【課題】 特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 非磁性中間層４ｂは下からＲｕ層１１、Ｒｈ層１２、及びＲｕ層１３の順に積層形成されている。これにより、前記非磁性中間層４ｂの膜厚を特に変更することなく（従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても）、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を、前記非磁性中間層４ｂをＲｈだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 （もっと読む）

【目的】 特に従来に比べてシード層の膜厚を薄くしても高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【構成】 シード層２４は、ＮｉＦｅＣｒ層２７上にＣｏ層２８を積層した構造で形成される。これにより前記シード層２４の膜厚Ｈ１を従来より薄くしてもシード効果が適切に発揮され、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることができる。前記シード層２４の膜厚を薄く出来ることで再生出力の向上を図ることができ、さらにシールド間隔を狭く出来るため線記録密度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転電流密度を低減する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層１３と、磁化の方向が固着された磁化参照層１１と、磁化記録層１３および磁化参照層１１間に設けられた非磁性層１２とを具備する。磁化記録層１３は、非磁性層１２に接するように設けられかつ第１の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、第１の磁気異方性エネルギーより大きい第２の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】より高い信号検出感度を維持しつつ、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。第２強磁性層１６は、面心立方構造を有するＣｏＦｅからなる第１および第２の強磁性膜１３，１５と、それらに挟まれた、Ｆｅ₅₀ Ｃｏ₅₀ やＦｅ₇₀ Ｃｏ₃₀ などからなる中間膜１４とを有する。第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 狭トラック化においても適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フリー磁性層２６上にはＲｕなどで形成された非磁性層２７が形成され、前記非磁性層２７の両側端部２７ａ上には強磁性層２８及び第２反強磁性層２９が設けられている。前記強磁性層２８とフリー磁性層２６の両側端部Ｓ間には効果的に強磁性的な結合が生じている。本発明では、前記フリー磁性層２６の両側端部Ｓにイオンミリングによるダメージが与えられず、上記の強磁性的な結合により前記フリー磁性層２６の磁化制御を適切に行うことができ、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。
【解決手段】センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。電子反射層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物でもよい。スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）