【課題】表示品位に優れ、製品歩留まりの高い液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネルは、第１基板と、第２基板と、液晶層と、を備えている。第１基板は、走査線と、信号線と、スイッチング素子Ｗと、スイッチング素子に重なったコンタクトホール１１ｈを有した第１絶縁層１１と、共通電極ＥＴと、コンタクトホールに形成され、スイッチング素子に電気的に接続された接続部１３と、接続部に重なった他のコンタクトホール１４ｈを有した第２絶縁層１４と、他のコンタクトホールを介して接続部に電気的に接続された画素電極ＥＰと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに接続された各配線を形成する際のプラズマエッチング工程においてチャージアップに起因するプラズマダメージが生じることを防止する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１３ｓに接続されたソース配線１７ｓ、ＴＦＴ１０のドレイン領域１３ｄに接続されたドレイン配線１７ｄ、およびＴＦＴ１０に対して電気的に接続されない配線１８を共通のプラズマエッチング工程によって形成する際、ソース配線１７ｓとドレイン配線１７ｄとの間隔を、ソース配線１７ｓと配線１８との間隔およびドレイン配線１７ｄと配線１８との間隔よりも狭くする。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムの上に所望の酸化物半導体ＴＦＴと有機ＥＬ素子が高歩留りで安定して形成されるフレキシブル有機ＥＬディスプレイを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム２０と、その上に形成された接着層４８及び下側絶縁層５９と、下側絶縁層５９に埋設され、下から順に、陽極５８と、有機ＥＬ層５０と、陰極２６とが形成されて構成される有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の上に形成された上側絶縁層４６と、上側絶縁層４６に埋設され、下から順に、酸化物半導体層３８ａ，３８ｂと、ソース電極３６ａ，３６ｘ及びドレイン電極３６ｂ，３６ｙと、ゲート絶縁層３４と、ゲート電極３２ａ，３２ｂとが形成されて構成されるＴＦＴ５，６と、上側絶縁層４６に設けられ、ＴＦＴ６のドレイン電極３６ｙに到達するビアホールＶＨ２とを含み、陰極２６がビアホールＶＨ２を介してＴＦＴ６のドレイン電極３６ｙに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備え、絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、且つ第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性構造部が従来のようにまだ機械的にコンタクト形成のできない基板のもとでも検査の実施が可能となるように改善すること。
【解決手段】電界が導電性構造部（３）の機械的接触なしでの励起によって形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも製造コストを低減することのできる薄膜デバイス装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１００上にシラン系化合物を含む液状材料１１０を塗布する塗布工程と、液状材料１１０上にフレキシブル基板１２０を配置する配置工程と、液状材料１１０に熱処理を施してアモルファスシリコン膜１１１に変化させる熱処理工程と、フレキシブル基板１２０上に薄膜デバイスを含む薄膜デバイス層１３０を形成するデバイス形成工程と、アモルファスシリコン膜１１１に光を照射して支持基板１００からフレキシブル基材１２０を剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な作業で回路積層体と支持基板との剥離を達成し、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことのできる表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】ガラス基板上に回路積層体を形成する工程と、前記回路積層体の表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の表面に支持基板を貼り合わせる工程と、前記ガラス基板を除去する工程と、前記回路積層体の前記ガラス基板が除去された面に樹脂基板を貼り合わせる工程と、前記剥離層を露光する工程と、前記樹脂基板を前記回路積層体から剥離する工程とからなり、
前記剥離層は、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物からなる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスステップを増加させず、かつ現状の印刷プロセスで製造可能な集積度の高い有機トランジスタアレイ、及び、前記有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に設けられた複数のゲート電極と、前記複数のゲート電極の上層又は下層にゲート絶縁膜を介して設けられた複数のソース電極及び複数のドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成する有機半導体層と、を有する有機トランジスタアレイであって、前記有機トランジスタアレイは、平面視において、単一画素を構成する複数の区画に区分され、前記区画は、最密充填構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光照射による活性化処理を行ったとしても、ホットキャリア信頼性が損なわれることがない薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に島状半導体層を形成する工程、前記島状半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程、光を照射して、前記島状半導体層とゲート絶縁膜との界面に焼締め処理を施す工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記島状半導体層に不純物を注入し、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を形成する工程、及び前記島状半導体層に光を照射し、前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域中の不純物を活性化する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用いたダイオードを提供する。
