【課題】 自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の高抵抗層形成工程と、チャネルドープ層形成工程と、第２の高抵抗層形成工程と、ソース領域１２となる第１導電型の低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、低抵抗層と第２の高抵抗層の途中の深さまで部分的にエッチングするエッチング工程と、エッチング工程でエッチングした部分の下部にゲート領域１３を形成するゲート領域形成工程と、表面保護膜１７を形成する表面保護膜形成工程と、ソース電極１９とゲート電極２０とドレイン電極１８を形成する電極形成工程と、ソース電極１９とゲート電極２０側に上層電極２１を形成する上層電極形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体結晶の一方の面に形成された第１の導電型の低抵抗層からなるドレイン領域１１と、半導体結晶のもう一方の面に形成された第１の導電型の低抵抗層からなるソース領域１２と、ソース領域１２の周囲に形成された第２の導電型のゲート領域１３と、ソース領域１２とドレイン領域１１の間の第１の導電型の高抵抗層１４とを有する接合型半導体装置１０において、ゲート領域１３とソース領域１２の間の半導体結晶の表面付近に第２の導電型の再結合抑制半導体層１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素トランジスタ装置の、微細化によるデバイス特性改善を阻む要因を除去する。
【解決手段】 高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）表面上にエピタキシャル成長により低濃度ｎ型ドリフト層（３）、更に、互いに離間した複数の高濃度ｐ型ゲート領域（４）を形成し、該構造上に低濃度ｎ型チャネル領域（７）と低濃度ｎ型領域１（９）をエピタキシャル成長させ、イオン注入により高濃度ｎ型ソース領域（５）を形成し、前記高濃度ｎ型ソース領域（５）上へソース電極（６）、ドライエッチングによりデバイスセル外に露出した高濃度ｐ型層（１０）上へゲート電極（８）、高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）の裏面にドレイン電極（１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 製造の容易な有機系の材料からなるｎ型半導体部を備え、移動度及びオン／オフ比に優れたＦＥＴを提供する。
【解決手段】 少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びｎ型有機半導体部を備えるＦＥＴにおいて、該ｎ型有機半導体部が、下記式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する。
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【課題】ＦＥＴから発生する熱の放熱性を向上させるとともに、基板側に配された配線とＦＥＴのソース配線、ゲート配線、ドレイン配線との接続を容易としたＦＥＴおよびそのＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に、ソースと、ドレインと、ゲートとを設けて構成した電界効果トランジスタの半導体基板には、ソースまたはドレインのいずれか一方に接続した金属配線を平面状に配置して放熱面を設けるとともにビアホールを設け、金属配線と接続されていないドレインまたはソースと、半導体基板の他面に設けた電極とをビアホールを経て接続する構成とする。放熱面は、ソース、ドレイン、ゲートを被覆するように設ける。 （もっと読む）

【課題】 短絡不良の発生を抑え、信頼性に優れた半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 トレンチ１５に充填する絶縁用酸化膜３０を、ｎ^＋ソース領域１２よりも上まで形成し、この絶縁膜３０の開口部においてのみ、金属またはシリサイド膜をｎ^＋ソース領域１２とオーミック接触させソース電極２２１を形成する。また、ユニットの長手方向におけるソース配線２２の端部とソース領域１２の端部の距離ｄをソース配線２２の厚さＴｓｗの２倍以上とする。
【効果】 ソース／ゲート間の短絡を防止し、歩留り向上によりコストを低減し、冷却系及びシステムサイズを小型化した。 （もっと読む）

