【課題】剥離用物質を注入して半導体層を薄膜化すると共に、半導体デバイス部に対する剥離用物質による悪影響を排除する。
【解決手段】半導体装置Ｓの製造方法は、半導体層２０の表面に絶縁層であるゲート酸化膜４を形成する絶縁層形成工程と、半導体層２０に対し、半導体層における上記剥離用物質の移動を抑止するためのホウ素イオンを注入し、該半導体層２０に拡散抑止層３５を形成する拡散抑止層形成工程と、拡散抑止層３５のホウ素を加熱して活性化させる活性化工程と、半導体層２０に水素イオンを注入し、半導体層２０の領域のうち拡散抑止層３５を介してゲート酸化膜４と反対側の領域に剥離層３６を形成する剥離層形成工程と、半導体層２０のゲート酸化膜４側にガラス基板１８を貼り合わせる貼り合わせ工程と、半導体層２０を熱処理することにより、半導体層２０を剥離層３６に沿って分割する分割工程とを備えている。 （もっと読む）

本発明はトランジスターデバイスのチャネル領域の絶縁基板上に形成される金属薄膜あるいは複合金属層が含まれるデプレッションあるいはエンハンスメントモードの金属トランジスターに関する。

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電子親和力がＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}である有機半導体層と、前記半導体層と界面を形成する有機ゲート誘電体層とを備えるｎ−チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタであって、前記ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度が１０^１８ｃｍ^−３未満であり、この場合、トラッピング基は（ｉ）ＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}以上の電子親和力ＥＡ_ｘおよび／または（ｉｉ）（ＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}−２ｅＶ）以上の反応性電子親和力ＥＡ_ｒｘｎを持つ基であることを特徴とする、ｎ−チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタである。
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半導体装置基板上に貫通誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層の上部にトレンチ誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層を露出させるため、トレンチ誘電体層を貫通する溝を形成するステップと、基板を露出させるため、前記溝内の貫通誘電体層に貫通孔を形成するステップと、溝内および前記貫通孔内に半導体材料を形成するステップと、を有する方法を示した。装置基板と、該装置基板の表面に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された、装置基板と相間する結晶構造を有する装置基部と、を有する装置を示した。
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【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいＤ／Ａ変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するＤ／Ａ変換回路であって、複数の容量は、第１電極と、第１電極に接している第１誘電体と、第１誘電体に接している第２電極と、第２電極に接している第２誘電体と、第２誘電体に接している第３電極とをそれぞれ有しており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっている部分において開口部を有しており、第２電極が有する開口部において、第１誘電体及び第２誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１電極と第３電極が接続されていることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第１の凹部１０１ａ〜第３の凹部１０１ｃを有する第１の基板１００に金属膜１０２ａ〜第３の金属膜１０２ｃを形成することや、画素電極１４５、有機層１４８、凸部１４９ａの表面を有する陰極１４９からなる発光素子１５０を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、ＬＤＤ領域の抵抗を許容レベルにまで下げるとともにＴＦＴしきい値電圧のシフトを防ぐことを目的とする。
【解決手段】 絶縁性基板上に多結晶Ｓｉを形成する工程と、該多結晶Ｓｉ上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上に下層ゲート電極と該下層ゲート電極より幅の狭い上層ゲート電極から成る２層ゲート電極を形成する工程と、該２層ゲート電極をマスクにして３属あるいは５属元素から成る不純物をイオン注入する工程と、熱処理する工程と、該２層ゲート電極をマスクにして水素をイオン注入する工程を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）