表示装置の作製方法

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面に選択的に光吸収層を形成し、
前記絶縁表面上及び前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁表面、前記光吸収層及び前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記絶縁層のレーザ光照射領域において前記光吸収層上の前記絶縁層のみを選択的に除去し前記絶縁層に前記光吸収層に達する開口を形成し、
前記開口に前記光吸収層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面に選択的に導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記絶縁表面上及び前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁表面、前記光吸収層及び前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記絶縁層のレーザ光照射領域において前記光吸収層上の前記絶縁層のみを選択的に除去し前記絶縁層に前記光吸収層に達する開口を形成し、
前記開口に前記光吸収層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面に選択的に導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記絶縁表面上及び前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁表面、前記光吸収層及び前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記レーザ光照射領域の光吸収層、及び前記絶縁層のレーザ光照射領域において前記光吸収層上の前記絶縁層のみを選択的に除去し前記絶縁層に前記光吸収層及び前記導電層に達する開口を形成し、
前記開口に前記光吸収層及び前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面に複数の光吸収層を形成し、
前記絶縁表面上及び前記複数の光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁表面上、前記複数の光吸収層及び前記絶縁層にレーザ光を照射し、
前記絶縁層のレーザ光照射領域において前記複数の光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し前記絶縁層に複数の開口を形成し、
前記複数の開口に前記複数の光吸収層とそれぞれ接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記光吸収層は導電性材料を用いて形成することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、前記光吸収層はクロム、タンタル、銀、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記光吸収層は半導体材料を用いて形成することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記光吸収層は珪素を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記絶縁層を透過する波長の前記レーザ光で前記開口を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。

【図１】