【課題】 ドリフト層（電圧保持層）１０を共通化して逆並列ダイオードを内蔵したシリコンカーバイド静電誘導トランジスタ（ＳｉＣ−ＳＩＴ）を実現する。
【解決手段】 ソース領域１１の第１側面の溝１９の底面から側面に沿ってゲート領域１２を形成し、第１側面（片側）からの空乏層の伸縮のみでチャネル１７の幅を制御し、トランジスタ電流Ｉｔをオン／オフ制御するスイッチング素子を構成する。一方、第２側面の溝２０の底面から側面に沿いソース領域１１の表面に亘ってソース電極１８を形成し、このソース電極１８とドリフト層１０との間にショットキー接合２１を形成し、このショットキー接合２１からドレイン領域１５へ、ドリフト層１０を共通化して電流Ｉｄを流すダイオードを形成する。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】Ｐ型領域と、Ｎ型領域とを備え、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をＮ型領域に用いている。電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第１領域と、第１領域に対してヘテロ接合を形成する第２領域と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板強度を保持しつつオン抵抗を低減し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第１の不純物濃度を有する半導体からなる支持体２１と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度を有する半導体層３と、前記半導体層３に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、安定した双安定特性を持ち、遷移電圧が高く、かつ繰返し性能に優れたスイッチング素子を提供する。 電極間に印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つスイッチング素子であって、基板上に第１電極層、有機双安定材料層、第２電極層の順に薄膜として形成されており、有機双安定材料層を構成する有機双安定材料がキノメタン系化合物又はモノキノメタン系化合物である。また、有機双安定材料層中に第２電極層を構成する金属が拡散している。第２電極層は蒸着により形成され、蒸着時の基板の温度が３０〜１５０℃であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素を用いた静電誘導トランジスタにおいて、シート抵抗が小さいゲート領域を形成し、ゲート遅延を短縮し、高速スイッチング動作を実現する。
【解決手段】 トレンチ溝１１０〜１１４に沿ってゲート領域１２を形成したＳＩＴの溝底のゲート引出し層１３からＣＶＤ法により形成されるタングステンプラグ膜を利用して、溝上部までタングステンプラグ膜（ゲート立上げ金属膜）３１で持ち上げ、トレンチ溝短冊の長辺を、ゲート遅延が問題にならない程度に短くし、溝上部でタングステンプラグ膜同士を接続した。 （もっと読む）

【課題】 低オン抵抗化を実現し、高速スイッチングが可能なＪＦＥＴやＳＩＴなどの炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチ溝１１０〜１１３に沿って形成したゲート領域１３間のチャネルに拡がる空乏層により電流をオンオフするＪＦＥＴやＳＩＴにおいて、半導体基体表面あるいはトレンチ溝１１３の底部に、外部より電圧が供給可能なゲートコンタクト層１０２とゲート電極１０３を設け、これとは独立し、トレンチ溝１１０〜１１２の底部で、ゲート領域１３のｐ^＋＋コンタクト層１４にオーミック接触するメタル導電部（仮想ゲート電極）１０１を設ける構造とした。この仮想ゲート電極１０１は、ゲート電極１０３や外部配線とは絶縁された形となる。
【効果】 ゲート抵抗を小さくし、高速スイッチング動作が可能な大電流容量の炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温で動作可能な測温ダイオードを内蔵し、高温環境下で用いることができる炭化珪素半導体装置を提供すること。
【解決手段】 静電誘導トランジスタとして、溝部１１０，１１１を制御領域１２，１４に利用する構造を採る場合、制御層間距離によってノーマリオフ型とすることができる。このノーマリオフを素子間分離として用い、炭化珪素と多結晶シリコンとのヘテロ接合ダイオード１１４（又はｐｎ接合ダイオード）を構成する。
また、深いｐ型の第３層３０を接地することによっても、素子間分離を達成し、この内側のｎ型第４層と基体他面との間に測温ダイオードを造り込むことができる。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリウレタンを１種以上含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】 有機ＥＬ素子や有機ＴＦＴ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 半導体部と絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、絶縁部が強誘電性及び強磁性をともに有する物質と非磁性物質を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 電界効果トランジスタに、強誘電性及び強磁性をともに有する物質を含有する絶縁部１６と絶縁部１６に対向して設けられ強磁性を少なくとも有する物質を含有する強磁性部１４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもオン電流値を上昇させ、精度の高い回路動作を行なえるようにした、優れた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁部２に、強誘電体物質を含有するコア部と、常誘電体物質を含有するシェル部とからなるコア・シェル構造粒子を含有させる。 （もっと読む）

高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約２×１０^１５ｃｍ^−３未満である正味ｎ型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。

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