【課題】 安定な電気的特性を有する低抵抗の導電膜を液相法を用いて形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の導電膜の形成方法は、基板Ｐ上に微粒子材料を含む液体材料１２を配置する工程と、前記基板Ｐ上の液体材料１２をフラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 少ない枚数のフォトマスクで回路形成を行うことができ、生産性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 下層導電部と上層導電部とが絶縁層を介して積層され、かつ絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された配線を介して接続された構造を基板上に有する回路基板の製造方法であって、基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電膜を順次形成する工程と、上層導電膜上に、上層導電部間形成領域で上層導電部形成領域よりも膜厚が小さく、かつ上層導電部の開口部形成領域に開口部を有するフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜の開口部領域内の上層導電膜及び絶縁層を除去して貫通孔を形成する工程と、貫通孔内に配線を形成する工程と、上層導電部間形成領域のフォトレジスト膜を除去する工程と、上層導電部間形成領域の上層導電膜を除去して上層導電部を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる導入方法、半導体装置の製造方法を提供する。また、前記半導体装置の製造方法を用いる電子機器の製造方法を提供する。前記半導体装置の製造方法により得られる半導体装置およびこれを備える電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の基板２２０上に半導体層３１４を形成する工程と、半導体層３１４が形成された第１の基板２２０を、ドーパントガスＧ１に曝しつつ、半導体層３１４のソース領域およびドレイン領域とすべき領域にレーザ光Ｌを照射して、ソース領域およびドレイン領域にドーパント原子を導入する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ドーパント原子を半導体膜に簡単かつ迅速に導入することができる半導体装置の製造装置、半導体膜の形成方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１０００は、第１の基板２２０を設置するステージ１１４０と、光を照射する光照射手段１１５０と、ドーパントガスＧ１を噴出するガス供給手段１２００とを備え、第１の基板２２０は半導体層３１４を有し、光は半導体層３１４に吸収される波長を有し、ドーパントガスＧ１は半導体層３１４に拡散されるドーパント原子を有している。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の駆動回路において、ＴＦＴの半導体層と配線との電気的接続に係る抵抗を小さくし、更には当該駆動回路の動作不良を防止して消費電流を小さくする。
【解決手段】 駆動回路は、相補型トランジスタを構成するｎチャネル型の第１ＴＦＴ及びｐチャネル型の第２ＴＦＴと、第１ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されるか、又は第２ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続される配線と、配線と第１ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第１抵抗と、配線と第２ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第２抵抗とを相互に近付けるように、第１又は第２ＴＦＴの半導体層より下層側に、第１又は第２コンタクトホールと重畳的に形成された導電性のシート層とを備える。 （もっと読む）

アクティブマトリックスディスプレィバックプレーン（１００）は、可撓性誘電基板（２０２）をアニーリングすることによって形成され、次いで、アニールされた基板の表面に、相互接続（２４０）、１またはそれ以上のピクセル電極（１１４）、および、１またはそれ以上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（１１２）を形成する。相互接続（２４０）は、互いに電気的に結合され、間隔が隔てられた別々の電極を含む。相互接続電極の一方は、ＴＦＴ（１１２）に電気的に結合され、相互接続電極の他の一方は、ピクセル電極（１１４）に電気的に結合され、それによりＴＦＴ（１１２）とピクセル電極（１１４）とが電気的に相互接続される。
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【課題】 薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスに関し、製造工程における現像液に浸食されず、安定した生産が実現でき、透明電極との直接接合をしても低い接合抵抗を実現可能とした表示デバイスを提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスにおいて、透明電極層とアルミニウム合金膜層との間に透明金属酸化物層を設けて、電気的に接続されたものとした。また、この透明金属酸化物層は、透明電極層の含有酸素濃度よりも低い含有酸素濃度であり、ＩＴＯから構成される場合、その光吸収係数が３×１０^４〜４×１０^４ｃｍ^−１であるものとした。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜とエッチングガスが反応して細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。塩素を含むガスで第２の導電膜をエッチングする際には、第１の導電膜により透明導電膜が保護され、フッ素を含むガスで第１の導電膜をエッチングする際には、透明導電膜とフッ素を含むガスは反応しないので、パーティクルが形成されない。 （もっと読む）

