本発明は、トランジスタ２２及びキャパシタ２３を含んでいる不揮発性強誘電体メモリ装置３０に関し、特に、不揮発性で、電気的に消去可能、かつプログラム可能な強誘電体メモリ素子及びそのような不揮発性強誘電体メモリ装置３０を生産する方法に関する。本発明による方法は、トランジスタ２２のゲート誘電体層及びキャパシタ２３の誘電体層は同一の有機又は無機強誘電体層から作られるので、限られた数のマスクステップを含む。
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ヘテロ接合を有する半導体デバイス。このデバイスは、基板と少なくとも１つのナノ構造とを備える。この基板とナノ構造とは、異なる材料から成る。この基板は、例えばＩＶ族半導体材料から成ることがあるのに対して、このナノ構造は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から成ることもある。このナノ構造は、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係にある。ナノ構造は、ゲートアラウンドトランジスタデバイスなどの電子デバイスの機能コンポーネントになる可能性がある。ゲートアラウンドトランジスタの一実施形態においては、ナノワイヤ（５１）が、基板（５０）によって支持され、この基板はドレインであり、このナノワイヤは電流チャネルであり、上部金属コンタクト（５９）はソースである。薄いゲート絶縁膜（５４）が、このナノワイヤとこのゲート電極（５５Ａ、５５Ｂ）とを絶縁している。
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【課題】 異なる配向の半導体が共通のＢＯＸ層上に配置された、プレーナ型ハイブリッド配向半導体基板構造体を形成するための、より簡単で優れた方法を提供すること。
【解決手段】 異なる結晶配向の半導体層を有するプレーナ型基板を製造するための、スタック状テンプレート層の局部的なアモルファス化及び再結晶化を用いる方法が提供される。本発明の方法を用いて構築されるハイブリッド配向半導体基板構造体、及び、デバイスの性能を高めるために異なる表面配向上に配置された少なくとも２つの半導体デバイスを含む種々のＣＭＯＳ回路と一体化されたこうした構造体が提供される。 （もっと読む）

半導体（１０）はトランジスタのような能動素子を有し、この能動素子はキャパシタ（７５，７７，７９）のような受動素子の直下に位置し、能動素子及び受動素子はビアまたは導電領域（５２）及び配線（６８，９９）によって接続される。ビアまたは導電領域（５２）はトランジスタの拡散領域またはソース領域（２２）の底面にコンタクトし、更にキャパシタ電極の内の第１電極（７５）にコンタクトする。横方向に位置する縦型ビア（３２，５４，６８）及び配線（９９）はキャパシタ電極の内の第２電極（７９）にコンタクトする。金属配線または導電材料（６８）は電源プレーンとして使用することができ、この電源プレーンは、電源プレーンをトランジスタに隣接させるのではなくトランジスタの下に位置するように用いることによって回路面積を節約するように作用する。
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有機半導体を有する電界効果トランジスタ、特に相互接続構造を有する複数の電界効果トランジスタを含むデバイスを製造する方法が提供される。ここで、４層に対して３つのフォトリソグラフィ・マスクが使用される。それに加えて、トランジスタがトップ・ゲート構造で提供され、有機半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）が構造であり、一緒にパターン化される。電界効果トランジスタ（３００）に関連しない領域または第１および第２導電体層（３０３，３０５，５０１）の交差導電体部に関連しない領域から半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）を取り除くことができる。
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気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第１の凹部１０１ａ〜第３の凹部１０１ｃを有する第１の基板１００に金属膜１０２ａ〜第３の金属膜１０２ｃを形成することや、画素電極１４５、有機層１４８、凸部１４９ａの表面を有する陰極１４９からなる発光素子１５０を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 最適な蓄積時間を素早く見つける駆動方法を提供する。
【解決手段】 複数の画素を有するＭＯＳ型センサにおいて、複数の画素の全ての画素を同時にリセットした後、前記複数の画素から信号を順に出力し、前記リセットをした時から、前記複数の画素が、飽和した信号を出力する直前までの期間を、蓄積時間とすることを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法が提供される。 （もっと読む）