Fターム[5F110EE02]の内容
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高融点金属 (5,847)
シリサイド (1,364)
合金 (3,443)
透明導電膜(例;ITO) (2,190)
Fターム[5F110EE02]に分類される特許
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薄膜トランジスタを備えた平板表示装置
【課題】 薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】 各駆動薄膜トランジスタの活性層の結晶粒の差によって、そして、駆動薄膜トランジスタの活性層のサイズを変更せずホワイトバランスを合せ、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を得、寿命を短縮させないようにするためのものであって、自己発光素子を備えた複数の副画素を含む画素と、前記各副画素に備えられて少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を備え、前記自己発光素子に各々接続されて電流を供給するものであって、前記活性層の少なくともチャンネル領域が前記副画素別にその結晶粒のサイズまたは形状が相異なるように備えられた駆動薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする平板表示装置。
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自己組織化単分子層を含む電子デバイスおよびこれを製造する方法
【課題】 電子特性が向上した分子層を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子デバイスは、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域に隣接して配置され、少なくとも1つの共役分子を含む自己組織化単分子層と、自己組織化単分子層に隣接した導電性基板と、を含む。
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有機薄膜トランジスタ
【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量2000以上のπ共役系ポリマー及び分子量2000以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
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薄膜トランジスタを具備したフラットパネルディスプレイ
【課題】 駆動用TFTの活性層の大きさを変更せずに、同じ駆動電圧を加えた状態でもホワイトバランスを合わせられるフラットパネルディスプレイを提供する。また、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を実現し、寿命が長いフラットパネルディスプレイを提供する。
【解決手段】 自発光素子を具備する複数の副画素を含む画素と、前記副画素の各々に備えられた、少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を具備し、前記自発光素子に電流を供給するために前記自発光素子に接続されてなる、駆動用薄膜トランジスタ(20r、20g、20b)とを含むフラットパネルディスプレイであって、前記半導体活性層のチャンネル領域が、少なくとも2つの前記副画素に関して相異なる方向に配置されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイである。
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半導体装置および電子機器
【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚50μm以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたFPC上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。
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絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
【課題】シリコン基板上のSi1−xGex層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いMISFETを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板101上に、Si1−xGex層103を形成し、このSi1−xGex層103にMISFETを形成する。ソース層及びドレイン領域106,107の接合深さを、前記Si1−xGex層103とシリコン層とが接する面を越えないようにする。
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表示装置及びその作製方法
【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。
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液晶表示装置およびその作製方法
【課題】 IPS方式の液晶表示装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートTFT構造を採用し、ソース領域119及びドレイン領域120のパターニングとソース配線121及び画素電極122のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。
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半導体装置の製造方法
【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板1上に、非晶質シリコン膜2aを形成する。その非晶質シリコン膜2a上にWシリサイド膜(導電膜)4bを形成する。そして、Wシリサイド膜(導電膜)4bに対し、高周波やYAGレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Wシリサイド膜(導電膜)4bを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜2aを多結晶シリコン膜2に変える。
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配線構造とこれを利用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ag層は銀や銀合金からなり、保護層はIZO、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。
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