【課題】トンネルウィンドウやセレクトゲートの加工寸法のばらつき、およびセレクトゲートのアライメント精度を考慮する必要がなく、セルサイズを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリセル７を半導体基板２上に選択的に備える半導体装置１が製造される。この製造方法は、ゲート絶縁膜２３上において不揮発性メモリセル７用のアクティブ領域５に、セレクトゲート１９を選択的に形成する工程と、セレクトゲート１９に対して自己整合的に導入することによってｎ型トンネル拡散層１１を形成する工程と、ゲート絶縁膜２３の一部セレクトゲート１９に対して自己整合的に除去し、その後の熱酸化によりトンネルウィンドウ２５を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの高容量化と面積の低減を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＥＰＲＯＭメモリセル５０は、シリコン基板１のメモリセル領域に設けられたＮ^-層２１ａと、トンネル絶縁膜１３ａと、浮遊ゲート電極１５ａと、電極間絶縁膜
１７ａと、制御ゲート電極１９ａと、を有する。また、キャパシタ６０は、シリコン基板１のキャパシタ領域に設けられた下部電極層２４ａと、第１の誘電体膜１３ｃと、共通電極１５ｃと、第２の誘電体膜１７ｃと、上部電極１９ｃと、を有する。下部電極層２４ａと第１の誘電体膜１３ｃと共通電極１５ｃとにより第１のキャパシタ６１が構成されると共に、共通電極１５ｃと第２の誘電体膜１７ｃと上部電極１９ｃとにより第２のキャパシタ６２が構成されており、第１のキャパシタ６１と第２のキャパシタ６２とが並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】フローティングゲート電極を、掘り下げ領域に埋め込んで形成し、ドレイン領域内のトンネル領域と掘り下げ領域に埋め込まれて形成されたフローティングゲート電極の側面との間にトンネル絶縁膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】ドレイン領域の一部に半球状の窪みを設けトンネル領域を形成し、フローティングゲート電極はトンネル領域の半球状の窪みに沿って入り込む形状となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】トンネル領域を有する半導体不揮発性メモリにおいて、トンネル領域の周囲部分は掘り下げられており、掘り下げられたドレイン領域には、空乏化電極絶縁膜を介して、トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に与えることが可能な空乏化電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】 占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 ドレイン領域内のトンネル領域と微細穴に埋め込まれる形で形成されたフローティングゲート電極の側面との間にはトンネル絶縁膜を設け、微細穴に接するドレイン領域の表面付近には、電気的にフローティング状態である第１導電型のトンネル防止領域を設けた。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】ドレイン領域内のトンネル領域には、ドレイン領域と同一の電位に固定されたドレイン領域に比べて不純物濃度の低い第２導電型の領域と、不純物濃度の低い第１導電型の領域とを形成し、不純物濃度の低い第２導電型の領域と、不純物濃度の低い第１導電型の領域のそれぞれの上面に、フローティングゲート電極への電子注入用と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜を独立して設けた。また、データ書き換え時に印加されるストレスが偏らないように、電子引き抜き用のトンネル絶縁膜に比べて電子注入用のトンネル絶縁膜の面積を大きくあるいは厚くした。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】トンネル領域のエッジ近傍のトンネル絶縁膜上には、トンネル絶縁膜とは異なる材質の絶縁膜からなる電界緩和層を配置した。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】トンネル領域とフローティングゲート電極との間には、膜厚の異なる複数のトンネル絶縁膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】フローティングゲート電極は、高い不純物濃度領域と低い不純物濃度領域とからなり、高い不純物濃度領域は、コントロールゲート絶縁膜と接する部分に配置し、低い不純物濃度領域はトンネル絶縁膜と接する領域に配置し、フローティングゲート電極のコントロールゲート絶縁膜と接する表面部分には微細凹凸を形成した。 （もっと読む）

