【課題】書き込み特性の安定した磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は記録層３を有する。記録層３の平面形状は、磁化容易軸９１に沿った一の直線６３上で磁化容易軸９１の方向における最大の長さＬを有し、磁化容易軸９１と垂直な方向に最大の長さＬの半分より小さい長さＷに渡って位置し、一の直線６３の一方側および他方側のそれぞれにおいて、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａに渡って位置する第１の部分３ａと、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａより小さい長さｂに渡って位置する第２の部分３ｂとを有している。第１の部分３ａの外縁は、外縁の外側に向かって凸の滑らかな曲線のみからなる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄを含む層を設けた場合でも高いＭＲ比を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】膜面に対して垂直方向の磁化を有し、膜面に対して（００１）面に配向したｆｃｔ型の結晶構造を備えかつＰｄと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎのうち１つ以上の元素とを含む金属から形成される第１の磁性層１１ｃと、第１の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅと、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｙ、Ｂｅのうち１つ以上の元素と、を含む金属から形成される第２の磁性層１１ｂと、第２の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１つ以上の元素を含む金属から形成される第３の磁性層１１ａと、第３の磁性層上に設けられた非磁性層１３と、非磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有する第４の磁性層１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高ＴＭＲ比及び低電流でのスピン注入磁化反転を可能とする。
【解決手段】 本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、下地層１１／第１の磁性層１２／トンネルバリア層１３／第２の磁性層１４のスタック構造を有する。第１及び第２の磁性層１２，１４の残留磁化は、それらの膜面に垂直な方向を向き、第１及び第２の磁性層１２，１４のうちの一方は、磁化方向が不変で、その他方は、磁化方向が可変であり、第１の磁性層１２は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの第１のグループから選ばれる１つ以上の元素と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓの第２のグループから選ばれる１つ以上の元素とから構成される強磁性体金属であり、下地層１１は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖの第３のグループから選ばれる１つの元素を含む金属、又は、前記第３のグループから選ばれる２つ以上の元素を含む金属である。 （もっと読む）

【課題】マグネタイト（Ｆｅ_３Ｏ_４）膜を一方の電極とし、マグネタイト（Ｆｅ_３Ｏ_４）本来のスピン依存電気伝導特性をより反映した、室温で５％以上の負のＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供すること。
【解決手段】マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。または、マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層と２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。 （もっと読む）

【課題】 スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 強磁性体層１１上には絶縁体層１２が形成されている。絶縁体層１２上にはフルホイスラー合金層１３が形成され、フルホイスラー合金層１３上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４が形成されている。さらに、強磁性体層１４上には非磁性層１５が形成され、非磁性層１５上には強磁性体層１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の交換結合素子と比較してより大きな磁化の一方向異方性を備えた新規な構成の交換結合素子およびこの交換結合素子を用いた磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】規則型の反強磁性層１２と、前記反強磁性層１２と交換結合し、磁化が一方向異方性を有する磁化固定層１３とを有し、前記磁化固定層１３は、面心立方格子となる組成の第１の磁化固定層１３ａと、体心立方格子となる組成の第２の磁化固定層１３ｂとから構成されている。前記規則型の反強磁性層１２としては、L12型規則合金Mn3Irが使用でき、前記第１の磁化固定層１３ａとしては、Co_xFe_1-x(ｘ＝1〜0.7)、前記第２の磁化固定層１３ｂとしては体心立方格子となる組成のCoFeが用いられる。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。
【解決手段】磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層４１に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層４０と、前記参照層と前記記憶層４０との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層４２と、を有する。それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第１の強磁性材料からなる第１の自由磁化層と、前記第１の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第１の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第２の強磁性材料からなる第２の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】情報保持のために必要な高い磁化反転エネルギーを有する磁化自由層を低電流で磁化反転させることのできるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層２と、膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層６と、磁化参照層と磁化自由層との間に設けられた中間層４と、磁化自由層に対して中間層と反対側に設けられて磁化自由層と磁気的に結合し、反強磁性体と強磁性体との間で磁気相転移が可能な磁気相転移層８と、磁気相転移層に対して磁化自由層と反対側に設けられ、磁気相転移層に反強磁性体から強磁性体への磁気相転移を生じさせる励起層１０と、を備え、磁化自由層の磁化の向きは、中間層を介して磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。記録層１７を構成する磁性層のうち中間層１６と接する磁性層１７Ａ−１は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層１６と接していない磁性層の膜厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録装置における多層記録・多値記録を実現する解決手段を提供する。
【解決手段】複数層の記録層からなる媒体を異なる磁気共鳴周波数になるように設定し、高周波発振素子を具備する記録ヘッドの高周波発振周波数を変えることによって、記録を行う記録層を選択し、情報を記録する。また、再生時には、複数層からなる媒体層の磁化状態によって、媒体層外部に漏れ出る磁界が異なるようにし、多値状態によって異なる外部磁界を磁気抵抗効果素子で異なる抵抗値として検知することで、多値状態の識別を行う。 （もっと読む）

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の表面領域には不純物拡散層３２が形成され、不純物拡散層３２上には、（００１）配向したＭｇＯ層３３が形成されている。さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】銅フィラメントの酸素汚染が少ないＣＣＰ層の形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】 基板上に形成した銅層１１の上に、Ａｌ，Ｍｇ，ＡｌＭｇ等の窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する。次に、銅層１１を１５０°Ｃ以上に保って銅層１１が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。これにより、窒化性材料が窒化されて絶縁層としての窒化物領域１３が形成されると共に、この窒化物領域１３によって囲まれるようにして銅が分結した導電パス（銅フィラメント１２）が複数形成される。この銅フィラメント１２は、銅層１１から窒化物領域１３を膜厚方向に貫通してその上面に達する。こうして、窒化物領域１３および銅フィラメント１２を含むＣＣＰ層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子における出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。得られた特性等は第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。 （もっと読む）