【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。
【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の酸化を防ぎ、良好な多結晶シリコン膜を得ることができると共に、絶縁性基板上に低コストで多結晶シリコン膜を形成することが可能な多結晶シリコン膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で多結晶化させる多結晶シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜形成工程から多結晶シリコン膜形成工程に被処理基板を移行するときの工程であって、非晶質シリコン膜を形成した後に非晶質シリコン膜形成工程の非酸化性雰囲気を大気雰囲気又は所定の酸素分圧を有する雰囲気に変化させ、その後、被処理基板２を多結晶シリコン膜形成工程に移行して、多結晶シリコン膜形成工程内の雰囲気を非酸化性雰囲気に変化させる雰囲気制御工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイ用基板の製作方法の提供。
【解決手段】本発明は一種の液晶ディスプレイ用基板の製作方法に関するものであり、主には、従来のパネル設計における抵抗値のマッチングがしにくいという問題を改善するために、低インピーダンスの導線構造を形成するものである。本発明で製作する薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用基板は、パネル内の導線抵抗値を有効に減少することができ、薄膜トランジスタの駆動信号の通信速度を向上させることができる。故に、本発明は製品の歩留まりを向上させて製造コストを下げるだけでなく、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの大型化、高画質化のニーズを満足させることもできる。 （もっと読む）

本発明の半導体機器は、酸化亜鉛からなる酸化物半導体薄膜層（３）を有する。そして、酸化物半導体薄膜層の少なくとも一部が基板（１）表面に対して垂直方向に（００２）結晶面が優先配向状態を有し、該（００２）結晶面の格子面間隔ｄ_００２が、２．６１９Å以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減することで製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得るカラー表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ドレイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させてカラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの上に低温で形成できる酸化膜から良質なゲート絶縁膜が構成され、ポリシリコンなどの材料から構成されたゲート電極を用いたＭＯＳトランジスタが、工程数をあまり増加させることなく製造できるようにする。
【解決手段】酸化シリコン層１５１の上に酸化アルミニウム層１５２が設けられ、酸化アルミニウム層１５２の上にこれを覆うように酸化シリコン層１５３が配置された状態に絶縁層１０５を形成し、この絶縁層１０５が加熱された状態とし、絶縁層１０５と半導体層１０４との界面の捕獲準位が低減された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 大面積化が容易なプラズマ放電によりイオン化が行え、且つ酸化物半導体薄膜層に浅い不純物準位を形成する元素を選択する。該元素からなるガスをプラズマ分解等により質量分離を行わず、大面積にわたりイオンを形成し、イオン化した元素を該酸化物半導体薄膜層に導入することでソース・ドレイン領域を形成する。
【解決手段】 ゲート絶縁膜とゲート電極が自己整合的に同一形状に形成されており、酸化物半導体薄膜層であって、該ゲート電極の下側以外の範囲が、該ゲート電極の下側の範囲よりも、水素(H)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、フッ素(F)、キセノン(Xe)、酸素(O)の元素群のうち少なくとも1種の濃度が高い領域を含むソース・ドレイン領域であることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極からチャネルまでの寄生抵抗を減少させ、電流律速の抑制された薄膜トランジスタ及びその製法を提供する。
【解決手段】 基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、該酸化物半導体薄膜層の少なくとも一定範囲を被覆するゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に積載されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体薄膜層において、該ゲート電極の直下方以外の範囲が、該ゲート電極の直下方の範囲より低抵抗化しているソース・ドレイン領域を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】正スタガ構造において、ソース・ドレイン電極上の半導体膜もしくはゲート絶縁膜のステップカバレッジを向上させ、また、これらの膜の薄膜化を図り、半導体装置の特性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の上部に、ソース・ドレイン電極１２ａ、１２ｂをレジスト膜１４ａ、１４ｂをマスクにエッチングすることにより形成した後、例えば絶縁性の液体材料を塗布し、ソース・ドレイン電極１２ａ、１２ｂ間を絶縁膜１５ａで埋め込み、平坦化を図った後、その上部に半導体膜１６ａ、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極１８（Ｇ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる影響が抑制できる範囲でより迅速にゲート絶縁膜が形成できる下層絶縁層の膜厚条件を提案する。