【課題】トンネル絶縁膜にエッジ部があることによるトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部から離間した位置に、電荷受け渡し用電極を配置し、電荷受け渡し用電極とフローティングゲート電極とが、電気的に接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部近傍の領域には、フローティングゲート電極とガード絶縁膜を介してドレイン電極と同電位に固定されたトンネル領域エッジ部ガード電極を配置した。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】第２導電型のトンネル領域のフローティングゲート電極のエッジ部の下部に、第１導電型の領域からなるフローティングゲート電極エッジの電界集中防止用領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】ドレイン領域内のトンネル領域とフローティングゲート電極領域との間には、トンネル絶縁膜が設けられており、トンネル領域のエッジ近傍のフローティングゲート電極の不純物濃度は、その他の箇所のフローティングゲート電極の不純物濃度に比べて低く設定した。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、電荷蓄積層内に蓄積された電荷の第２のゲート絶縁膜を介した制御ゲート電極へのリークを低減することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体基板内で素子分離部により画定された素子領域と、素子領域を覆う第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜を覆う電荷蓄積層と、半導体基板の素子領域が確定された面側を上とした場合において、電荷蓄積層の上面を覆う第１の部分と電荷蓄積層の側面を覆う第２の部分とを有する第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜を介して電荷蓄積層の上面及び側面を覆う制御ゲート電極とを備え、第１の部分の耐圧は、前記第２の部分の耐圧より高い半導体記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、第２導電型のドレイン領域内のトンネル領域の表面には、薄い不純物濃度の第１導電型の領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】膜質の劣化を抑え、トンネル領域のエッジ部への電界集中を防止し、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して、高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、ドレイン領域内のトンネル領域と前記フローティングゲート電極領域との間には、第１のトンネル絶縁膜と第２のトンネル絶縁膜が設けられており、第１のトンネル絶縁膜は、トンネル領域のエッジ部近傍に形成されており、第２のトンネル絶縁膜はトンネル領域の前記第１のトンネル絶縁膜か形成されていない領域に形成されており、第１のトンネル絶縁膜の膜厚は、第２のトンネル絶縁膜の膜厚よりも大きく、ゲート絶縁膜よりも小さく形成した。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極を有するメモリセルの高集積化を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１１の表面にトンネル絶縁膜１２を介してシリコンを含む第１の導電体層を形成する工程と、第１の導電体層の表面から半導体層１１に至る分離溝９を形成し、第１の導電体層が所定幅で分離された、浮遊ゲート電極となる複数の導電板１３ｂを形成する工程と、導電板１３ｂ側面の中間部まで、分離溝９を素子間絶縁膜１５で埋め込む工程と、複数の導電板１３ｂの間隔を所定幅と同等以上の幅に維持しながら、導電板１３ｂの露出面にシリコン窒化膜１６ａを形成する工程と、制御ゲート電極１９ａとなる第２の導電体層を形成して分離溝９の上部を埋め込む工程と、を備え、シリコン窒化膜１６ａは、窒素元素を含む原料ガスを励起させて生成する窒素ラジカルによって、導電板１３ｂに含まれるシリコンを窒化して形成される。 （もっと読む）

【課題】コントロールゲートとフローティングゲートとの間の電極間絶縁膜に発生するリーク電流を低減させ、メモリセルの微細化に伴うリーク耐性の劣化を抑制する半導体不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に複数の不揮発性メモリセルを集積した不揮発性半導体記憶装置であって、メモリセルは、半導体基板１上に形成されたトンネル絶縁膜２ａと、トンネル絶縁膜２ａ上に形成されたフローティングゲート電極３ａと、フローティングゲート電極３ａの上面に形成された第１の電極間絶縁膜４ａと、フローティングゲート電極３ａの側面及び第１の電極間絶縁膜４ａを覆うように形成された第２の電極間絶縁膜５ａと、電極間絶縁膜５ａ上に形成されたコントロール電極６ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。半導体基板２上には、第１絶縁膜６が形成されている。第１絶縁膜６には、第１厚膜部８が形成されており、第２不純物拡散領域４の全周縁は、第１厚膜部８の直下に位置している。 （もっと読む）