【課題】 特に固定磁性層をセルフピン止め型とした構成において、Ｔａ保護層の膜厚を適正化し、従来に比べて安定して優れた軟磁気特性を得ることが可能な磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ、並びに磁気検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態の磁気検出素子１は、固定磁性層３とフリー磁性層５とが非磁性材料層４を介して積層された積層膜を備え、前記固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、前記第１磁性層３ａと前記第２磁性層３ｃとが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、前記積層膜の最上層は、Ｔａからなる保護層６であり、前記保護層６の成膜時における成膜時膜厚は５５Å以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度であり、かつ容易に形成することができる磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、４つ以上の強磁性層８と、４つ以上の強磁性層８のそれぞれの間に設けられた３つ以上のトンネル絶縁層９とを備え、外部から磁界Ｈｅｘを印加しない状態において３つ以上のトンネル絶縁層９のそれぞれを挟んで対向する強磁性層８の磁化１１方向は互いに反対方向である。 （もっと読む）

【課題】 低書き込み電流を用いる熱支援スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気メモリを提供する。
【解決手段】 高温閾値で調整可能な第１の磁化を有する強磁性記憶層、固定された第２の磁化を有する強磁性基準層、及び強磁性記憶層と基準層との間に配置された絶縁層から形成された磁気トンネル接合部と、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続されかつワード線を介して、制御可能な選択トランジスタと、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続され、少なくとも書き込み電流を伝達する電流線と、を含む、熱支援切り替え（ＴＡＳ）書き込み手順を備えた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルであって、強磁性記憶層の結晶磁気異方性が、強磁性基準層の結晶磁気異方性とほぼ直角であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル。ＳＴＴベースＴＡＳ−ＭＲＡＭセルは、熱安定性を実現するのと同時に、低い書き込み電流密度を必要とする。 （もっと読む）

