【課題】大気圧で基板上に気化された化学材料を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された質量の半導体材料を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、原料物質を液化させる液化部と、前記液化部と連通されて液化された原料物質を気化させる気化部と、前記気化部と連通されて気化された原料物質を噴射するインジェクターと、を備え、前記液化部は、原料物質が貯蔵されるシリンダー状のルツボと、前記ルツボの一方の側に挿入されて原料物質を排出するピストン部と、前記ルツボを加熱して原料物質を液化させる液化加熱部と、を備える原料供給ユニットと、これを備えた薄膜蒸着装置および薄膜蒸着方法を提供する。
このように、本発明によれば、固体状の原料物質を液化させた後、これらのうち必要な一部だけを気化させて供給することにより、原料物質の大容量化を達成しつつも、これを気化させて供給するための熱量の消耗を極力抑えることができる。
（もっと読む）

【課題】 基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。
【解決手段】 金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 （もっと読む）

基板上に薄膜を堆積するための方法及びシステムは、基板上方に位置付けた蒸気供給流源からの蒸発可能材料を導入することを含む。蒸発可能材料は蒸発され、蒸気供給流源から蒸気供給流として基板から離れる方向に向けられる。蒸気供給流は、リディレクタから基板の方へ向きなおされて、基板上に薄膜として堆積される。 （もっと読む）

【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）