【課題】フォト工程数を削減することで作業時間の短縮と製造コストの削減とを可能にする薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は本発明による次の光マスクをリソグラフィに利用する。この光マスクは透過領域と遮光領域との他に、半透過領域を備える。半透過領域は、光を遮断する複数の遮光部を含むことで、透過領域を透過する光の光量より少ない光量の光を透過させ、対応する感光膜の領域全体に照射する。本発明による光マスクでは特に、半透過領域内で遮光部の形状や間隔が変化することで、透過光の光量が一つの半透過領域内でも変化する。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる水平電界薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、基板上に形成されたゲートライン１０２と、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜とを介して交差され画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲート電極とソース電極とドレイン電極１１２及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、基板上に形成された共通ライン１２０と、画素領域に形成された共通電極１２２及び画素領域に共通電極１２２と水平電界を形成するための画素電極１１８を含み、データライン１０４とソース電極及びドレイン電極が不透明導電パターン及び透明導電パターンを備え、画素電極１１８はドレイン電極の透明導電パターンが伸張され形成され、保護膜が透明導電パターンと境界を成し、透明導電パターンを除いた残りの領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する薄膜トランジスタを提供する。またコンタクトホールの形成を、容易かつ確実に実施する方法を提供する。
【解決手段】断面がテーパー形状であるアルミニウムゲイト電極と、前記ゲイト電極上のゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上のチャネル形成領域を構成するＩ型のアモルファスシリコン膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜上の保護膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜及び保護膜上のｎ型のアモルファスシリコン膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に電気的に接続されたアルミニウムソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されたアルミニウムドレイン電極と、前記ゲイト絶縁膜上の画素電極と、前記ゲイト電極に電気的に接続されたアルミニウムゲイト配線と、を有し、前記ドレイン領域と前記画素電極とはアルミニウムを介して電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、層間絶縁膜のピンホールや欠陥に起因する電極間の短絡不良を防ぐ。
【解決手段】ゲート電極２、保持容量共通電極３、ゲート配線４、ゲート端子５、ソース電極９、ドレイン電極１０、ソース配線１１及びソース端子１２といった第１の電極と、画素電極２２、ゲート端子パッド２３及びソース端子パッド２４といった第２の電極とを絶縁する層間絶縁膜１４，１８を、少なくとも二層以上で形成するとともに、この層間絶縁膜１４，１８に形成されるコンタクトホールを少なくとも二回以上の工程によって形成する。層間絶縁膜１４，１８にピンホールや欠損が発生しても、コンタクトホール以外での電極間の短絡不良を防止でき、歩留りを向上できる。 （もっと読む）

【課題】 安定的な垂直構造を有する保護膜を形成することでピクセルの作動不良を防止した薄膜保護膜の提供、及びこれを有する表示基板を提供する。
【解決手段】 基板に形成された薄膜の上面に形成され該薄膜を保護する保護膜において、前記保護膜は、前記薄膜と直接コンタクトされエッチングエージェント（ｅｔｃｈｉｎｇ ａｇｅｎｔ）によって第１エッチング率を有する第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】 段差のある部位に電極又は配線等を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法において、該段差部位に簡便且つ確実に積層膜或いは連結膜を形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体層８４上であって当該半導体層８４の略中央部に位置する第１バンク部３１ｂと、半導体層８４の周縁であって、該半導体層８４を取り囲む形にて形成される薄膜部３２と該薄膜部３２を取り囲む形にて形成される厚膜部３３とを有する第２バンク部３１ａと、を含むバンクを形成する工程と、薄膜部３２と第１バンク部３１ｂとに取り囲まれた領域内に、導電材料を含む第１機能液６０を、半導体層８４を覆う形にて配置する工程と、該第１機能液を乾燥させて第１導電膜を得る工程とを含み、その後、薄膜部３２を除去して、該除去領域に第２導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大
させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極
等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミ
ニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３
層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域へ
の拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗
値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、そ
の第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、
配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を有し、一導電性を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層上に絶縁層を有し、絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層又はドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造に使用されるマスクの数を減少させた液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板及び第２基板を提供する段階と、第１基板上にソース領域、ドレイン領域、チャネル領域及びストレージ領域を含むアクティブ層を形成する段階と、第１絶縁膜を形成する段階と、ゲート電極、ゲートライン、画素電極及びストレージラインを形成する段階と、第２絶縁膜を形成する段階と、第１絶縁膜と第２絶縁膜を介してソース領域とドレイン領域の一部をそれぞれ露出させる第１、第２コンタクトホールを形成する段階と、第２絶縁膜を介して画素電極を露出させる画素ホールを形成する段階と、第１コンタクトホールを介してソース領域と電気的に接続されるソース電極、及び前記第２コンタクトホールを介してドレイン領域と電気的に接続されるドレイン電極を形成する段階と、第１基板と第２基板の間に液晶層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程の簡素化、及び画素の開口率を低減しないストレージキャパシタの形成。
【解決手段】基板上にゲート電極を有するゲート線と維持電極線を形成し、それら線上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、その上にオーミック接触部材を形成する。オーミック接触部材上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、それらの上に保護膜を蒸着する。保護膜上に第１感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、データ線の一部とゲート絶縁膜の第１部分を露出させる。第１感光膜を変化させ第２感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、ゲート絶縁膜の第２部分とドレイン電極の少なくとも一部を露出させ、且つゲート絶縁膜の第１部分を除去してゲート線の一部を露出させる。導電体膜を蒸着する。第２感光膜を除去してドレイン電極と接続される画素電極を形成する。 （もっと読む）