ、Ｍ／Ｓ／Ｍ／Ｓ／Ｍ、または（Ｍ／Ｓ／Ｍ）_n という積層構造を有する。例えば、Ｍ層はＣｕ層、Ｓ層はＺｎＯ層である。 （もっと読む）

【課題】 フリー磁性層の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。前記ハードバイアス層２６には、素子部３０のトラック幅方向の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１と、低Ｐｔ領域２６ａ１の外側に前記低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成されている。したがって、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくできる。その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。また保磁力Ｈｃが大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を備えることで、ハードバイアス層２６自体の磁化安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さいトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上に白金族元素からなる第１保護層およびＴｉからなる第２保護層が形成される。これにより、保護層をＴａで形成した従来のトンネル型磁気検出素子に比べて、高い抵抗変化率が得られ、かつフリー磁性層の磁歪が低減できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、両側積層部の構造を改良して、前記両側積層部の膜厚を従来より薄くするためにハードバイアス層の膜厚を薄くしても、高保磁力を維持しつつＭｒ×ｔを従来と同等以上に出来る磁気検出素子を提供する。
【解決手段】 ハードバイアス層２６下にはバイアス下地層２９が形成され、前記ハードバイアス層２６上には前記ハードバイアス層２６よりも飽和磁化Ｍｓが大きい高Ｍｓ磁性層２７が形成され、前記高Ｍｓ磁性層２７上には非磁性の保護層２８を介して上部シールド層３１が形成されている。これにより両側積層部２２のトータル厚ｔ１を薄くするために、ハードバイアス層２６の膜厚ｔ２を薄くしても、従来と同等以上のＭｒ×ｔを確保できる。また前記ハードバイアス層２６の配向性を維持させることができ、保磁力Ｈｃもハードバイアス層２６として十分使用可能な高い値を確保できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁化の安定性を向上させて、アシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 素子部Ａの両側に下から残留磁化Ｍｒが大きい第１ハードバイアス層２６及び保磁力Ｈｃが大きい第２ハードバイアス層２７の順に積層され、第１ハードバイアス層２６の先端部２６ａはフリー磁性層５の両側に近接配置されている。また第１ハードバイアス層２６のハードバイアス層３２中に占める膜厚比は３５％〜７５％である。これによってフリー磁性層５の磁化の安定化を図ることができ、よってアシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要な書き込み電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、磁化の方向が固定された固定層１１と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層１３と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ自由層１３の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層１５と、固定層１１と自由層１３との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１２と、自由層１３とアシスト層１５との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１４とを具備する。そして、アシスト層１５の磁化反転のためのエネルギー障壁は、自由層１３の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の少なくとも一方の層中又は層表面に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、磁化の方向が固定された第１磁化固定層２を含む。磁化可変層３は、磁化の方向が可変で、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１つの元素と、を含む。第１中間層４は、第１磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第１磁化固定層と第１中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 （もっと読む）

【課題】 特に、ヘッドノイズを低減し、且つ、ハードバイアス層の磁気的特性を安定に保つことが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下からＴａ下地層２４、アモルファス遮断層２５、配向制御層２６、及びハードバイアス層２７の順に積層された両側部２２とを有する。これにより前記ハードバイアス層２７の保磁力Ｈｃを増大させることができる。前記両側部２２を上記の積層構造とすることで、ヘッドノイズを低減し、且つ、ハードバイアス層２７の磁気的特性を安定に保つことが可能である。 （もっと読む）

【課題】高MR比で高S/N比を得ることができるとともに、出力変動を抑えた新規な構成の再生素子を提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗（RA：単位 Ω×μｍ²）が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）とギャップ長さ（GAP：単位nm）に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗（RA：単位Ω×μｍ²）が、使用する線記録密度(kBPI：単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】セルの微細化を図りつつ、書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の方向に延在されたビット線ＢＬと、第１の方向と異なる第２の方向に延在されたワード線ＷＬ２と、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、固定層及び記録層の磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１と、磁気抵抗効果素子に接するヒーター層ＨＴ１を有し、ビット線に接続され、ワード線と絶縁されてワード線の側面側に配置されたメモリ素子ＭＣ１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層にＭｇ−Ｏを用いたトンネル型磁気検出素子において、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来に比べて効果的に向上させることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｏの絶縁障壁層５上に、下からＣｏ−ＦｅあるいはＦｅで形成された第１磁性層６ａ、及びＣｏ−Ｆｅ−ＢあるいはＦｅ−Ｂで形成された第２磁性層６ｂの積層構造で形成される。これにより、従来に比べて、効果的に抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】アニール処理の温度を比較的低く抑えても高いスピン分極率が得られるホイスラー合金層を、その磁歪を小さく抑えることによってフリー層中に採用可能にし、それによって高いＭＲ比を達成することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５と、ピンド層４３とフリー層４５との間に設けられている非磁性のスペーサ層４４とを含み、フリー層４５は、ホイスラー合金層４５ｃと、４族元素、５族元素、または６族元素からなる磁歪低減層４５ｂとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＲＡを小さく抑えつつ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５はＭｇ−Ｏで形成され、第１固定磁性層４ａは、Ｔａで形成された非磁性金属層４ａ２が下側強磁性層４ａ１と上側強磁性層４ａ３との間に介在する積層構造で形成されている。前記非磁性金属層４ａ２の平均膜厚は１Å以上で５Å以下である。これにより、従来に比べてＲＡを小さく抑えつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高くすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転磁界のばらつきを低減できるように固着層からの漏れ磁界の影響を受けにくく安定に動作する磁気記憶装置を実現する。
【解決手段】磁気記憶装置における磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固着層１と、少なくとも磁化容易軸を有し外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含んでいる。記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 （もっと読む）