【解決手段】基板上の、酸化亜鉛を含み、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半導体膜とゲート電極との間のゲート絶縁膜と、前記半導体膜と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続される。前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下にあり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。 （もっと読む）

【課題】均一な加熱によって、簡単な手法を用いて、酸化物半導体層を形成し、これを活性層とした薄膜トランジスタの製造を行うことのできる新規な方法を提供する。
【解決手段】前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜６’をパターニングした後、加熱することにより酸化物半導体の薄膜６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料を溶解した溶剤を基体上に塗布し、乾燥したとき、均一、均質な有機半導体材料の薄膜を得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体１３上にゲート電極１４を形成した後、全面にゲート絶縁層１５を形成し、次いで、ゲート絶縁層１５上にソース／ドレイン電極１６を形成した後、少なくとも、ソース／ドレイン電極１６の間に位置するゲート絶縁層１５の上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域１７を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】表示品位、製造効率及び製造コストが良好な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタ２４のチャネル保護膜３４において、半導体膜及びチャネル保護膜３４上に形成されたｎ＋半導体膜と、ｎ＋半導体膜を介しチャネル保護膜３４に跨って互いに離間して形成されたソース電極２７及びドレイン電極２８のそれぞれの下方領域との間に位置する端部に、平面視で鋭角の突起部３５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する薄膜トランジスタを容易に製造する方法および当該方法により製造された薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】
薄膜トランジスタ１の製造方法は、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）分散溶液を塗布して、ソース電極３とドレイン電極４と及び半導体層９とを形成する。半導体層９を形成する際の分散溶液の塗布量は、電極３、４を形成する際の塗布量よりも少量である。半導体層９をＳＷＣＮＴにより形成したため、有機半導体層を用いた場合よりも、高い移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。また、塗布法により電極３、４と半導体層９とを形成させるため、簡単かつ安価に薄膜トランジスタを得ることができる。しかも、塗布量のみを変化させて、電極３、４と半導体層９とを形成させるので、簡単かつ安価に薄膜トランジスタを得ることができる。
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【課題】高いキャリア移動度を示し、しかも、分子設計の自由度が高く、プロセスに対する適応性が高いジオキサアンタントレン系化合物を提供する。
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物は、以下の構造式（１）で表される。但し、Ｒ₃及びＲ₈の内の少なくとも１つは水素以外の置換基である。
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【課題】画素の開口率の低下を抑えつつ、補助容量電極と層間絶縁膜との間にカバレッジ不良を生じさせないことにより、表示品位の低下を抑えることのできる液晶表示装置を実現する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１００は、マトリクス状に配された複数の画素電極１１３と、各画素電極１１３に対向する位置に層間絶縁膜１１２を介して形成された補助容量電極１１４とによって、それぞれの画素領域に補助容量を作成するアクティブマトリクス基板であって、上記補助容量電極１１４は、上記層間絶縁膜１１２と接触する面に凹部が無く、且つ、該層間絶縁膜１１２に向かって突起した突起部が形成されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、ＴＦＴ及びそれらを製造するための方法を含む。ＴＦＴのゲート誘電体層は、ＴＦＴの閾値電圧に影響を与えることができる。アクティブチャネル材料を堆積する前にゲート誘電体層を処理することによって、閾値電圧を改善することができる。ゲート誘電体を処理する１つの方法は、Ｎ_２Ｏガスにゲート誘電体層を曝露することを含む。ゲート誘電体を処理する別の方法は、Ｎ_２Ｏプラズマにゲート誘電体層を曝露することを含む。シリコンベースのＴＦＴ用にはゲート誘電体として実用的ではないが、酸化珪素も金属酸化物ＴＦＴで使用すると、閾値電圧を改善することができる。ゲート誘電体を処理する、及び／又は、酸化珪素を使用することによって、ＴＦＴの閾値電圧を改善することができる。
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【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置をフレーム反転によって駆動するとき、フレクソエレクトリック効果によってフリッカーが生ずる現象を対策する。
【解決手段】画素電極１１０の一方の領域には櫛歯電極１１０１が４個存在し、他方の領域には櫛歯電極１１０１が３個存在する。画素電極１１０の下層には、絶縁膜を挟んで平面ベタで形成されたコモン電極が存在する。フレクソエレクトリック効果によって画素電極１１０がコモン電極よりも電位が高いときは、櫛歯電極１１０１上に暗線が生じ、画素電極１１０がコモン電極の電位よりも低いときはスリット部１１２に暗線が生ずる。図のような画素電極形状とすることによって画素電極１１０とコモン電極との相対電位にかかわらず、暗線の数が同じとなる。これによってフリッカーを抑えることが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、ゲート絶縁層により酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、オーム接触層を介してソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極とを含み、オーム接触層は、ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されている。 （もっと読む）