【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。
【解決手段】Ｃｒ膜１１ＳおよびＡｌ系金属膜１２Ｓからなるソース電極１７は、画素電極９の図１の下辺部のほぼ全体の上面およびその近傍におけるゲート絶縁膜５の上面に形成されている。すると、Ｃｒ膜１１Ｓの平面の面積が大きくなり、ひいてはＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積（周囲長×膜厚）も大きくなる。そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】接触孔形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極の表面が損傷及び逆テーパ構造となることを防止し、液晶表示装置の電気的特性及び信頼性を向上する製造方法の提供。
【解決手段】データパターン、半導体の突出部及び非晶質シリコンパターンを形成する前に、ゲート線端部、維持電極固定端付近の維持電極線１３１、維持電極の自由端の直線部分上に存在するゲート絶縁膜１４０を部分的に除去する。これによって、ゲート線端部、維持電極固定端の付近の維持電極線及び維持電極１３３ａ，１３３ｂの自由端の直線部分とデータ線１７１端部とドレーン電極１７５上には共通的に保護膜１８０が存在するので、以降のエッチング工程によって形成される接触孔を介してゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極が露出される時間が殆ど同じである。従って、電極表面の損傷及び接触孔の逆テーパ構造を防止できる。 （もっと読む）

【課題】インクジェット直描を用い、かつソース電極とドレイン電極間のギャップを４μｍ以下の狭小化をプロセスの増加なしに実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２を、シリコン半導体層ＳＩの上層にインクジェット直描により第１の間隔で対向配置した導体層ＳＤ１ＡとＳＤ２Ａ、該第１の層の上層と該対向配置された導体層の各対向端のそれぞれを覆って導体層の各対向端の第１の間隔より狭い第２の間隔で対向する透明導電膜ＳＤ１とＳＤ２の積層で構成した。 （もっと読む）

【課題】低い配線抵抗および高い歩留まりならびに低いコストを実現できる半導体装置およびそれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、ゲート電極５ａおよびゲート配線５ｂと、ソース／ドレイン電極７ａおよびソース／ドレイン配線７ｂと、画素電極線９とを備えている。接続孔１０は、断面矩形状であり、ゲート絶縁膜４およびパッシベーション膜８を貫通しゲート配線５ｂおよびソース／ドレイン電極線７それぞれの端部を露出させるように、１個が設けられている。画素電極線９は、少なくとも接続孔１０に沿って設けられ、その底面の一部はゲート配線５ｂに他の一部はソース／ドレイン電極線７にそれぞれ接している。 （もっと読む）

【課題】 簡素な工程にも拘わらず、Ｃｒ膜又はＡｌ膜から成る電極とコンタクトホールに形成される透明導電膜との間のコンタクト抵抗を低減できるアクティプマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層１３，１５中の異なる深さ位置に在るフッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより揮発しない金属膜１２，１４にそれぞれ達するように１マスクプロセスによって複数のコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板の製造方法であっつて、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２との混合ガスを用いてドライエッチングを行って複数のコンタクトホールを形成する工程と、複数のコンタクトホールに対して酸素アッシングを行う工程と、複数のコンタクトホール内に透明導電膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いた従来の薄膜トランジスタアレイでは、外部駆動回路と薄膜トランジスタアレイの信号線端子との良好な接続を確保できるアレイ構造は実現されていなかった。
【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部１４、ソース部１５、ドレイン部１６と、画素電極１３と、ゲート信号線１１及びソース信号線１２の端部の接続用端子部１８、１７も同一の酸化物半導体で形成する。薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜１９の所望の位置に開口部を設ける。そして、開口部を介して酸化物半導体膜２６を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部１８、１７、ソース・ドレイン部１５、１６、画素電極１３を同時に低抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】接続用開口部の形成。
【解決手段】
まず、少なくとも一つの誘電層が形成されている基板が提供される。次に、第一の開口部を有するフォトレジスト層が誘電層上に形成される。プラズマエッチング操作を行い、誘電層に第二の開口部を形成するが、第一の開口部は第二の開口部の上方に位置する。第一の開口部の底部の直径は、第二の開口部の頭部の直径より小さい。その後フォトレジスト層を誘電層より除去する。したがって、露出した接続用開口部の少なくとも一部分は酸化されず、導電パターンおよび接続用開口部をふさぐ導電層の間の抵抗の増加を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明は有機薄膜トランジスタ基板とその製造方法に関し、薄膜トランジスタを容易に製造することができる有機薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による有機薄膜トランジスタ基板は基板上に形成されるゲートラインと、前記ゲートラインと同一の平面上に形成される画素電極と、前記ゲートラインと絶縁されて形成されるデータラインと、前記ゲートラインと接続するゲート電極、前記ゲートラインと絶縁され前記データラインと接続するソース電極、前記ゲート電極と絶縁され前記画素電極と接続するドレイン電極、前記ソース及びドレイン電極と接触する有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイ用基板の製作方法の提供。
【解決手段】本発明は一種の液晶ディスプレイ用基板の製作方法に関するものであり、主には、従来のパネル設計における抵抗値のマッチングがしにくいという問題を改善するために、低インピーダンスの導線構造を形成するものである。本発明で製作する薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用基板は、パネル内の導線抵抗値を有効に減少することができ、薄膜トランジスタの駆動信号の通信速度を向上させることができる。故に、本発明は製品の歩留まりを向上させて製造コストを下げるだけでなく、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの大型化、高画質化のニーズを満足させることもできる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを煩雑化させることなく、画素の狭ピッチ化や高開口率化を実現することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極１１とトランジスタの半導体層１２とは、データ線６と同層の第１中継電極層１６と、固定電極層１７と同層の第２中継電極層１８とを介して電気的に接続され、固定電極層１７は、遮光性を備え、第１の方向で隣り合うデータ線の間で分断され、この分断部分に第２中継電極層１８が形成されている。固定電極層１７において第１の方向に延設された部分の第２の方向の線幅は、第２の方向のうち第２中継電極層１８にコンタクトホールを介して接続された画素電極１１が配置されている画素側において、第２中継電極層１８における第２の方向の線幅よりも狭い。蓄積容量の一方の電極１３と前記固定電極層１７とは、前記データ線６と同層の容量中継電極層を介して電気的に接続されている電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間のバリアメタル形成の省略が可能な（薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間にバリアメタルを形成する必要のない）薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する。
【解決手段】(1) 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極と、透明導電膜とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース電極およびドレイン電極が前記薄膜トランジスタの半導体層と直接接続した構造を有すると共に、前記ソース電極およびドレイン電極がNi：0.1 〜6.0 原子％、La：0.1 〜1.0 原子％、Si：0.1 〜1.5 原子％を含有するAl合金薄膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板、(2) 前記薄膜トランジスタ基板が設けられている表示デバイス等。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の生産コストを大幅に減らしてその生産量を増加させる半透過反射型液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】背面露光及びハーフトーンフォトマスクにより、使用するフォトマスクの数を三つか四つに減らし、半透過反射型液晶表示装置を製作する。また、蓄積容量１４１を直列に接続することにより、単位面積当たりの容量値を増やした上で、基板１００上で蓄積容量１４１が占める面積を減らし、透過領域の開口率及び表示装置の輝度を高める。 （もっと読む）

