【課題】 半導体膜と画素電極の間に導電性材料を吐出して導電膜を形成する際に、導電性材料が半導体膜上から流出することを防止して、導電膜の十分な膜厚を確保することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、格子パターンの配線４０，４２と、配線４０，４２に囲まれた領域に配置された画素電極４５と、画素電極４５及び配線４２に導電膜４４を介して電気的に接続するスイッチング素子３０と、を有するアクティブマトリックス基板２０にであって、画素電極４５と導電膜４４とを電気的に接続する補助導通部５０を備える。また、補助導電部５０上の一部にバンク６１を備える。
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【課題】 表示品位が高く、周辺回路とのコンタクト性に優れた液晶表示装置を構成するマトリックス基板およびその製造方法を実現する。
【解決手段】 複数の液晶セルを形成するためのマトリクス回路が形成されている液晶用マトリクス基板において、液晶パネルを組み立てるときに貼り合わせ面となる表面に島状に、第１の導電材からなる絵素電極１２と、第２の導電材からなる端子電極１３とを形成する。このとき、第１の導電材は、第２の導電材よりも透過性が高く、かつ、導電性が低いものを使用する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造に使用されるマスクの数を減少させる液 晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板上にソース領域とドレイン領域及びチャンネル領域を有したアクティブ層を形成し、その上に第１絶縁膜を形成する段階と、第１絶縁膜上に第１導電膜と第２導電膜を形成、パターニングしてゲート電極とゲートライン及び画素電極を形成する段階と、この上に第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜のソース／ドレイン部にコンタクトホールを形成して、前記画素電極の上部の第２絶縁膜を除去する段階と、その上に第３導電膜を形成パターニングして前記コンタクトホールを通じてソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を形成し、前記画素電極の上部の第２導電膜を露出させる段階と、前記第１基板と第２基板間に液晶層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、基板上の積層構造に形成されたコンタクトホール内の断線不良を防止する。
【解決手段】 基板上に下部層間絶縁層の前駆膜を成膜する第１工程と、前駆膜を加熱して流動化させることにより前駆膜の表面に対して平坦化処理を施す第２工程と、第２工程の後に、前駆膜の表面の少なくとも一部を第１のエッチング処理を施して後退させることで下部絶縁層を形成する第３工程と、下部層間絶縁層上に上部層間絶縁層を形成する第４工程と、上部導電層及び下部導電層を互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを、下部層間絶縁層の表面において第１のエッチング処理により後退させた部分を通過するように、上部層間絶縁層及び下部層間絶縁層に第２のエッチング処理によって開孔する第５工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置に関し、僅かな開口率低下で点欠陥を完全な正常点にリペアすることが可能な液晶表示装置、並びに、このような液晶表示装置のリペア方法及び駆動方法を提供する。
【解決手段】行方向及び列方向に隣接するようにマトリクス状に配置された複数の画素部と、行方向に並ぶ画素部に接続された複数の第１のバスラインと、列方向に並ぶ画素部に接続された複数の第２のバスラインと、行方向に並ぶ画素部に接続され、独立して時間的に変動する電圧を印加可能な複数の第３のバスラインとを有し、各画素部は、画素電極と、画素電極と第２のバスラインとの接続を第１のバスラインにより制御する第１のスイッチング素子と、一方の電極が第２のバスラインに接続され、他方の電極が画素電極に絶縁膜を介して重畳するように配置され、前記一方の電極と前記他方の電極との接続を第３のバスラインにより制御する第２のスイッチング素子とをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置及びその平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル領域、ソース、及びドレイン領域を有する活性層と、前記チャンネル領域に信号を印加するゲート電極と、前記ソース及びドレイン領域にそれぞれ接続し、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金のうち少なくとも一つを含むソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記活性層との間に介在され、シリコンナイトライドを含む絶縁膜と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。これにより、ソース／ドレイン電極の配線抵抗を低め、活性層からの汚染を防止し、画素電極との接触抵抗特性が改善され、活性層への水素供給を円滑にして移動度、オンカレント特性、スレショルド電圧特性などに優れたＴＦＴ及びそれを備えた平板表示装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接触部形成方法は、基板上に第１配線を形成する段階と、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に接触層を形成する段階と、接触層を介して第１配線と接続される第２配線を形成する段階とを含み、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。 （もっと読む）