【課題】優れたピンニング強度およびＭＲ比を呈するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。ここでシールド層は、その磁化容易方向に沿って磁化されており、磁気フリー層は、その磁化困難軸方向に沿って磁化されている。 （もっと読む）

【課題】上部の反強磁性層の加工の際に生じる堆積物の量を低減することができる記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶層１５に対して、トンネル絶縁層１４を介して下層に設けられた第１の磁化固定層１３と、トンネル絶縁層１６を介して上層に設けられた第２の磁化固定層１７と、第１の磁化固定層１３の磁化の向きを固定する第１の反強磁性層１２とを含む。そして、第２の磁化固定層１７の磁化の向きを固定し、第１の反強磁性層１２よりも厚さが薄い第２の反強磁性層１８を含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子１０と、記憶素子１０の各層の積層方向に流す電流を記憶素子１０に供給する配線を含む、記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高集積化と機能素子の高性能化とを同時に実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、半導体基板１の表面領域に配置されるスイッチ素子３，４と、下面がスイッチ素子３，４に接続されるコンタクトプラグ６と、コンタクトプラグ６の上面の直上に配置される機能素子７とを備える。コンタクトプラグ６の上面の最大表面粗さは、０．２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＴＪ素子が配置される凹部の平面寸法は微細であるため、下層構造との位置合わせが困難である。
【解決手段】 基板の上に下部導電膜を形成する。下部導電膜の上に第１の絶縁膜を形成する。第１の絶縁膜に、下部導電膜まで達する開口を形成する。開口内の下部導電膜の上、及び第１の絶縁膜の上に、磁化自由層とトンネル絶縁膜と磁化固定層とを有するＭＴＪ積層膜を堆積させる。ＭＴＪ積層膜の上に上部電極を形成する。第１の絶縁膜の上に堆積しているＭＴＪ積層膜を除去することにより、開口内に残ったＭＴＪ積層膜からなるＭＴＪ素子を形成する。第１の絶縁膜の少なくとも一部、及び下部導電膜の一部を除去することにより、ＭＴＪ素子の下に下部導電膜からなる下部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の下にあるコンタクトプラグの上面の平坦性を改善し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数のスイッチングトランジスタと、隣接する２つのスイッチングトランジスタ間に埋め込まれ、該隣接する２つのスイッチングトランジスタの各ゲートから絶縁されかつ該隣接する２つのスイッチングトランジスタのソースまたはドレインに電気的に接続され、上面がスイッチングトランジスタの上面よりも高い位置にあるコンタクトプラグと、コンタクトプラグの上面上に設けられ、データを記憶する記憶素子と、記憶素子上に設けられた配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されたスクライブラインと集積回路部との間の段差を低減することで、集積回路部におけるレジストの塗布ムラを低減することができる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ基板２１上に、ＩＣ部５１、シールリング部５２及びスクライブライン５３が形成されたシリコンウェーハであり、最上層の絶縁層２５ｂの平坦面上に配線層２４ｃが形成されるとともに、最上層の配線層２４ｃと同一の材料からなる金属層５４ｃがシールリング部５２に形成され、配線層２４ｃ及び金属層５４ｃを覆うように、ＩＣ部５１、シールリング部５２及びスクライブライン５３の全面に亘って表面が平坦化された平坦化絶縁層５５が形成され、この平坦化絶縁層５５上にパッシベーション膜５６が形成され、パッシベーション膜５６上にＧＭＲ素子６〜９が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録密度の増大にともない、ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡの低減が必要になっている。ＲＡを1.0Ωμm²以下に小さくすると、固定層から自由層にはたらく層間結合磁界Hintが増大し、自由層の自由な磁化回転が妨げられ、再生信号に悪影響を与える。本発明は、センサの面積抵抗ＲＡが小さくなっても、小さな層間結合磁界Hintと高いＭＲ変化率のＴＭＲヘッドを提供する。
【解決手段】Ｔａ下地層上に、ＮｉＦｅ結晶配向調整層をアルゴンと窒素ガスを用いたスパッタリングを用いて（００１）面配向して成膜する。その上にＭｎＩｒ反強磁性層を成膜すると非最稠密面（００１）面配向して結晶成長する。非最稠密面配向したＭｎＩｒは、表面凹凸が顕著に低減する。その上に積層される固定層および絶縁障壁層の界面の凹凸も同様に低減する。これによって層間結合磁界Hintが低減する。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

メモリセルを含むメモリおよびメモリセルを製造する方法が示される。メモリは、第１の面に基板を含んでいる。第２の面で伸びる第１の金属接続が提供される。第２の面は、第１の面に本質的に垂直である。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、ＭＴＪの第１の層が第２の面に沿って方向が合わされるように、金属接続につながれる第１の層を有して提供される。 （もっと読む）

【課題】反強磁性層のラフネスの影響を低減し、層間結合磁界Ｈｉｎの小さく、特性のバラツキの少ない磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１９の上方に、下地層１１、反強磁性層１２、固定強磁性層１３、非磁性中間層１４、リファレンス層１５、バリア層１６、フリー強磁性層１７が形成された磁気抵抗効果膜１０において、固定強磁性層１３を基板１９側から順に第１強磁性層１３ａ、酸化物層１３ｂ、及び第２強磁性層１３ｃを形成した積層構造とする。この酸化物層１３ｂは、第１強磁性層１３ａ表面の凹凸を埋め、その結果酸化物層１３ｂの表面はほぼ平坦となる。これによりその上方に形成されたバリア層１６のラフネスが改善され、層間結合磁界Ｈｉｎが小さく特性のバラツキが少ない磁気抵抗効果膜１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはＴＭＲ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層または酸化物層、磁化自由層の順番で膜して積層したボトムタイプのスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはＴＭＲ膜の製造方法において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】適当な抵抗で高出力なＣＰＰ−ＧＭＲ素子を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】固定層１１４と、自由層１１７と、電流を絞り込むための電流狭窄層１１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲヘッドにおいて、電流狭窄層の表面を平坦化処理することにより、電流狭窄層の膜厚に揺らぎを持たせる。電流狭窄層に膜厚の揺らぎを形成することで、膜厚の薄いところが選択的に低抵抗な金属相になり、低抵抗相が電流パスになるため、膜厚揺らぎを制御することで電流の絞込み効果を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。
【解決手段】下地層、反強磁性層、第１の固定磁性層、非磁性中間層、第２の固定磁性層、トンネルバリア層、自由磁性層、保護層の順に積層された磁気抵抗効果において、第１の固定磁性層を平滑化することで、非磁性中間層をも平滑化し、第１の固定磁性層と第２の固定磁性層の間に安定した反強磁性交換結合を得ることができる。また、トンネルバリア層をも平滑化し、薄層化した場合においても安定した磁気抵抗特性を得ることができる。さらに、結晶性を必要とするトンネルバリア層においても良好な磁気抵抗特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。磁気記録層は、飽和磁化Ms（emu/cc）と異方性磁界Han（Oe）との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms^-1+12.57Msを満たす。 （もっと読む）

【課題】薄膜表面へのダメージを抑制しつつ平坦性を改善できる薄膜の表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】複数の薄膜を積層形成する際、先に形成した薄膜表面にプラズマ処理を施して平坦化した後、該薄膜表面上に次の薄膜を形成し、上記プラズマ処理には、薄膜表面を構成する原子の離脱を生じさせない高圧力且つ低エネルギープラズマを用いる。 （もっと読む）