【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体層２と、が設けられている。化合物半導体層２には、第１の不純物の活性化により発生した第１導電型のキャリアを含む第１の領域２ａと、第１の不純物と同一種類の第２の不純物の活性化により発生したキャリアを、第１の領域２ａよりも低濃度で含有する第２の領域２ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作型の半導体素子を複雑な工程を経ることなく作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＨＦＥＴの種々の特性を改善する。
【解決手段】ヘテロ接合型電界効果トランジスタでは、サファイア基板の上面上において第１の金属層（２）とヘテロ接合を含む窒化物半導体層（５、６）とがこの順に形成されており、窒化物半導体層上にはソース電極（７）、ゲート電極（８）およびドレイン電極（９）が配置されており、第１の金属層は開口部（４）を含むようにパターン化されており、窒化物半導体層は第１の金属層の開口部で露出されたサファイア基板の上面から結晶成長しており、第１の金属層はソース電極へ電気的に接続されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層であるｐＧａＮ層１０３に形成された注入領域１０４’上に、ＧａＮのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する物質よりなる光吸収膜Ｔ１を形成し、この状態で基板１０１上面から赤外光や赤色光など、ｐＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの所定光を用いてアニールを行う。ｐＧａＮ層１０３と比較して光吸収膜Ｔ１の方がアニールで使用される光の吸収係数が大きいため、光吸収膜Ｔ１直下もしくは近傍の領域（注入領域１０４’）を選択的に熱処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができるIII族半導体材料電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタの製造方法は、基板やサンプルステージ等を加熱しこれらの熱伝導を用いて半導体層を昇温することによって不純物を活性化させるのではなく、キャリア移動層を形成するＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを有する波長の紫外線レーザ光Ｌを照射することによって電界効果トランジスタの構成層に含まれる不純物を活性化させるため、デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗とノーマリオフ特性と電流コラプス抑制とを同時に達成したＨＦＥＴを提供すること。
【解決手段】第１半導体層と、前記第１半導体層上にヘテロ接合され且つ前記へテロ接合界面において第１導電型の２次元キャリアガス層を形成することができる第２半導体層と、前記第２半導体層上に形成され且つ不純物を導入された第３半導体層と、前記第３半導体層上に形成されるソース電極９と、前記第３半導体層上に形成され且つ前記ソース電極と離間して形成されるドレイン電極１０と、を有し、前記第３半導体層上であって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に島状に形成され且つ前記第１導電型と異なる第２導電型を有する第４半導体層と、前記第４半導体層上と電気的に接続されるゲート電極８と、を有することを特徴とするＨＦＥＴ。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系高移動度トランジスタの電流コラプスを低減する。
【解決手段】先ず、下地基板１０上に、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造層２０を形成する。次に、リフトオフ法を用いて、へテロ構造層２０の上側表面２１上に、ゲート電極５２、オーミック電極５４を形成する。次に、へテロ構造層の上側表面に対してＮＨ_３プラズマ照射することにより、表面クリーニングを行う。ＮＨ_３プラズマ照射に換えて、Ｎ_２Ｏプラズマ、Ｏ_２プラズマ、又はＳｉＨ_４プラズマの各プラズマ照射を行っても良い。 （もっと読む）