【課題】 表示装置においてスルーホールで接続される２つの導電層の接続不良を低減する。
【解決手段】 基板の表面の上に設けられた第１の導電層と、前記基板の表面からみて前記第１の導電層の上に、１つの絶縁膜または１つの絶縁膜を含む２つ以上の積層された薄膜からなる薄膜層を介して設けられた第２の導電層とが、前記薄膜層に設けられた開口部において電気的に接続されている表示パネルを有する表示装置であって、前記薄膜層の前記開口部の開口端のうち、前記基板の表面からの距離が遠いほうの開口端の外周は、該外周を１周する間に、前記基板の表面からの距離が１回以上変動する表示装置。 （もっと読む）

【課題】低い配線抵抗，熱的安定性を有し，画素電極との接触抵抗特性が改善されたフラットパネルディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ装置は、基板１００と，該基板１００上に順次積層された耐熱性金属膜パターン１３１ａ，アルミニウム系金属膜パターン１３１ｃ，およびキャッピング金属膜パターン１３１ｄを備えるソース／ドレイン電極１３１と，を含み，耐熱性金属膜パターン１３１ａは，５００Å以下の厚さを有し，耐熱性金属膜パターン１３１ａとアルミニウム系金属膜パターン１３１ｃとの間には，拡散防止膜パターン１３１ｂがさらに含まれる （もっと読む）

【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

【課題】保護膜を単一層で形成してフォトマスクの数を減らすことができる液晶表示装置用薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】基板５０上にゲート配線５２とゲート絶縁膜５４と有機保護膜パターン５８ｃを形成し、ゲート配線５２上へゲート絶縁膜５４と有機保護膜パターン５８ｃにわたって形成された第２ビアホール６１を形成する。第２ビアホール６１の基底エッジでゲート絶縁膜５４が有機保護膜パターン５８ｃに比べて突出するように形成し、有機保護膜パターン５８ｃの下部でアンダーカットを除去し、第２ビアホール６１上にパッド電極６４を形成する。保護膜を有機絶縁膜の単一層で形成し、保護膜下部でアンダーカットを除去して後続工程で蒸着される導電膜の段差塗布不良を防止する。 （もっと読む）

【課題】 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 画素素子を含む有機エレクトロルミネセンス素子であって、制御領域と感知領域を含む基板、制御領域の上に配置されるスイッチ素子と駆動素子、感知領域の上に配置されるフォトダイオード、感知領域に配置され、フォトダイオードを照射するＯＬＥＤ素子、および前記フォトダイオードと駆動素子に接続されるコンデンサを含み、ＯＬＥＤ素子の輝度に対応するフォト電流は、フォトダイオードを照射する前記ＯＬＥＤ素子に応答するフォトダイオードによって発生されることで、コンデンサの電圧が前記フォト電流によって調整され、駆動素子を通過する電流を制御し、よって、ＯＬＥＤ素子の照度を変える有機エレクトロルミネセンス素子。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射によるドレイン電極の損傷を防止することにより歩留まりを向上し
、絶縁層の加工を短時間で行う電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方
法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、ドレイン電極１６上に、ドレイン電極１
６と電気的に接続する導電材料層２０を形成する。ソース電極１４とドレイン電極１６と
有機半導体層１８と導電材料層２０とを被覆するゲート絶縁層２２を形成する。ゲート絶
縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間絶縁層２６を形成する。層間絶縁層２６とゲ
ート絶縁層２２との導電材料層２０にオーバーラップする領域と、導電材料層２０とにレ
ーザ光を照射し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とは貫通するが、導電材料層２０は
貫通しないビアホール２８を形成する。層間絶縁層２６上に、ビアホール２８を介して導
電材料層２０と電気的に接続する画素電極３０を形成する。 （もっと読む）