【課題】出力を劣化させることなく発生するマグノイズを低下でき、高いヘッドＳＮ比を実現できる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。第一の強磁性安定層３の磁化量Ｍ３と第二の強磁性安定層５の磁化量Ｍ５は実質的に略等しく、第一の強磁性安定層の磁化と第二の強磁性安定層の磁化は反平行結合層４を通じて各々の磁化が反平行方向になるように磁気的結合している。第一の強磁性安定層の磁化と磁化自由層は非磁性結合層２１を介して、反強磁性的あるいは強磁性的に結合している。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するためのシステム及び方法が、開示される。特に、堆積の間に磁性膜のアライニング方法が、開示される。上記方法は、基板上への第１の磁性材料の堆積の間に存在する基板の領域の第１の方向に沿って第１の磁場を印加することを含む。上記方法は、基板上への前記第１の磁性材料の堆積の間に、領域に第２の方向に沿って第２の磁場を印加することをさらに含む。
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【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗の強磁性体をトンネル障壁に用い、室温かつ低外部磁界で、非常に大きなＴＭＲを有するスピンフィルタ効果素子を提供する。
【解決手段】
非磁性層からなる第１の電極１１と、第１の電極１１上のマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜１２と、強磁性スピネルフェライト膜１２上の絶縁膜１６と、絶縁膜１６上の強磁性層からなる第２の電極１３Ａと、が順に配置され、高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜１２が、電子に対してスピンに依存したトンネル障壁として作用し、絶縁膜１６が電子に対してスピンに依存しないトンネル障壁として作用し、かつ、強磁性スピネルフェライト膜１２と第２の電極となる強磁性層１３Ａとの磁気的結合を弱める作用する。室温において、低磁界で非常に高い磁気抵抗変化率が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】高い分解能と高い製造安定性を実現することのできる１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。長距離反平行結合積層膜17は、軟磁性自由層13と差動軟磁性自由層16を３ナノメートル〜２０ナノメートル離して反平行状態に交換結合させる。この磁気抵抗効果積層膜10を用いた１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製することによって、GMR効果を損なうことなく、高い分解能と高い製造安定性を実現することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高感度で温度依存性を低減した磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気センサ及び回転角度検出装置を提供する。
【解決手段】一方向の磁気異方性を有する固定層と、磁化方向が外部磁界の方向に回転する自由層と、前記固定層と前記自由層に挟まれた中間層と、前記自由層の上層に形成される保護層とを有するスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜において、基体上に固定層・中間層・自由層・保護層の順で形成され、前記固定層がＣｏＦｅ合金の第一の強磁性層とＣｏＦｅ合金の第二の強磁性層と前記二つの強磁性層の磁化方向を反平行に結合させる第一の非磁性層で構成され、前記固定層の二つの強磁性層において磁化・膜厚積が等しく、前記保護層がＲｕを主成分とする第二の非磁性層とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果ヘッドの再生出力を低下させることなくマグノイズを低減し、磁気抵抗効果ヘッドのＳＮを向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果ヘッドに積層フェリ自由層を用い、膜厚と飽和磁化が小さい方の自由層１のトラック幅方向の端部に結合磁界により印加される磁界が、バイアス層２１により印加される磁界よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】磁気センサとして磁性発振素子を微細化する加工技術の困難さや磁気的熱雑音によるSN比の低下。
【解決手段】磁化が固定されている第１の磁化固定層と、第１の磁化発振層と、第１の磁化固定層と第１の磁化発振層との間に設けられた第１非磁性層と、第１の磁化固定層と第１の磁化発振層ならびに第１の非磁性層の膜面に対して垂直に通電する一対の電極を有し、外部磁場の大きさに依存して発振周波数が変化する磁性発振素子と、この磁性発振素子の近傍に配置され、磁性発振素子の発振周波数に近い周波数で発振する発振素子と、通電によって、磁性発振素子及び発振素子の両端に発生する高周波発振信号を取得することを特徴とする磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】分解能及び出力の高い磁気エンコーダ装置と、エンコーダ装置用磁気抵抗効果センサを提供する。
【解決手段】２層の軟磁性層を反平行に結合した積層軟磁性膜で自由層を構成し、センサユニットの幅を２〜４μｍとすることで、微細かつ反磁界を低減したセンサを実現する。 （もっと読む）

【課題】十分に高い強磁性層との交換結合を確保し、磁気抵抗効果ヘッドの歩留まりや信頼性を向上する。
【解決手段】斜め入射法により作製した傾斜結晶粒構造反強磁性膜２３を用いることにより、強磁性膜２４との高い交換結合磁界が得られる。それを適用した磁気抵抗効果ヘッドは歩留まり、信頼性に優れ、高い出力が得られる。 （もっと読む）

【課題】 少ない電流で選択的にセルを書き込むトグル方式ＭＲＡＭの提供。
【解決手段】 トグル方式のＭＲＡＭは、ＭＲＡＭ基板上のＸ−Ｙ平面内に配置されたメモリスタックを有し、各メモリスタックは、Ｚ軸に沿って積層された複数のトグルメモリセルを有する。各スタックは、２つの直交する書込み線同士の間の交差領域に配置される。セルは対で積層され、各対のセルは、その磁化容易軸が互いに対して略平行に位置合わせされると共にＸ，Ｙ軸と非平行である。各対のセルは、そのフリー層が反対方向で磁気的にバイアスされる。ある対の各セルのフリー層は、他のセルのフリー層のバイアス方向と反対方向でバイアスされるため、ある対の１つのセルを、他のセルをトルグ切換えすることなく、トグル切換えできる。フリー層に対するバイアス磁場は、各セルのために必要なスイッチング磁場を減少させるので、低書込み電流で、低電力のトグル方式ＭＲＡＭが得られる。 （もっと読む）

強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。
電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体（第１の磁性体１と第２の磁性体２）と、それらに挟まれた第３の磁性体３の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流（電流密度が、１０⁴−１０⁷Ａ／ｃｍ²）を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。 （もっと読む）