【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１及び第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、ヘリウムイオン、ヘリウムプラズマ、ヘリウムラジカル、ネオンイオン、ネオンプラズマ及びネオンラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な構造の磁気抵抗効果膜２を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来不可能とされていた電気抵抗×面積が０．３Ω・μｍ^２、かつ磁気抵抗変化率が５％以上となる磁性薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

ＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、本質的に、強磁性参照層、ＭｇＯトンネル障壁層、および強磁性自由層を含む。金属Ｍｇの成膜とその後に続く酸化プロセスまたは反応性スパッタリング法により形成される、ＭｇＯトンネル障壁層の微細構造は、僅かながら（００１）面直方向組織を有する非晶質または微結晶質である。本発明では、少なくとも強磁性参照層のみが、または強磁性参照および自由層の両方が、トンネル障壁に隣接する結晶質優先グレイン成長（ＰＧＧＰ）シード層を有する２層構造であることが提案されている。この結晶質ＰＧＧＰシード層は、成膜後アニールの後、ＭｇＯトンネル障壁層の結晶化および優先グレイン成長を誘起する。
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【課題】薄膜磁気ヘッドにおいて、高い磁化抵抗変化率と、磁化抵抗変化率のばらつき抑制と、狭リードギャップ化と、を容易とする。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第1及び第2のMR磁性層と、非磁性中間層とを有するMR積層体と、センス電流をMR積層体の膜面直交方向に流す電極を兼ねる上部及び下部シールド層と、MR積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、MR積層体に記録媒体対向面と直交する向きのバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段と、を有している。上部シールド層は、第2の交換結合磁界印加層と、第2の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第2の反強磁性層と、を有している。この交換結合強度は、MR積層体の上部シールド層側端面の膜面直交方向への投影領域よりも投影領域の周辺領域で大きい。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】２端子で書き込みおよび読み出しができ、多値動作させることで単位面積あたりの集積度を向上できるＭＲＡＭおよびその書き込み方法を提供する。
【解決手段】磁化の向きを一方向に固定した第１の磁性層ＰＭ、トンネルバリアとして働く第１の非磁性層ＴＢ１、スピン注入による磁化反転を生じる第２の磁性層ＦＭ１、トンネルバリアとして働く第２の非磁性層ＴＢ２および第２の磁性層と異なる電流密度でスピン注入による磁化反転を生じる第３の磁性層ＦＭ２を含む積層構造を有し、前記第１の磁性層、前記第１の非磁性層および前記第２の磁性層で第１の磁気抵抗効果を生成し、前記第２の磁性層、前記第２の非磁性層および前記第３の磁性層で第２の磁気抵抗効果を生成し、前記第１，第２の磁気抵抗効果による合成抵抗値に基づいて少なくとも３値を記録して読み出す磁気抵抗効果素子を備える。 （もっと読む）

【課題】リード特性を損なうことなく磁気抵抗効果膜の薄膜化を可能とし、これによってリードギャップを狭くし、記録媒体の高記録密度化を可能にする。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜は、反強磁性層１２と、該反強磁性層１２に積層された固定磁化層１３ａとを備え、前記反強磁性層１２が、多結晶構造を備えるL1₂型規則合金であるMn₃Irからなる。 （もっと読む）

【課題】磁性層としてフルホイスラー合金を用いても、可及的に高くかつ温度変化の影響を可及的に受けない磁気抵抗変化率を得ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板上に離間して設けられたソース部およびドレイン部であって、前記ソース部およびドレイン部はそれぞれ、ＣｏおよびＦｅを含む合金からなる第１強磁性層１５ａ_１、１５ｂ_１と、前記第１強磁性層上に形成されたＣｏおよびＭｎを含むフルホイスラー合金からなる第２強磁性層１５ａ_２、１５ｂ_２とを有する強磁性積層膜を含む、ソース部およびドレイン部１５ａ、１５ｂと、前記ソース部と前記ドレイン部との間の前記半導体基板上に設けられるゲート絶縁膜９と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。
【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、垂直磁化を有する記録層１１と固定層１２との間に非磁性層１３を有し、非磁性層１３と固定層１２との間に磁性金属層１８を有し、非磁性層１３と記録層１１との間に磁性金属層１９を有する。非磁性層１３は、（００１）面が配向したＭｇＯを備え、磁性金属層１８，１９は、（００１）面が配向した、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金から選ばれる磁性材料を備え、記録層１１と固定層１２の少なくとも一方は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも１つを含む層と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｃｕの少なくとも１つを含む層とが交互に積層され、磁性金属層１９のダンピング定数は、記録層１１のダンピング定数より小さい。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。記録層１７を構成する磁性層のうち中間層１６と接する磁性層１７Ａ−１は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層１６と接していない磁性層の膜厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供す
る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記
第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからな
る薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層
と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変
化する。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。強磁性体自由層（１４）は、回転可能な磁気モーメントを有し、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層（１８）は固定した磁気モーメントを有し、ＰｔＭｎＸピンニング層（２０）に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層（１６）は、自由層（１４）とピン化層（１８）との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直にセンス電流を流すための一対の電極とを有し、前記磁化固着層および前記磁化自由層の少なくともいずれか一方は、Ｃｏ，ＦｅまたはＮｉを含む磁性層と、Ｍｎを含有する金属材料および酸素を含有する機能層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】反強磁性層で（００２）結晶面の配向面を実現することができる積層構造体を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、窒化物で形成される下地層５２上に反強磁性層５３は積層される。反強磁性層５３は（１１１）結晶面に最密面を有する。反強磁性層５３では下地層の表面に平行に（００２）結晶面が結晶配向される。反強磁性層５３上には、反強磁性層５３との交換結合に基づき所定の方向に磁化を固定するリファレンス層５６が積層される。こういった磁気抵抗効果素子ではリファレンス層５６で（００２）面が優先配向されることができる。 （もっと読む）

【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）