基板上に形成された複数の活性半導体層を含むＨＥＭＴ。ソース電極、ドレイン電極、およびゲートは、複数の活性層と電気的に接触して形成される。スペーサ層は、前記複数の活性層の表面の少なくとも一部の上に形成され、ゲートを覆っている。フィールドプレートが、スペーサ層上に形成されて、ソース電極に電気的に接続され、このフィールドプレートはＨＥＭＴ内の最高動作電界を低減する。
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窒化物ベースの電界効果トランジスタは、 基板と、基板の上に形成されたＩｎＡｌＧａＮを備えるチャネル層と、チャネル層と電気的に連絡しているソースおよびドレインオーミックコンタクトと、チャネル層の上に形成されたゲートコンタクトとを備える。少なくとも１つのエネルギー障壁が、チャネル層から離れるキャリアの動きに逆らう。エネルギー障壁は、チャネルから離れる方向に向けられた関連した電界を生成する正孔供給源層に近接した電子供給源層を備えることができる。いくつかの実施形態に従ったエネルギー障壁は、約０．５ｅＶを超える拡散電位障壁を実現することができる。方法の実施形態もまた開示されている。
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電界効果トランジスタは、ＧａＮチャネル層１２とＡｌＧａＮ電子供給層１３を含む半導体層構造と、電子供給層１３上に互いに離間して形成されたソース電極１およびドレイン電極３と、ソース電極１とドレイン電極３との間に形成されたゲート電極２と、電子供給層１３上に形成されたＳｉＯＮ膜２３とを有している。ゲート電極２は、ドレイン電極３側にひさし状に張り出し、かつＳｉＯＮ膜２３上に形成されたフィールドプレート部５を有している。ＳｉＯＮ膜２３のフィールドプレート部５と電子供給層１３との間に位置する部分（フィールドプレート層２３ａ）の厚さが、ゲート電極２からドレイン電極３の方向に向かって次第に厚くなるように変化している。 （もっと読む）

基板の支持表面上に形成された、横方向に隣接した導電性半導体領域により構成された横方向に延びているスタックを備える半導体デバイスおよびそのデバイスを作製する方法。
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窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。
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ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する方法を、結果的に得られる半導体構造及びデバイスと共に開示する。本方法は、ダイアモンドの層を炭化珪素ウェハに添加して、得られる複合ウェハの熱伝導率を高め、その後、炭化珪素の上におけるエピタキシャル成長を支持するためにその十分な厚さを保持しつつ、複合ウェハの炭化珪素部分の厚さを削減し、複合ウェハの炭化珪素面を、その上におけるエピタキシャル成長のために、準備し、第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造を、ウェハの準備した炭化珪素面に添加することを含む。
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低接触抵抗を実現しつつ表面荒れの少ない電極が得られる技術を提供する。
半導体膜１０１の上部に設けられる電極であって、この半導体膜１０１の上部にこの半導体膜の側から順に積層された第一金属層１０２と第二金属層１０３とを有し、この第一金属膜１０２が、Ａｌからなり、この第二金属膜１０３が、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上の金属からなることを特徴とする電極。 （もっと読む）

活性層との電気的コンタクトで形成された金属のソースおよびドレインコンタクト（２０，２２）を有する活性半導体層を備えるトランジスタ構造。ゲートコンタクト（２６）が、活性層内の電界を変調するためにソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に形成されている。スペーサ層（２４）が、活性層の上に形成されている。導電性フィールドプレート（２８）がスペーサ層の上に形成され、ゲートコンタクトの端からドレインコンタクトに向かって距離Ｌ_ｆ延びている。フィールドプレートは、ゲートコンタクトに電気的に接続されている。

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半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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ＨＥＭＴは、シリコン基板（１）、窒化物半導体から成るバッファ領域（２）、窒化物半導体領域（３）、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）、ゲート電極（６）、絶縁膜（７）、導体膜（８）及びコンタクト電極（９）を有している。バッファ領域（２）はシリコン基板（１）の上に複数回繰返して成長されたＡＩＮから成る第１の層（１３）とＧａＮから成る第２の層（１４）とから成る。半導体領域（３）は電子走行層（１５）と電子供給層（１６）とを有している。バッファ領域（２）及び半導体領域（３）の側面（１７）は傾斜している。この傾斜側面（１７）に絶縁膜（７）を介して導体膜（８）が対向している。導体膜（８）はコンタクト電極（９）を介してシリコン基板（１）に接続され、側面（１７）における漏れ電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体基板と、インジウムアルミニウムガリウムヒ素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）格子整合層と、格子整合層の上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）バリア層と、バリア層上に配設されるＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層であって、ｙは下部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率である、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層と、下部チャネル層上に配設されるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層であって、ｘは上部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率であり、ｘはｙと異なる、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層上のＩｎＡｌＡｓショットキー層とを有するトランジスタ構造体。下部チャネル層は、上部チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、下部チャネル層は、上部チャネル層のバルク電子移動度より低いバルク電子移動度を有する。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。
【解決手段】ドライエッチングにより、第１化合物半導体層２２のゲート電極形成予定領域３６の表面を露出するとともに、コンタクト層３２を形成する。次いで、この第１化合物半導体層２２の露出した表面に対するアニール処理を行う。前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】耐圧性、特性安定性に優れ、ゲートリーク電流が低減されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上にバッファ層と、チャネル層と、スペーサ層と、キャリア供給層と、ショットキーバリア層と、高濃度不純物ドープキャップ層とが順次堆積され、ソース電極及びドレイン電極がキャップ層表面に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のキャップ層にショットキーバリア層に達する開口部が形成され、開口部に露出したショットキーバリア層表面にゲート電極が形成されているヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、キャップ層が複数の細線で構成され、細線間はショットキーバリア層が露出し、ソース電極及びドレイン電極が、細線と細線間に露出したショットキーバリア層との両方に接触していることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）