【解決手段】ソース領域１０６の上及びここからドレイン領域１０７の上の領域にかけて、膜厚５０ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜を形成し、これを結晶化させ、この後、原子層成長方法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により膜厚１〜７ｎｍ程度に酸化シリコンを堆積することで、下層絶縁膜１０９が形成された状態とする。この後、プラズマＣＶＤ法で、上層絶縁層１１０が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上にｐチャネルＴＦＴおよびｎチャネルＴＦＴを作製する際に、特性の劣化が少ないＴＦＴを作製する技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネル及びｎチャネルＴＦＴ用のゲート電極を形成する際に用いた第１及び第２のレジストマスクを残し、その後ｐチャネル及びｎチャネルＴＦＴ形成領域の一方の上に第３のレジストマスク３を形成してから、第２及び第３のレジストマスク３を用いて第１の不純物イオン１０を添加して、一方の半導体膜にソース領域１１及びドレイン領域１２を形成する。その後、第１のレジストマスク、第２のレジストマスク及び第３のレジストマスクを除去し、ｐチャネル及びｎチャネルＴＦＴ形成領域の他方の上に第４のレジストマスクを形成してから、第４のレジストマスク１３を用いて第２の不純物イオン１４を添加して、他方の半導体膜にソース領域１５及びドレイン領域１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ソース電極およびドレイン電極とポリシリコン層とのオーミックコンタクトを適切に形成することが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成されており、かつチャネル領域２１とこれを挟むソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有するポリシリコン層２と、ポリシリコン層２の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を挟んでチャネル領域２１と対向するゲート電極４と、ソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとそれぞれ導通するソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂと、ポリシリコン層２、ゲート絶縁膜６、およびゲート電極４を覆う層間絶縁膜７と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａ１であって、ソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂと基板１との間には、導体層３Ａ，３Ｂがそれぞれ介在している。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 窒化シリコンからなる保護膜１１をマスクとして、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜およびｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を連続してエッチングすることにより、保護膜１１下に半導体薄膜１０を形成し、半導体薄膜１０下の両側にオーミックコンタクト層８、９を形成し、そして半導体薄膜１０の上面全体に保護膜１１をそのまま残すことにより、加工精度を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンとの界面に酸化シリコンを配置した上に酸化アルミニウムの層を設ける構造の絶縁層において、固定電荷や界面準位密度の問題が抑制されかつより高い誘電率が得られるようにする。
【解決手段】ゲート絶縁層１０５を、酸化シリコン層１５１と酸化アルミニウム層１５２とが交互に積層され、最上層に酸化アルミニウム層１５３を備えた構造とし、ゲート絶縁層１０５において、シリコン層１０４とは酸化シリコン層１５１が接触した状態とされているようにする。酸化シリコン層１５１は、膜厚０．２ｎｍ程度に形成され、酸化アルミニウム層１５２は、膜厚０．２ｎｍ程度に形成され、酸化アルミニウム層１５３は、４９．４ｎｍ程度に形成されている。酸化シリコン層１５１と酸化アルミニウム層１５２と酸化アルミニウム層１５３との合計の膜厚は、５０ｎｍ程度あればよい。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの上に低温で形成できる酸化膜から良質なゲート絶縁膜が構成され、ポリシリコンなどのアルミニウム以外の材料から構成されたゲート電極を用いたＭＯＳトランジスタが、工程数をあまり増加させることなく製造できるようにする。
【解決手段】酸化シリコン層１５１の上にアルミニウム層１５２が設けられ、アルミニウム層１５２の上にこれを覆うように酸化シリコン層１５３が配置された状態に絶縁層１０５を形成し、この絶縁層１０５が加熱された状態とし、絶縁層１０５（酸化シリコン層１５１）と半導体層１０４との界面の捕獲準位が低減された状態とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、それを備えた平板表示装置、前記薄膜トランジスタの製造方法、及び前記平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層を含み、有機半導体層は、少なくともチャンネル領域の周囲に、他部と少なくともその結晶構造が異なって変質した変性領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層上に一導電型を有する半導体層を有し、一導電型を有する半導体層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接してゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層に接してゲート電極層を有し、ゲート絶縁層、ゲート電極層、及び画素電極層上に絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は、ソース電極層またはドレイン電極層に達する第１の開口部、及び画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層またはドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明の配線基板の作製方法の一は、被処理物を有する第１の領域を形成し、一部の被処理物表面を改質して、第１の領域と境界線を有する第２の領域を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部、及び第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を固化して導電層を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部に形成された導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】オン電流が増大し、オン・オフ比が大きくなり、かつ、ソース電極とドレイン電極との間でショートが発生しにくい電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１４、ドレイン電極１６、ゲート電極１２、及び有機物を含有する半導体１５を備えた電界効果トランジスタであって、半導体１５が第１の導電率を有する第１の層１５１と、第２の導電率を有する第２の層１５２とを含み、第１の層１５１がソース電極１４及びドレイン電極１６から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、前記第１の導電率が、前記第２の導電率より高い電界効果トランジスタとする。 （もっと読む）